公开(公告)号：CN102237317B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010527780.7

申请日：2010-10-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吴逸文 ,  黄见翎 ,  刘重希 ,  林正忠

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13551 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种集成电路元件与封装组件，集成电路元件包括：半导体基底；导电柱，设置于半导体基底之上，具有侧壁表面与上表面；凸块下金属层，设置于半导体基底与导电柱之间，具有一表面区域邻接至导电柱的侧壁表面且由侧壁表面延伸；以及保护结构，设置于铜柱的该侧壁表面上与凸块下金属层的表面区域上，其中保护结构由非金属材料形成，且导电柱由含铜层形成。本发明的侧壁保护结构，覆盖凸块结构的侧壁表面的至少一部分，在铜柱侧壁上以及凸块下金属层的表面区域上的保护结构由至少一非金属材料层形成，例如介电材料层、高分子材料层或前述的组合。本发明能够避免铜柱侧壁被氧化，以及增加在铜柱侧壁与后续形成的底部填胶材料之间的粘着力。

公开(公告)号：CN105304503A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510291027.5

申请日：2015-05-29

申请人： 应用材料公司

发明人： 大卫·P·苏尔杜克 ,  马文·L·伯恩特

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/13 ,  C23F1/26 ,  C23F1/38 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02321 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13084 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13563 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/498

摘要： 根据本公开内容的一个实施方式，一种形成金属特征的方法包括：使用第一蚀刻化学品蚀刻第一金属层的一部分，和使用第二蚀刻化学品蚀刻阻挡层的一部分以实现阻挡层底切，所述底切小于或等于阻挡层厚度的两倍。

公开(公告)号：CN102376664B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201110225510.5

申请日：2011-08-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 小坂尚希 ,  天清宗山 ,  金谷康

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7322 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27831 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/8001 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80123 ,  H01L2224/80129 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80132 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H05K1/14 ,  H05K2201/047 ,  H05K2201/10515 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031

摘要： 本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。

公开(公告)号：CN101506965B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780030773.2

申请日：2007-08-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 平野浩一 ,  小掠哲义 ,  中谷诚一

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01G9/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01G9/045 ,  H01G9/07 ,  H01G9/15 ,  H01L23/5223 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1358 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1379 ,  H01L2224/138 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

摘要： 本发明提供一种具有可有效抑制LSI的电压下降的电容器的半导体芯片。在半导体基板上，设置至少其表面是由铝电极形成的元件电极。对所述铝电极的表面进行粗面化。在所述铝电极上设置氧化膜。在所述氧化膜上设置导电膜。由所述铝电极、所述氧化膜、和所述导电膜形成电容器。

公开(公告)号：CN101211798B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200710112022.7

申请日：2007-06-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张碧兰 ,  游秀美 ,  黄志恭 ,  邱颂盛

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明揭示一种焊料凸块结构以及在半导体元件上制作焊料凸块结构的方法。在一实施例中，首先提供半导体衬底，其上具有接合垫以及位于接合垫上的保护层，其具有露出部分接合垫的开口。在接合垫与保护层上形成第一凸块底层金属。在第一凸块底层金属上设置掩模层，其具有露出部分第一凸块底层金属的开口。蚀刻掩模层，以在第一凸块底层金属与掩模层之间的边缘形成凹陷。在掩模层的开口中形成第二凸块底层金属，使第二凸块底层金属填入凹陷与部分的掩模层开口。本发明能够减少焊料凸块结构的底切程度，因此凸块底层金属之间相对不易受损，由此提高了焊料凸块结构的可靠度。

公开(公告)号：CN1186801C

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN98123673.1

申请日：1998-10-30

申请人： 国际商业机器公司

发明人： L·D·戴维 ,  L·A·范提

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013

摘要： 一种有被保护金属存在时金属薄膜的化学湿法腐蚀方法及腐蚀剂溶液。所述的腐蚀溶液的pH值范围约为2.7-4.0。所述的腐蚀溶液包含过氧化氢、硫酸钾和乙二胺四乙酸钾，所述溶液减少或消除了耐蚀金属的出现，同时又不使被保护金属受损害。

公开(公告)号：CN104051378B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201310311846.2

申请日：2013-07-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张志鸿 ,  郭庭豪

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11824 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于封装的铜表面处理。管芯具有顶面，及具有在管芯顶面上方突出的一部分的金属柱。金属柱的侧壁具有纳米线。管芯与封装衬底相接合。底部填充填充至管芯和封装衬底之间的间隔内。

公开(公告)号：CN103633059B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210479913.7

申请日：2012-11-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕文雄 ,  郑明达 ,  吴逸文 ,  蔡钰芃 ,  杜家玮 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/566 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了半导体封装件及其制造方法，其中该半导体封装件包括：半导体衬底、位于半导体衬底上方的接触焊盘、位于接触焊盘上方的互连层、形成在接触焊盘和互连层之间的钝化层、位于互连层上方的凸块以及位于互连层和钝化层上方并覆盖凸块的下部的保护层。保护层包括弯曲表面区。

公开(公告)号：CN102640283B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201080054650.4

申请日：2010-12-07

申请人： 英特尔公司

发明人： J·S·居泽克 ,  J·S·冈萨雷斯 ,  N·R·沃茨 ,  R·K·纳拉

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/03 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/26 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92132 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/40252 ,  H01L2924/40407 ,  H01L2924/40501 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/10477 ,  H05K2203/0152 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明的实施例描述了具有嵌入式管芯的半导体封装。半导体封装包括包含嵌入的管芯的无芯基底。半导体封装提供了管芯堆叠或封装堆叠能力。此外，本发明的实施例描述了最小化组装成本的制造半导体封装的方法。

公开(公告)号：CN103123917A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210052495.3

申请日：2012-02-13

申请人： 南茂科技股份有限公司

发明人： 沈更新 ,  齐中邦

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11845 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的一第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，其中第一开口大于第二开口。导电结构包含一凸块下金属层及一导电凸块，凸块下金属层设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接，导电凸块设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接。其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，并且导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。