公开(公告)号：CN113223970B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110434987.8

申请日：2021-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张进传 ,  卢思维 ,  余振华

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 方法包括：在衬底中形成通孔组，该组通孔部分地穿透衬底的厚度。第一连接件形成在衬底第一侧上的该通孔组上方。衬底的第一侧附接到载体。衬底从第二侧被减薄以暴露该通孔组。第二连接件形成在衬底第二侧上的通孔组上方。器件管芯接合到第二连接件。衬底被分割成多个封装件。本申请的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN109262447B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN201710723477.6

申请日：2017-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  林俊成 ,  张文华

IPC: B24B37/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种安装在研磨轮上的研磨元件以及一种含有所述研磨元件的研磨轮用于进行研磨。所述研磨元件包括研磨齿，且所述研磨齿包含研磨材料，所述研磨材料具有框架结构以及分布在所述框架结构中的孔隙。所述框架结构包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔径大于40微米但小于70微米。还提供一种使用所述研磨轮制造半导体封装的方法。

公开(公告)号：CN103681606B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201210576132.X

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  张进传 ,  洪瑞斌

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00011

Abstract: 本发明公开了三维(3D)扇出封装机制。形成半导体器件封装件的机制由于其相对简单的工艺流程而提供了低成本的制造工艺。通过形成具有能够将一个或多个管芯接合到封装结构下方的(一层或多层)再分配层的互连结构，大幅减少了整个封装件的翘曲。此外，在不使用模塑料的情况下形成互连结构，减少了颗粒污染。翘曲和颗粒污染的减少提高了成品率。而且，由于一个或多个管芯安装在封装结构和互连结构之间的间隔下方，所形成的半导体器件封装件具有低形状因数。

公开(公告)号：CN103117250A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN111261536B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910917216.7

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种用于检测研磨工艺的终点的设备，其包含连接器件、计时器以及控制器。连接器件连接到传感器，所述传感器周期性地感测包括至少两种类型的多个管芯的重建晶片的接口以产生厚度信号，所述厚度信号包括从重建晶片的绝缘层的表面到重建晶片的接口的厚度。计时器配置以产生具有带时间间隔的多个脉冲的时钟信号。控制器耦合到传感器和计时器，且配置以根据时钟信号对厚度信号进行滤波以输出在每一时间间隔内的厚度信号中的厚度当中的厚度极值，其中在滤波之后的厚度信号用以确定正对重建晶片执行的研磨工艺的终点。

公开(公告)号：CN113161302A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110220265.2

申请日：2021-02-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张进传 ,  卢思维 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07

Abstract: 一种制造半导体封装件的方法，包括在衬底中形成一组通孔，该组通孔部分地穿透衬底的厚度。第一连接器形成在衬底第一侧上的该组通孔上方。将衬底分割以形成管芯。将管芯的第一面附接到载体上。将管芯从第二侧减薄以暴露该组通孔。第二连接器形成在管芯第二侧上的一组通孔上方。器件管芯接合到第二连接器。将管芯和器件管芯分割成多个封装件。本发明的实施例还涉及一种半导体封装结构。

公开(公告)号：CN111261536A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910917216.7

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种用于检测研磨工艺的终点的设备，其包含连接器件、计时器以及控制器。连接器件连接到传感器，所述传感器周期性地感测包括至少两种类型的多个管芯的重建晶片的接口以产生厚度信号，所述厚度信号包括从重建晶片的绝缘层的表面到重建晶片的接口的厚度。计时器配置以产生具有带时间间隔的多个脉冲的时钟信号。控制器耦合到传感器和计时器，且配置以根据时钟信号对厚度信号进行滤波以输出在每一时间间隔内的厚度信号中的厚度当中的厚度极值，其中在滤波之后的厚度信号用以确定正对重建晶片执行的研磨工艺的终点。

公开(公告)号：CN104037153B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310239320.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张进传 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06137 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种封装件，包括中介层，中介层包括没有通孔的第一衬底、位于第一衬底上方的再分布线和位于再分布线上方并与再分布线电连接的多个第一连接件。第一管芯位于多个第一连接件上方并与多个第一连接件接合。第一管芯包括第二衬底和位于第二衬底中的通孔。第二管芯位于多个连接件上方并与多个连接件接合。第一管芯和第二管芯通过再分布线彼此电连接。多个第二连接件位于第一管芯和第二管芯上方。多个第二连接件通过第二衬底中的通孔电连接至多个第一连接件。本发明还公开了3D封装件的形成方法。

公开(公告)号：CN113223970A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110434987.8

申请日：2021-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张进传 ,  卢思维 ,  余振华

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498

Abstract: 方法包括：在衬底中形成通孔组，该组通孔部分地穿透衬底的厚度。第一连接件形成在衬底第一侧上的该通孔组上方。衬底的第一侧附接到载体。衬底从第二侧被减薄以暴露该通孔组。第二连接件形成在衬底第二侧上的通孔组上方。器件管芯接合到第二连接件。衬底被分割成多个封装件。本申请的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN110783207A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910661033.3

申请日：2019-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 提供封装结构及其形成方法。方法包含在承载基底上设置第一半导体晶粒，以及形成第一保护层以环绕第一半导体晶粒。方法也包含在第一保护层和第一半导体晶粒上形成介电层。方法还包含将介电层图案化以形成开口，此开口部分地暴露出第一半导体晶粒和第一保护层。此外，方法包含在形成前述的开口之后，将第二半导体晶粒接合至第一半导体晶粒。方法包含形成第二保护层以环绕第二半导体晶粒。