公开(公告)号：CN1959531A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610148685.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 ,  周安乐 ,  黎戈

IPC: G03F7/16 ,  B41M1/12 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L24/12 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11552 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H05K3/3484 ,  H05K3/3494 ,  H05K2201/10992 ,  H05K2203/0425 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/0557 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099

Abstract: 用于在衬底上形成多层凸起的方法，包含在衬底上沉积第一金属粉末，和有选择地熔化或者回流第一金属粉末的一部分以形成第一凸起。然后在第一凸起上沉积第二金属粉末，并熔化以在第一凸起上形成第二凸起。掩模板配置在衬底上方以选择熔化的金属粉末的部分，通过照射射束熔化金属粉末。在不需要任何湿化学制品的情况下形成多层凸起。

公开(公告)号：CN101051614B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710103556.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 ,  周安乐 ,  黎戈 ,  叶兴强 ,  郑通庆 ,  陈兰珠

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K3/4015 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13194 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。

公开(公告)号：CN101051614A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710103556.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 ,  周安乐 ,  黎戈 ,  叶兴强 ,  郑通庆 ,  陈兰珠

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K3/4015 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13194 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/3457 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2203/049 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81805

Abstract: 一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。