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公开(公告)号：CN100517690C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610004518.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种三维封装及其形成方法。其中的电子器件(60)包括：与第一引线框(64)电连接的第一集成电路(IC)管芯；和与第二引线框(68)电连接的第二IC管芯(66)。通过至少一个柱凸点(72)将第一引线框(64)与第二引线框(68)电连接，其中所述至少一个柱凸点有选择地形成在需要第一引线框(64)与第二引线框(68)之间电连接的地方。用模压化合物(74)包封第一和第二引线框(64)和(68)、第一和第二IC管芯(62)和(66)以及至少一个柱凸点(72)。
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公开(公告)号：CN100495689C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200580003939.2
申请日：2005-01-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/053
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 图像传感器装置包括第一QFN型引线框架，传感器IC电连接到该引线框架上。第二引线框架设置用于保持透镜。第三引线框架设置在第一和第二引线框架之间，以将IC与透镜适当间隔开。通过引线框架板的使用，同时组装多个传感器装置。
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公开(公告)号：CN1914723A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003939.2
申请日：2005-01-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/053
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 图像传感器装置包括第一QFN型引线框架，传感器IC电连接到该引线框架上。第二引线框架设置用于保持透镜。第三引线框架设置在第一和第二引线框架之间，以将IC与透镜适当间隔开。通过引线框架板的使用，同时组装多个传感器装置。
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公开(公告)号：CN1914719A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003941.X
申请日：2005-01-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/566 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/81001 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体装置(10)包括：第一引线框(18)，具有限定空腔(22)的周界(20)、和从周界向内延伸的引线(14)；和第二引线框(32)，具有顶表面和底表面、和围绕小片接收区域(36)的小片焊盘。集成电路(12)放置在第二引线框的小片接收区域内。集成电路具有位于其顶表面的周缘部分上的焊垫(44)。第二引线框和集成电路与第一引线框处于面对关系，从而第一引线框的引线电气连接到焊垫的相应焊垫上。塑封材料(50)注入在第一和第二引线框之间，并且覆盖第二引线框顶表面和集成电路的第一表面的中央区域。至少露出引线的底表面。
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公开(公告)号：CN1835228A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610004518.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种三维封装及其形成方法。其中的电子器件(60)包括：与第一引线框(64)电连接的第一集成电路(IC)管芯；和与第二引线框(68)电连接的第二IC管芯(66)。通过至少一个柱凸点(72)将第一引线框(64)与第二引线框(68)电连接，其中所述至少一个柱凸点有选择地形成在需要第一引线框(64)与第二引线框(68)之间电连接的地方。用模压化合物(74)包封第一和第二引线框(64)和(68)、第一和第二IC管芯(62)和(66)以及至少一个柱凸点(72)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101051614B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710103556.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L23/48
CPC classification number: H05K3/4015 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11312 , H01L2224/1134 , H01L2224/118 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13144 , H01L2224/13194 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3457 , H05K2201/0367 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/81805
Abstract: 一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。
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公开(公告)号：CN100499052C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200580009296.2
申请日：2005-02-10
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/44 , H01L21/48 , H01L21/301 , H01L21/50
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种封装集成电路管芯(12)的方法，包括提供箔片(30)和在箔片的第一侧上形成焊料层(32)的步骤。集成电路管芯的第一侧附着于箔片上的焊料。管芯的第一侧上具有金属层(34)，管芯的相反第二侧包括键合焊盘(14)。键合焊盘由导线(16)电连接到箔片上的焊料。管芯、电连接和箔片的第一侧由模制化合物(20)密封。使箔片与管芯和导线分开，从而形成封装的集成电路(10)。
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公开(公告)号：CN100378934C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200580003941.X
申请日：2005-01-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/566 , H01L23/3107 , H01L23/4952 , H01L23/49537 , H01L23/49548 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/81001 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体装置(10)包括：第一引线框(18)，具有限定空腔(22)的周界(20)、和从周界向内延伸的引线(14)；和第二引线框(32)，具有顶表面和底表面、和围绕小片接收区域(36)的小片焊盘。集成电路(12)放置在第二引线框的小片接收区域内。集成电路具有位于其顶表面的周缘部分上的焊垫(44)。第二引线框和集成电路与第一引线框处于面对关系，从而第一引线框的引线电气连接到焊垫的相应焊垫上。塑封材料(50)注入在第一和第二引线框之间，并且覆盖第二引线框顶表面和集成电路的第一表面的中央区域。至少露出引线的底表面。
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公开(公告)号：CN101051614A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710103556.3
申请日：2007-03-06
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L23/48
CPC classification number: H05K3/4015 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11312 , H01L2224/1134 , H01L2224/118 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13144 , H01L2224/13194 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3457 , H05K2201/0367 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/81805
Abstract: 一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。
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公开(公告)号：CN101048040A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710008153.0
申请日：2007-01-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: C23C24/10 , G03G13/28 , G03G13/283 , G03G13/286 , H05K3/1266 , H05K2203/0425 , H05K2203/043 , H05K2203/0517
Abstract: 一种用于在衬底上形成金属层的方法通过在所述衬底上提供树脂膜开始。具有带电和不带电的段的有机光导体层被附着到所述树脂膜。金属粉末被沉积到有机光导体层的带电的段上，在此之后它被加热以便形成金属层。
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