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1.

发明公开
在衬底上形成多层凸起的方法无效

公开(公告)号：CN1959531A

公开(公告)日：2007-05-09

申请号：CN200610148685.X

申请日：2006-10-31

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 , 周安乐 , 黎戈

IPC: G03F7/16 , B41M1/12 , G03F7/00 , H01L21/027

CPC classification number: H01L24/12 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/0381 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/114 , H01L2224/11552 , H01L2224/116 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H05K3/3484 , H05K3/3494 , H05K2201/10992 , H05K2203/0425 , H05K2203/043 , H05K2203/0557 , H05K2203/107 , H05K2203/1476 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099

Abstract: 用于在衬底上形成多层凸起的方法，包含在衬底上沉积第一金属粉末，和有选择地熔化或者回流第一金属粉末的一部分以形成第一凸起。然后在第一凸起上沉积第二金属粉末，并熔化以在第一凸起上形成第二凸起。掩模板配置在衬底上方以选择熔化的金属粉末的部分，通过照射射束熔化金属粉末。在不需要任何湿化学制品的情况下形成多层凸起。

2.

发明授权
三维封装失效

公开(公告)号：CN100517690C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200610004518.8

申请日：2006-01-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 , 王飞莹 , 周安乐

IPC: H01L25/00 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种三维封装及其形成方法。其中的电子器件(60)包括：与第一引线框(64)电连接的第一集成电路(IC)管芯；和与第二引线框(68)电连接的第二IC管芯(66)。通过至少一个柱凸点(72)将第一引线框(64)与第二引线框(68)电连接，其中所述至少一个柱凸点有选择地形成在需要第一引线框(64)与第二引线框(68)之间电连接的地方。用模压化合物(74)包封第一和第二引线框(64)和(68)、第一和第二IC管芯(62)和(66)以及至少一个柱凸点(72)。

3.

发明公开
三维封装及其形成方法失效

公开(公告)号：CN1835228A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610004518.8

申请日：2006-01-25

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 , 王飞莹 , 周安乐

IPC: H01L25/00 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56

CPC classification number: H01L24/97 , H01L23/3107 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及一种三维封装及其形成方法。其中的电子器件(60)包括：与第一引线框(64)电连接的第一集成电路(IC)管芯；和与第二引线框(68)电连接的第二IC管芯(66)。通过至少一个柱凸点(72)将第一引线框(64)与第二引线框(68)电连接，其中所述至少一个柱凸点有选择地形成在需要第一引线框(64)与第二引线框(68)之间电连接的地方。用模压化合物(74)包封第一和第二引线框(64)和(68)、第一和第二IC管芯(62)和(66)以及至少一个柱凸点(72)。

4.

发明授权
在衬底上形成加强互连的方法失效

公开(公告)号：CN101051614B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710103556.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 , 周安乐 , 黎戈 , 叶兴强 , 郑通庆 , 陈兰珠

IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L23/48

CPC classification number: H05K3/4015 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11312 , H01L2224/1134 , H01L2224/118 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13144 , H01L2224/13194 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3457 , H05K2201/0367 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/81805

Abstract: 一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。

5.

发明公开
在衬底上形成加强互连的方法失效

公开(公告)号：CN101051614A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710103556.3

申请日：2007-03-06

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 , 周安乐 , 黎戈 , 叶兴强 , 郑通庆 , 陈兰珠

IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L23/48

CPC classification number: H05K3/4015 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/11312 , H01L2224/1134 , H01L2224/118 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/13144 , H01L2224/13194 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H05K3/3457 , H05K2201/0367 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/81805

Abstract: 一种在衬底上形成加强的互连或凸块的方法包括首先在衬底上形成支撑结构。然后在该支撑结构周围形成基本上填满的封囊以形成互连。该互连可达到高达300微米的高度。

6.

发明公开
用于制造印刷电路板的方法无效

公开(公告)号：CN101048040A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710008153.0

申请日：2007-01-26

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 萧喜铭 , 周安乐 , 王浩宏

IPC: H05K3/18 , H01L21/48

CPC classification number: C23C24/10 , G03G13/28 , G03G13/283 , G03G13/286 , H05K3/1266 , H05K2203/0425 , H05K2203/043 , H05K2203/0517

Abstract: 一种用于在衬底上形成金属层的方法通过在所述衬底上提供树脂膜开始。具有带电和不带电的段的有机光导体层被附着到所述树脂膜。金属粉末被沉积到有机光导体层的带电的段上，在此之后它被加热以便形成金属层。

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