公开(公告)号：EP2040302A4

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP07767367

申请日：2007-06-21

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FOUND ADVANCEMENT INT SCIENCE

发明人： OHMI TADAHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  CHENG WEITAO

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78654 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

公开(公告)号：EP2059103A4

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：EP07806064

申请日：2007-08-24

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FOUND ADVANCEMENT INT SCIENCE

发明人： OHMI TADAHIRO

IPC分类号： H05K3/46 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5222 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/024 ,  H05K3/467 ,  H05K3/4688 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2284882A4

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：EP09758223

申请日：2009-05-22

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FOUND ADVANCEMENT INT SCIENCE

发明人： OHMI TADAHIRO ,  SUGAWA SHIGETOSHI ,  IMAI HIROSHI ,  TERAMOTO AKINOBU

IPC分类号： H05K1/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/66 ,  H01P3/08 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K1/0218 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/025 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/09972 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP2293323A4

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：EP09746471

申请日：2009-04-17

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FOUND ADVANCEMENT INT SCIENCE

发明人： OHMI TADAHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  TANAKA HIROAKI ,  ISOGAI TATSUNORI

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575

摘要： A semiconductor device manufacturing method includes the steps of ion-implanting a p-type or an n-type impurity into a Si layer portion to become a p-type or an n-type contact region of a semiconductor device, forming a metal film for a contact on a surface of the contact region without performing heat treatment for activating implanted ions after the ion-implanting step, and forming a silicide of a metal of the metal film by causing the metal to react with the Si layer portion by heating. It is desired to simultaneously perform the step of forming the silicide and the step of activating the implanted ions by heat treatment after the metal film is formed.

公开(公告)号：EP2043159A4

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：EP07790721

申请日：2007-07-12

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FOUND ADVANCEMENT INT SCIENCE

发明人： OHMI TADAHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  KURODA RIHITO

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：EP2051292A4

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：EP07790720

申请日：2007-07-12

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FOUND ADVANCEMENT INT SCIENCE

发明人： OHMI TADAHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  KURODA RIHITO

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/518 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

公开(公告)号：EP2669933A4

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：EP12739117

申请日：2012-01-23

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  FURUKAWA ELECTRIC CO LTD

发明人： KAMBAYASHI HIROSHI ,  TERAMOTO AKINOBU ,  OHMI TADAHIRO

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：EP2197023A4

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：EP08835197

申请日：2008-10-06

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  SHINETSU HANDOTAI KK

发明人： OHMI TADAHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  SUWA TOMOYUKI ,  KURODA RIHITO ,  KUDO HIDEO ,  HAYAMI YOSHINORI

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

摘要： On a surface of a semiconductor substrate, a plurality of terraces formed stepwise by an atomic step are formed in the substantially same direction. Using the semiconductor substrate, a MOS transistor is formed so that no step exists in a carrier traveling direction (source-drain direction).

公开(公告)号：EP2117018A4

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：EP08703665

申请日：2008-01-22

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  SUMITOMO OSAKA CEMENT CO LTD

发明人： OHMI TADAHIRO ,  TERAMOTO AKINOBU ,  ISHIZUKA MASAYUKI ,  HIDAKA NOBUHIRO ,  SHIRAKATA YASUSHI

IPC分类号： H01F1/26 ,  H01F1/147 ,  H01F1/24 ,  H01F1/37 ,  H01F41/02 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K9/00

CPC分类号： H01F41/0246 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233

公开(公告)号：EP2184771A4

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：EP08792453

申请日：2008-08-14

申请人： UNIV TOHOKU NAT UNIV CORP ,  TOKYO ELECTRON LTD ,  UBE INDUSTRIES ,  UBE NITTO KASEI CO

发明人： OHMI TADAHIRO ,  MATSUOKA TAKAAKI ,  INOKUCHI ATSUTOSHI ,  WATANUKI KOHEI ,  KOIKE TADASHI ,  ADACHI TATSUHIKO

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00