PROCEDE DE REALISATION D'UNE CONNEXION A PLAT
    143.
    发明公开
    PROCEDE DE REALISATION D'UNE CONNEXION A PLAT 失效
    的扁平连接的实现过程。

    公开(公告)号:EP0418345A1

    公开(公告)日:1991-03-27

    申请号:EP90904369.0

    申请日:1990-02-27

    Inventor: BANSARD, J

    Abstract: Le procédé a pour but d'améliorer les connexions à plat, en vue de diminuer sensiblement la résistance de contact dans ces dernières, généralement importante en raison de défauts de planéité des plages conductrices en vis-à-vis. Il consiste à former sur une première plage conductrice (10) destinée à entrer en contact dans une connexion à plat avec une second plage conductrice, un état de surface faisant apparaître une pluralité de plots (12) régulièrement répartis, puis à appliquer en vis-à-vis et à serrer les deux plages, de manière à établir un contact entre chaque plot et la seconde plage. Applications particulièrement intéressantes aux connexions pour courants forts et aux connexions de lignes rubans en VHF et en hyperfréquence.

    Thin film package for mixed bonding of a chip
    147.
    发明公开
    Thin film package for mixed bonding of a chip 失效
    Dünnschichtpackungfüreine gemischte Chipverbindung。

    公开(公告)号:EP0343379A2

    公开(公告)日:1989-11-29

    申请号:EP89107126.8

    申请日:1989-04-20

    Abstract: The disclosure describes a method of manufacturing a structure of a thin, flexible package assembly (10) that permits electrical devices (13, 17) to be bonded to an electrical circuit (12) utilizing mixed bonding techniques.
    A sacrificial metal carrier material (25) is used to support a thin polyimide or TEFLON substrate (11), through which openings, called "vias", are formed at locations where bonding pad areas are needed to affix electrical devices (13, 17). An electrical circuit (12) is formed on the thin flexible substrate (11), including making the vias conductive, utilizing known processes, and then, the sacrificial metal carrier material (25) is removed, as for example by etching it away, except in locations where metal bumps (21, 22, 23, 24) will be needed to bond a device (17) by thermo compression bonding.

    Abstract translation: 本公开描述了一种制造薄的柔性封装组件(10)的结构的方法,其使用混合焊接技术将电气装置(13,17)结合到电路(12)。 牺牲金属载体材料(25)用于支撑薄的聚酰亚胺或TEFLON衬底(11),通过所述薄的聚酰亚胺或TEFLON衬底(11),在需要焊盘区域以固定电气装置(13,17)的位置处形成称为“通路”的开口, 。 在薄柔性基板(11)上形成电路(12),包括利用已知工艺使通路导通,然后,除去牺牲金属载体材料(25),例如通过蚀刻除去 在需要金属凸块(21,22,23,24)的位置,通过热压接来将装置(17)结合。

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