Abstract:
An electric connection box of the present invention comprises an upper case, a lower case fitting with the upper case, a connector housing connecting with a connector from the outside, one or a plurality of bus-bars each arranged sandwiched between the upper case and the lower case and having a terminal portion comprised of a plurality of terminal pieces positioned arranged in parallel inside the connector housing and a bus-bar body integrally formed with the terminal portion, and an insulator provided at least between the plurality of terminal pieces to connect and secure the terminal pieces to each other, by which insulator the narrow width terminal pieces are connected with each other and disturbance of the pitch or deformation is prevented.
Abstract:
A semiconductor plastic package excellent in heat diffusibility and free of moisture absorption, structured by fixing a semiconductor chip on one surface of a printed circuit board, connecting a semiconductor circuit conductor to a signal propagation circuit conductor formed on a printed circuit board surface in the vicinity thereof by wire bonding, at least connecting the signal propagation circuit conductor on the printed circuit board surface to a signal propagation circuit conductor formed on the other surface of the printed circuit board or a connecting conductor pad of a solder ball with a through-hole conductor, and encapsulating the semiconductor chip with a resin, the printed circuit board having a metal sheet of nearly the same size as the printed circuit board nearly in the center in the thickness direction of the printed circuit board, the metal sheet being insulated from front and reverse circuit conductors with a heat-resistant resin composition, the metal plate being provided with a clearance hole having a diameter greater than the diameter of each of at least two through holes, the through holes being provided in the clearance hole, the through-hole or through-holes being insulated from the metal sheet with a resin composition, at least one through-hole being connected to the metal sheet, one surface of the metal sheet being provided with at least one protrusion portion which is of the same size as the semiconductor chip and exposed on a surface, the semiconductor chip being fixed on the protrusion portion.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lotfreien Befestigung von Bauelementen (6) auf Leiterbahnen (2) an einem Leitungsnetz (1). Bei bekannten Verfahren zur Befestigung von Bauelementen (6) auf Leiterbahnen (2) an einem Leitungsnetz (1) werden Anschlußdrähte (10) der Bauelemente (6) durch Durchführungen (5) der Leiterbahnen (2) hindurchgeführt. Ein Kerbstempel (8) drückt neben bzw. rund um die Durchführung (5) und verformt das Leiterbahnmaterial (2) sowie die Anschlußdrähte (10). Demgegenüber werden nun die Anschlu'ßdrähte (10) der Bauelementen (6) vorgebogen, in Durchführungen (5) der Leiterbahnen (2) eingelegt und mittels eines Stempels das Leiterbahnmaterial (2) in die Durchführungen (5) gequetscht. Dabei befinden sich die Anschlußenden der Anschlußdrähte (10) auf der dem Bauelement (6) zugewandten Seite der Leiterbahn (2). Weiterhin betrifft die Erfindung ein nach diesem Verfahren hergestelltes elektrisches Bauteil mit einem Leitungsnetz (1) aus gestanzten Leiterbahnen (2), die mit den elektrischen Bauelementen (6) mittels Quetschung elektrisch kontaktiert und mechanisch verbunden sind.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur wärmeleitenden Befestigung eines elektronischen Leistungsbauelementes (106) an einem Kühlelement (101), wobei das Leistungsbauelement (106) an dem Kühlelement (101) flächig angelötet ist.
Abstract:
Zur Kontaktierung von Anschlußdrähten (4, 5) eines Bauelementes (3) in Löchern (6) einer Blech-Platine (1) wird der Lochrand durch ringförmige Einkerbungen (7) nach innen verformt, so daß jeweils eine Quetschverbindung (8) mit dem Anschlußdraht (4, 5) entsteht. Dadurch wird eine form- und kraftschlüssige Verbindung ohne die Anwendung von Löt- und Flußmitteln erreicht.
Abstract:
Die Erfindung bezieht sich auf ein neuartiges Verfahren zum Herstellen eines Keramik-Metall-Substrates, welches aus wenigstens einer Keramikschicht (2) sowie aus wenigstens zwei, an jeweils einer Oberflächenseite der Keramikschicht (2) vorgesehenen Metallschichten (3,4) besteht und wenigstens eine elektrische Durchkontaktierung (5) aufweist, an der die Metallschichten (3,4) im Bereich einer Öffnung oder eines Fensters (6) in der wenigstens einen Keramikschicht (2) durch eine Brücke (7) aus Metall elektrisch miteinander verbunden sind, bei welchem (Verfahren) Metallfolien oder -platinen (3',4'), deren Oberflächen von einer chemischen Verbindung des Metalls mit einem reaktiven Gas gebildet sind, mittels des Direct-Bonding-Verfahrens an den Oberflächenseiten der wenigstens einen Keramikschicht (2) zur Bildung der Metallschichten (3,4) befestigt werden, und bei welchem (Verfahren) zur Herstellung der Durchkontaktierung (5) in die wenigstens eine Öffnung bzw. in das wenigstens eine Fenster (6) ein die Brücke (7) bildendes Metall eingebracht wird, über welches die Metallschichten (3,4) mittels des Direct-Bonding-Verfahrens miteinander elektrisch verbunden werden.
Abstract:
Electrical interconnects, configured as one or more supported bulges (42, 90), are formed in both one or more of electrical conductors (32, 94) in a circuit or flexible cable (24, 92) and in any insulation (34, 98) underlying the conductors at the sites of the interconnects. The bulges may be placed individually in each conductor, or traverse the circuit or cable in a straight, curved, segmented or other broken or unbroken meandering path as a V-shaped or hollow shaped fold, wrinkle or crease in both the conductors and any insulation underlying the conductors at the sites of the interconnects. Supports (56, 108) for the bulges are so composed as to be physically, electrically and chemically compatible with their surrounding materials.
Abstract:
A multi-layer wiring assembly comprises a stack (2) of insulating layers (3), e.g. of polyimide, alternating with wiring patterns (4), typically of copper. To establish the circuit pattern, successive wiring patterns (4) are connected to one another through the intervening insulating layers at a plurality of predetermined locations, by metal stud connections (5). The studs (5) are formed during assembly of the stack by wire-bonding a stud onto an underlying wiring pattern through a through-hole (31) of the insulating layer (3) above, and then stamping the exposed end of the wire-bonded stud to spread it into contact with the uppermost wiring pattern (4). The wire-bonded studs (5), e.g. of Au, form strong bonds with the underlying conductor and are quick to apply in an automated process using a wire-bonding machine.