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公开(公告)号:JPWO2016121789A1
公开(公告)日:2017-08-17
申请号:JP2016572083
申请日:2016-01-27
Applicant: 信越化学工業株式会社
Abstract: 複数の貫通孔を備えたインターポーザー基板上に金属層を介して他の基板を備えたインターポーザー基板積層体であって、放熱性の良好なインターポーザー基板積層体およびその製造方法を提供する。具体的には、複数の貫通孔または溝部と、貫通孔または溝部に充填され、貫通孔または溝部を有する接合しようとする側の面から0μmを超えて10μm以下の高さまで飛び出ている導電性材料とを備えるインターポーザー基板の表面と、他の基板の金属層を形成した表面とを対向させ、5kgf/cm2以上で加圧することにより接合する加圧工程であって、導電性材料が金属材料および炭素材料で構成される、加圧工程を少なくとも含む、インターポーザー基板積層体の製造方法である。また、インターポーザー基板と、インターポーザー基板の接合しようとする側の面の上に備えられた金属層と、金属層の上に備えられた他の基板とを備えるインターポーザー基板積層体である。
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公开(公告)号:JP2017514304A
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:JP2016562526
申请日:2015-04-14
Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド
Inventor: デイク・ダニエル・キム , マリオ・フランシスコ・ヴェレス , ジョンヘ・キム , マシュー・マイケル・ノワク , チェンジエ・ズオ , チャンハン・ホビー・ユン , デイヴィッド・フランシス・バーディ , ロバート・ポール・ミクルカ
IPC: H01L23/28
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/04 , H01L23/3107 , H01L23/32 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5386 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16113 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01R12/7076 , H01R12/714 , H05K1/181 , H05K9/0032 , H05K2201/10189 , H05K2201/1053 , H05K2201/10734 , Y02P70/611 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: いくつかの新規の特徴は、パッケージ基板と、ダイと、封入層と、金属層の第1のセットとを含む、集積デバイスパッケージ(たとえば、ダイパッケージ)に関する。パッケージ基板は、第1の表面と第2の表面とを含む。ダイは、パッケージ基板の第1の表面に結合される。封入層は、ダイを封入する。金属層の第1のセットは、封入層の第1の外面に結合される。いくつかの実装形態では、金属層の第1のセットは、集積デバイスパッケージのダイトゥーワイヤコネクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、集積デバイスパッケージは、パッケージ基板の第2の表面に結合された金属層の第2のセットを含む。いくつかの実装形態では、集積デバイスパッケージは、封入層の第2の外面に結合された金属層の第2のセットを含む。
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公开(公告)号:JP2017093271A
公开(公告)日:2017-05-25
申请号:JP2015225041
申请日:2015-11-17
Applicant: 株式会社デンソー , Denso Corp
Inventor: HIRASAWA NAOKI , TANABE RYUTA , ICHIJO KOYO , KAWASHIMA TAKASHI
IPC: H02M7/48 , H01L23/40 , H01L23/473
CPC classification number: H01L25/0657 , B60L11/1874 , H01L23/053 , H01L23/32 , H01L23/473 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H02M7/003 , H02M2001/327 , H05K7/20927
Abstract: 【課題】半導体モジュールと冷却管との間の圧接力を充分に確保しつつ、半導体モジュールに電気的に接続された電子部品に作用する加圧力を抑制することができる電力変換装置を提供すること。【解決手段】電力変換装置1は、半導体モジュール2と、電子部品3と、複数の冷却管4と、ケース5と、半導体積層部11を積層方向に加圧する主加圧部材61と、部品積層部12を積層方向に加圧する副加圧部材62とを有する。半導体積層部11と部品積層部12とは一直線状に積層されている。主加圧部材61の加圧力は副加圧部材62の加圧力よりも大きい。主加圧部材61は半導体積層部11における部品積層部12から遠い側の端部に配置されている。ケース5には、主加圧部材61の加圧力が部品積層部12に作用することを防ぐように、半導体積層部11を部品積層部12側から支承する支承部7が設けてある。【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2017073416A
公开(公告)日:2017-04-13
申请号:JP2015197520
申请日:2015-10-05
Applicant: 浜松ホトニクス株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L23/12 , H01L23/32 , H05K1/11 , H05K3/40 , H01L23/14
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/32 , H01L23/522 , H05K1/11 , H05K3/40
Abstract: 【課題】貫通配線パターンにおいて電気的な接続が確実になされた配線構造体、及びそのような配線構造体を容易に製造することができる配線構造体の製造方法を提供する。 【解決手段】インターポーザ1は、貫通配線パターン5を含む配線パターン3が設けられた配線構造体である。インターポーザ1は、貫通配線パターン5が配置された貫通孔11を有するシリコン基板10と、少なくとも配線パターン3に沿って、貫通孔11の内面11aを含むシリコン基板10の表面に設けられた絶縁層14と、配線パターン3に沿って絶縁層14上に設けられたボロン層15と、ボロン層15上に設けられた金属層16と、備える。 【選択図】図2
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公开(公告)号:JPWO2014192109A1
公开(公告)日:2017-02-23
申请号:JP2015519552
申请日:2013-05-29
Applicant: ミライアル株式会社 , 信越ポリマー株式会社
Inventor: 雄大 金森
IPC: H01L21/673 , B65D85/30
CPC classification number: H01L23/04 , H01L21/67379 , H01L23/13 , H01L23/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 側壁25は、側壁25の外面から離間する方向へ側壁25から突出して取外し位置から装着位置へ近づくにつれて突出量が大きくなるように構成された半円状の半円状凸部251と、ハンドリング部材8を装着位置と取外し位置との間において移動可能に案内する案内部材252、252Aと、一対の側壁25の奥側に形成された奥側係合部253と、を有する。ハンドリング部材8は、一対の側壁25のそれぞれに沿って配置される略板状のハンドリング部材本体81と、ハンドリング部材8の厚さ方向にハンドリング部材本体81を貫通するように形成され、半円状凸部251が係合可能な円形の位置規制貫通孔84と、案内部材252、252Aに係合して案内部材252、252Aにより装着位置と取外し位置との間において移動が案内されるハンドリング部材側被案内部86と、取外し位置から装着位置へのハンドリング部材8の移動により、奥側係合部253に係合可能な奥側被係合部87と、を有する。
Abstract translation: 侧壁25包括被配置为突出量增加的半圆形半圆形突起251,以从在从侧壁25的外表面离开的方向上的侧壁25凸出接近取出位置到安装位置,所述操控部件 与图8和导向件252,252A的安装位置和取出位置,形成于一对侧壁25,一个的内侧的后侧卡合部253之间可移动地引导。 处理构件8包括大致板状的处理,其沿着各一对侧壁25的设置部件主体81,被形成为穿透处理部件主体81中的处理部件8,半圆形的厚度方向 突起251和调节孔84接合的圆形,装卸构件侧移动的安装位置和取出位置之间被引导通过卡合与所述引导构件252,252A导向构件252,252A的位置 它有一个导向部分86,通过从取出位置到安装位置的操作构件8的移动,并且与在后侧卡合部253,卡合部87的内侧接合。
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公开(公告)号:JP2016219683A
公开(公告)日:2016-12-22
申请号:JP2015105192
申请日:2015-05-25
Applicant: ソニー株式会社
CPC classification number: H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L23/32 , H01L23/36 , H05K1/11 , H01L2224/16225
Abstract: 【課題】 コア材にガラス基板が用いられた貫通電極付配線基板に対する応力と放熱の問題を同時に解決する。 【解決手段】 本開示の一側面である配線基板は、コア材としてのガラス基板と、前記ガラス基板に周期性を持って配列されている複数の貫通孔とを備え、前記貫通孔には、種類の異なる充填材料が充填されている。本開示の一側面である製造方法は、配線基板の製造方法において、コア材としてのガラス基板に対して周期性を持って配列されている複数の貫通孔を形成する貫通孔形成ステップと、前記貫通孔に充填する充填材料の種類毎に、前記充填材料を充填する貫通孔のみが開口されている保護シートを前記ガラス基板上に形成し、前記保護シートの開口部分から前記充填材料を充填する充填ステップとを含む。本開示は、貫通電極付ガラス基板をコア材とする配線基板に適用できる。 【選択図】 図2
Abstract translation: 阿立求解压力和散热问题为与用于贯通电极的布线基板是在芯材的玻璃基板。 一种布线板,其是本发明的一个方面包括玻璃基板作为芯材,多个通孔被布置为在玻璃基板上的周期性,该通孔, 不同的填充材料填充。 根据本公开的一个方面的制造方法是一种制造布线基板,形成了多个通孔中的通孔形成步骤的方法被布置成周期性的玻璃基板作为芯材,其特征在于,上 用于填充通孔的每个类型的填料材料,该保护片仅填充通孔填充材料被打开,形成在玻璃基板上,从保护片的开口部填充所述填充材料 和填充步骤。 本公开通过在布线基板上的芯材的电极与适用于玻璃基板。 .The
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公开(公告)号:JP5964003B1
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:JP2016525119
申请日:2015-10-29
Applicant: オリンパス株式会社
Abstract: 挿入部先端の細径化を図りながら、高画質の画像を得ることのできる撮像ユニット、撮像モジュールおよび内視鏡システムを提供する。本発明における撮像ユニット10は、撮像素子を有し、f2面に接続電極21が形成された半導体パッケージ20と、f3面およびf4面に接続電極31、33を有し、接続電極31を介して半導体パッケージ20に接続される第1の積層基板30と、第1の積層基板30の積層方向と積層方向が直交するように、第1の積層基板30に接続される第2の積層基板40と、第1の積層基板30の内部に実装される電子部品51と、第2の積層基板40に接続されるケーブル60と、を備え、第1の積層基板30と第2の積層基板40は、第2の積層基板40が第1の積層基板30に接続されてT字状をなし、半導体パッケージ20の光軸方向の投影面内に収まることを特徴とする。
Abstract translation: 同时实现插入部,图像拾取单元,其能够获得高品质的图像的前端的直径,提供一种成像模块和内窥镜系统。 在本发明中的成像单元10具有摄像元件,半导体封装20上的F2侧形成21的连接电极,它具有一个连接电极31和33至F3表面和f4表面,通过连接电极31 第一层压板30连接至半导体封装20,作为层叠方向和所述第一层压板的层叠方向30正交,被连接到所述第一层压板30中的第二多层基板40 ,电子部件51安装在第一层压板30的内部,连接至所述第二多层基板40的电缆60包括第一多层基板30和第二层压板40, 第二层压板40被首次连接到多层基板30形成为T形,并且其中,所述配合在半导体封装20的投影平面的光轴方向。
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公开(公告)号:JP2016039195A
公开(公告)日:2016-03-22
申请号:JP2014160122
申请日:2014-08-06
Applicant: 大日本印刷株式会社
Inventor: 浅野 雅朗
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/14 , H01L23/12 , H01L23/32 , H05K3/40 , H05K1/11 , H05K3/06 , H01L23/15
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/32 , H01L23/522 , H05K1/11 , H05K3/40 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2924/15311
Abstract: 【課題】貫通電極の周縁付近に配置された絶縁部分に境界があることに伴う不具合を解消し、構造的に安定した貫通電極基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】貫通電極基板は、互いに対向する第1面と第2面とを有する基体と、前記基体の前記第1面から前記第2面を貫通する貫通孔に配置された貫通電極と、を有し、前記貫通電極は、前記第1面及び前記第2面において前記基体から露出される第1面側の端面及び第2面側の端面を有し、前記第1面側の端面及び前記第2面側の端面の一方又は双方は、周縁が前記基体で覆われていることを特徴とする。 【選択図】図11
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种通过电极基板,该通孔电极基板在布置在贯通电极的周围的绝缘部分处分辨与边界的存在有关的故障; 并提供通孔电极基板的制造方法。解决方案:通孔电极基板包括:具有彼此相对的第一表面和第二表面的基底基板; 以及布置在从第一表面到第二表面刺穿基底基板的通孔中的贯通电极。 贯通电极具有在第一表面侧上的第一端面和第二表面侧的端面,其分别从基底基板暴露在第一表面和第二表面上,并且其中的一个或两个的周长 第一表面侧的端面和第二表面侧的端面被基底覆盖。选择的图示:图11
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公开(公告)号:JP2015233084A
公开(公告)日:2015-12-24
申请号:JP2014119565
申请日:2014-06-10
Applicant: 株式会社日立製作所
CPC classification number: H01L23/12 , H01L23/32 , H05K1/11 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 【課題】ガラスインターポーザで発生する共振による信号品質の劣化や給電特性の劣化を改善したチップモジュールおよび情報処理機器を提供する。 【解決手段】チップモジュール100Aは、半導体チップ1,2とパッケージ基板3との間にガラスインターポーザ5を有し、ガラスインターポーザ5は、電気抵抗値が約1Ωよりも大きいスルービア7を有する。共振ノイズによってガラスコア30の上下間の電圧が高くなると、スルービア7を介して電流が流れ、電磁的なエネルギーが熱エネルギーに変換される。これにより、共振ノイズが減衰し、信号品質劣化や給電能力の劣化を避けることができる。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种芯片模块和信息处理装置,其改善由于在玻璃插入件中发生的谐振而引起的信号质量和电源特性的劣化。解决方案:芯片模块100A在半导体芯片之间具有玻璃插入件5 1,2和封装基板3,并且玻璃插入件5具有比大约1Ω的电阻大的通孔7。 当玻璃芯30的上侧和下侧之间的电压由于谐振噪声而高时,电流将经由通孔7流动,以将电磁能转换为热能。 因此,谐振噪声将衰减,可以避免信号质量下降和供电能力下降。
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公开(公告)号:JPWO2013038493A1
公开(公告)日:2015-03-23
申请号:JP2012518686
申请日:2011-09-13
Applicant: トヨタ自動車株式会社
CPC classification number: H01L24/72 , H01L23/045 , H01L23/051 , H01L23/10 , H01L23/32 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L24/06 , H01L24/33 , H01L2224/04026 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 簡単な配線により接続が可能な半導体モジュールを提供する。この半導体モジュールの半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する。半導体モジュールは、第1電極と接している第1電極板と、第2電極と接している第2電極板と、第1電極板から絶縁された状態で第1電極板を貫通しており、第2電極板と接続されている第1配線部材を有している。第1電極板、及び、第2電極板に対して半導体装置を加圧する圧力が加わっていることによって、第1電極板、半導体装置、及び、第2電極板が互いに固定されている。
Abstract translation: 简单的金属丝,提供一种能够连接的半导体模块。 的半导体模块的半导体器件包括半导体衬底,形成在半导体衬底,形成在所述表面相对的半导体基板和所述一个表面上的第二电极的一个表面上的第一电极。 的半导体模块包括与所述第一电极,在与所述第二电极接触的第二电极板接触的第一电极板,在从所述第一电极板绝缘的状态贯通第一电极板, 和第一布线构件连接到所述第二电极板。 第一电极板,并且,通过压力被施加到半导体器件加压到第二电极板,所述第一电极板,半导体装置,以及所述第二电极板被固定到彼此。
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