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公开(公告)号：JPWO2014199764A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015522660
申请日：2014-05-14
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L23/4822 , H01L21/4825 , H01L23/057 , H01L23/3735 , H01L23/4952 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/0001 , H01L2924/00012 , H01L2224/83205 , H01L2924/00
摘要： 強固なワイヤボンディングを行うことができて、量産性に優れた小型で低コストの半導体装置及びその製造方法を提供することである。端子(15)の突出部(15e)の裏面(15b)と枠体(7)の内壁(7d)を接着樹脂(8)でしっかり固定することで、端子(15)と半導体チップ(11)とをワイヤ(13)により強固なワイヤボンディングを行うことができ、量産性に優れた低コストの半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
摘要翻译： 和可以使一个强引线接合，它是提供一种低成本的半导体装置及其优良小批量生产的制造方法。 通过牢牢地固定在端子突起部（15）的（15E）的背面（15B）和（7）（7d）中的框架内壁上的粘合性树脂（8），该终端（15）和半导体芯片（11） 电线可以由通过（13）鲁棒引线接合，低成本的半导体装置及其制造方法，在批量生产性优良其可以提供。
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公开(公告)号：JPWO2014041936A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2014535454
申请日：2013-08-12
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L23/4006 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L23/049 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L25/072 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014
摘要： 半導体装置の放熱性が向上する。半導体装置(10)と放熱部材(80)とを締結することで、半導体装置(10)は、放熱部材(80)に対して収納領域(51)の縁部(52)を支点として、放熱部材(80)に対して金属基板(40)から図中下向きの力が作用する。これにより、金属基板(40)と放熱部材(80)との間の熱伝導材(81)がより薄く広がり、金属基板(40)と放熱部材(80)との間の放熱性が向上する。さらに、金属基板(40)の外側に広がった熱伝導材(81)は、金属基板(40)の周囲を埋め、金属基板(40)の周囲の気密性が増加して、気泡の混入等が抑制されて放熱性の低下を防止することができる。このようにして放熱部材(80)が取り付けられた半導体装置(10)は放熱性が向上する。
摘要翻译： 的半导体装置的散热性提高。 由半导体器件（10）与散热构件（80），所述半导体器件（10），该壳体区域（51）的支点边缘（52）相对于紧固到散热构件（80），散热部件 （80）在绘图向下的力被从金属衬底（40）相对于施加。 因此，金属衬底（40）与散热构件（80）（81）之间的热传导性材料被扩频更薄，从而提高了金属衬底（40）与散热构件（80）之间的热辐射。 此外，热传导材料散布在金属基板的外侧（40）（81）填充所述金属衬底（40）的周围，并增加了金属衬底（40），围绕松紧诸如气泡的污染 它能够防止在热辐射的降低被抑制。 这样的半导体器件的热辐射构件（80）被安装在所述（10）提高了散热性。
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公开(公告)号：JP4985116B2
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：JP2007150426
申请日：2007-06-06
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/49 , H01L2224/4911 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： The present invention provides a semiconductor device which has a packaging structure of the improved packaging piece. The substrate packaging piece which is composed of a metal base for heat radiation, an insulation circuit board and a semiconductor chip is assembled with a peripheral resin casing. The L-shaped legs of the external terminals which are arranged on the surrounding wall of the peripheral resin casing are leaded to the inner side of the casing. A joint conducting wire is connected between the leg part and the conductor pattern of the insulation circuit board. In the semiconductor device with the structure, the peripheral resin casing is beforehand punched at the surrounding wall to form a plurality of terminal installing holes, and the necessary external terminals are installed in the terminal installing holes. Hereon, the terminal installing holes are designed and formed with a mode which can be corresponding with the arrangement of all device types and terminals with different standards. When the packaging piece is installed, the terminal installing holes which are selected according to the assigned standard are pressed with external terminals necessary for installation.
摘要翻译： 本发明提供了一种半导体器件，其具有改进的封装件的封装结构。 由用于散热的金属基底，绝缘电路板和半导体芯片组成的基板封装件与外围树脂外壳组装在一起。 设置在周围树脂壳体的周围壁上的外部端子的L字状的引线引导到壳体的内侧。 连接导线连接在绝缘电路板的腿部与导体图案之间。 在具有该结构的半导体器件中，预先在周围的壁上冲压外围树脂外壳以形成多个端子安装孔，并且必要的外部端子安装在端子安装孔中。 这样，端子安装孔的设计和形成可以与所有不同标准的设备类型和端子的布置相对应。 当安装包装件时，按照分配的标准选择的端子安装孔按下安装所需的外部端子。
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公开(公告)号：JP5056325B2
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：JP2007260880
申请日：2007-10-04
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L24/32 , H01L2224/291 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/83385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which eliminates troubles resulting from scattering of solder material or misalignment of a chip when a power semiconductor chip is solder jointed to a DBC substrate. SOLUTION: Insular conductor patterns 23 and 24 are applied as conductors for circuit wiring to at least one major surface of a ceramic substrate 21, and a plurality of dimples 6 for relaxing stress are formed at the edge of the major surface of the conductor patterns 23 and 24 along the boundary portion with the ceramic substrate 21. Solder paste is partially applied to a region on the conductor patterns 23 and 24 where power semiconductor chips 41-43 are arranged and in the dimples 6 formed on the periphery of the region where power semiconductor chips 41-43 are arranged. The power semiconductor chips 41-43 are solder jointed by mounting them on the conductor patterns 23 and 24 and heat treating the solder paste, and the dimples 6 are filled with a solder layer 3. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JPWO2014027418A1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2014530426
申请日：2012-08-17
申请人： 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L21/603 , C23C24/08 , C23C28/02 , H01L21/28
CPC分类号： H01L24/33 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/83 , H01L2224/0346 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05073 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/27332 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/33505 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48229 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00015 , H01L2924/00014 , H01L2224/83205 , H01L2924/00
摘要： 半導体素子のおもて面電極となる導電部(1)の表面には、銅を主成分とする第1の金属膜(2)が成膜されている。第1の金属膜(2)の表面には、銀を主成分とする第2の金属膜(3)が成膜されている。第2の金属膜(3)の表面には、銀粒子を含有する接合層(4)を介して、導電部(1)と他部材(例えば絶縁基板(23)の回路パターン(24))とを電気的に接続する金属板(5)が接合されている。第2の金属膜(3)には、第2の金属膜(3)と銀粒子を含有する接合層(4)との接合強度を低下させるニッケルが含まれていない。これにより、高い接合強度および優れた耐熱性、放熱性を有する電子部品(10)および電子部品(10)の製造方法を提供することができる。
摘要翻译： 上的导电部分的表面成为半导体元件（1），主要的铜（2）沉积由第一金属膜的前表面电极。 在第一金属层（2），主要的银（3）构成的第二金属膜的表面上沉积。 在第二金属层（3）的表面上，通过（4），所述导电部分（1）和其他部件的含银粒子的粘结层（例如，基板的绝缘电路图案（23）（24）） 用于电连接（5）金属板接合到。 所述第二金属层（3），它不含有镍，以减少含有银颗粒的第二金属膜（3）的接合层（4）之间的结合强度。 因此，可以提供一种高的接合强度和优异的耐热性，制造电子元件（10）和具有热辐射（10）的电子部件的制造方法。
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公开(公告)号：JPWO2012121355A1
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：JP2013503618
申请日：2012-03-08
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L24/29 , C23C18/165 , C23C18/1651 , C23C18/1653 , C23C18/36 , C23C18/54 , C23C28/02 , C23C28/022 , C23C28/023 , C25D5/12 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/84 , H01L2224/29 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/371 , H01L2224/40091 , H01L2224/40225 , H01L2224/73263 , H01L2224/83203 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/84203 , H01L2224/84801 , H01L2224/8484 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011
摘要： 半導体ウエハに設けられた導電部(1)の表面にめっき処理を行う前に、めっき前処理を行う。次に、NiP合金めっき処理によって、導電部(1)の表面に第1の金属膜(2)を形成する。次に、置換型Agめっき処理によって、第1の金属膜(2)の表面に第2の金属膜(3)を形成する。次に、半導体ウエハをダイシングして各半導体チップ(20)に切断する。次に、半導体チップ(20)のおもて面に設けられた第2の金属膜(3)の表面に、Ag粒子を含有する導電型組成物を塗布する。次に、加熱によって導電型組成物を焼結してAg粒子を含有する接合層(4)を形成することで、第2の金属膜(3)の表面にAg粒子を含有する接合層(4)を介して金属板(5)を接合する。これにより、高い接合強度および優れた耐熱性、放熱性を有する電子部品および電子部品の製造方法を提供することができる。
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8.发明专利
公开(公告)号：JP5145729B2
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：JP2007045339
申请日：2007-02-26
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H05K3/3452 , B23K1/20 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32188 , H01L2224/32225 , H01L2224/48 , H01L2224/83051 , H01L2224/83194 , H01L2224/83801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/19043 , H05K3/0061 , H05K3/341 , H05K2203/0315 , H05K2203/107 , Y10T29/49126 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号：JP5126073B2
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：JP2009002700
申请日：2009-01-08
申请人： 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP5061717B2
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：JP2007132572
申请日：2007-05-18
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L25/072 , H01L23/3121 , H01L2224/32225 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor module includes a first metal foil; an insulating sheet mounted on a top surface of the first metal foil; at least one second metal foil mounted on a top surface of the insulating sheet; at least one semiconductor device mounted on the second metal foil; and a resin case for surrounding the first metal foil, insulating sheet, second metal foil, and semiconductor device. A bottom end of a peripheral wall of the resin case is located above a bottom surface of the first metal foil. A resin is provided inside the resin case to fill the inside of the resin case. The bottom surface of the first metal foil and the resin form a flat bottom surface so that the flat bottom surface contacts an external mounting member.
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