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公开(公告)号：JPWO2016031462A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016545067
申请日：2015-07-27
申请人： 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/473 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/492 , H01L23/49811 , H01L23/5286 , H01L23/5385 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L29/1608 , H01L2224/11334 , H01L2224/13013 , H01L2224/13014 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/291 , H01L2224/32227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48105 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81801 , H01L2224/81898 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099 , H01L2224/32225 , H01L2924/014
摘要： パワー半導体モジュールは、冷却器と、冷却器上に並べて固定された複数のパワー半導体ユニットと、パワー半導体ユニットを電気的に接続するバスバーユニットとを備えている。パワー半導体ユニットは、回路板、絶縁板及び金属板が順次に積層された積層基板と、回路板に固定された半導体素子と、プリント基板と複数の導電ポストを有する配線部材と、回路板に電気的かつ機械的に接続された外部端子と、絶縁性の封止材とを備えている。バスバーユニットは、各パワー半導体ユニットの外部端子を相互に接続する複数のバスバーを備えている。
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公开(公告)号：JPWO2015141384A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016508616
申请日：2015-02-20
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L23/367 , H01L21/4875 , H01L21/4882 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/49894 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本発明の目的は、冷却器に接合される金属板全体の反りだけでなく、複数枚の絶縁回路基板を接合することによって生じる局部的な反りも低減された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することである。金属板20の片面に複数の絶縁回路基板21が互いに離間してはんだ接合された半導体装置において、金属板20の絶縁回路基板21を配置した面とは反対側の面に、絶縁回路基板21を金属部26の配置に対応する第一領域13を備え、第一領域13の少なくとも一部に表面加工硬化層11を備えている。表面加工硬化層11の圧縮応力によって絶縁回路基板21と金属板20との熱膨張差による局所的な反りを低減する。
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公开(公告)号：JP5104652B2
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：JP2008215269
申请日：2008-08-25
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which prevents solder from scattering out in a soldering process and improves flexibility in design. SOLUTION: Paste solder placed on a heat dissipation base 1 is made into island-shaped solder 3, and a gap is formed between an island and an island as a passage 4, which in turn serves as a path when flux contained in fused solder vaporizes to become gaseous. The passage 4 connecting with the outside is made short in length K and widened in width E1 to easily dissipate the gas of the flux and air bubbles. Consequently, the solder is prevented from scattering. Further, a semiconductor chip can be disposed on the passage 4 to improve the flexibility in design. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
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公开(公告)号：JPWO2014174854A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015513575
申请日：2014-04-25
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L23/473 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L25/07 , H01L25/073 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 保持手段を設けることがなく絶縁基板と冷却体とを熱抵抗を小さくして確実に接合することができる半導体装置を提供する。絶縁板部の一方に複数の配線パターンを形成する配線パターン用銅板部を配置し、他方に放熱用銅板部を配置した絶縁基板(3U),(3L)と、該絶縁基板の前記配線パターン用銅板部に実装された半導体チップ(4U),(4L)と、前記絶縁基板の放熱用銅板部に接触された冷却体(21)と、前記半導体チップと前記配線パターン用銅板部との間に接続された配線用導体板(5U),(5L)とを備え、前記絶縁基板の放熱用銅板部と前記冷却体とを金属焼結材(20)で接合するとともに、前記配線パターン用銅板部及び前記放熱用銅板部の厚みが熱応力を緩和する厚みに設定されている。
摘要翻译： 不设置保持装置的绝缘基板和冷却体，以提供其中可以可靠的半导体器件接合到降低热阻。 形成在绝缘板中的一个的多个布线图案的布线图案的铜部分被设置，设置用于散热的铜部分到另一（3U）的绝缘基片，和（3L）中，在绝缘基板的布线图案 安装在铜板部（4U），和（4L）中，冷却体的接触，以辐射在绝缘基板（21）的铜板部分的半导体芯片，半导体芯片和配线图案的铜板部之间 连接布线导体板（5U）（5L），并且其中所述绝缘基板的热辐射铜板部分和具有由烧结金属材料（20），用于铜板部的布线图案粘结所述冷却体 和散热铜板部分的厚度被设定为厚度放松热应力。
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公开(公告)号：JPWO2015033724A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015535392
申请日：2014-08-05
申请人： 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H05K7/20263 , H01L21/4871 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/488 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H05K7/205 , H05K7/20927 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 絶縁配線基板の下側に接合される放熱基板を従来より薄くしても、絶縁配線基板と放熱基板とを接合するはんだ層に生じる応力集中を緩和し、はんだ層にクラックが発生し難い電力用半導体モジュールを提供する。絶縁配線基板1と、該絶縁配線基板1の一方の主面上に搭載される半導体素子4と、該絶縁配線基板1の他方の主面に接合される放熱基板10aと、該放熱基板10aの他方の主面に一端が固定され他端が自由端の複数のフィン10bと、該複数のフィン10bを収容し該フィン10b間に冷却液を流動させるためのウォータージャケット11とを備える半導体モジュールにおいて、前記複数のフィンの一部の他端が前記ウォータージャケット11に接合されて補強フィンにされている電力用半導体モジュールとする。
摘要翻译： 即使当散热基板被接合到绝缘布线板比常规薄，应力集中在焊料层中出现用于接合散热基板的下侧和所述绝缘配线基板，功率几乎不发生裂纹的钎焊层 提供一种半导体模块。 绝缘配线基板1，4安装在绝缘配线基板1的一个主表面上的半导体元件，以及散热基板10a被接合到绝缘基板1，散热基板10a的另一主表面 包括多个另一端的翅片10b的半导体模块是一个端部固定到另一个主表面的自由端，和用于容纳多个翅片之间翅片10b是10b的流动的冷却流体的水套11 ，并且其中的另一端的一部分，所述多个翅片增强翅片接合到水套11的功率半导体模块。
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公开(公告)号：JP5195314B2
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：JP2008285556
申请日：2008-11-06
申请人： 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L23/36
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JPWO2014181883A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015515915
申请日：2014-05-09
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2201/42 , B23K2203/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
摘要： はんだ接合層は、マトリクスに分散した第1結晶部(21)同士の結晶粒界に微細粒状の複数の第2結晶部(22)が析出した構造を有する。第1結晶部(21)は、錫とアンチモンとを所定の割合で含む複数のSn結晶粒である。第2結晶部(22)は、Sn原子に対してAg原子を所定の割合で含む第1部分、または、Sn原子に対してCu原子を所定の割合で含む第2部分、もしくはその両方で構成される。また、はんだ接合層は、Sn原子に対してSb原子を所定の割合で含む結晶粒である第3結晶部(23)を有しても良い。これにより、低融点でのはんだ接合を可能とし、実質的に均一な金属組織を有し、信頼性の高いはんだ接合層を形成することができる。
摘要翻译： 焊料接合层具有第一晶体部分（21）分散在基体（22）中沉淀结构之间的多个细粒状的第二晶体部分晶界。 第一晶体部分（21）是由多个含有锡和锑中的预定比率的Sn晶粒。 第二晶体部分（22）具有含有以预定比例的Ag原子相对于Sn原子或以规定的比例含有铜原子的第二部分相对于Sn原子的第一部分或由两者的， 是的。 此外，焊料结合层，所述第三可具有结晶部（23）是含有Sb的原子在相对于Sn原子的预定比率的晶粒。 因此，允许在低的熔点的焊料接头，它具有基本上均匀的金属结构，它能够形成可靠的钎焊接合部的层。
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公开(公告)号：JPWO2014175343A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015513808
申请日：2014-04-23
申请人： 富士電機株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05541 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/4851 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/73265 , H01L2224/85 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/2064 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01026 , H01L2924/0104 , H01L2924/01204 , H01L2924/013 , H01L2924/00015 , H01L2924/014
摘要： 半導体素子と回路層とがワイヤ(7)によって電気的に接続されたモジュール構造の半導体装置であって、半導体素子のおもて面電極(12)の表面にはおもて面金属膜(14)が成膜され、このおもて面金属膜(14)にワイヤボンディングによってワイヤ(7)が接合されている。おもて面金属膜(14)の硬度は、おもて面電極(12)やワイヤ(7)の硬度よりも高い。このようにすることで、半導体装置のパワーサイクル耐量を向上させることができる。
摘要翻译： 所述半导体元件和所述电路层是通过导线电连接模块结构的半导体装置（7），所述半导体元件（12）的前表面电极的表面上的前表面的金属膜（14） 上沉积，导线（7）通过引线接合连接到前表面的金属膜（14）。 前表面金属膜（14）的硬度比前表面电极（12）和电线的硬度高（7）。 以这种方式，能够提高半导体装置的功率循环试验。
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公开(公告)号：JP5141371B2
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：JP2008129489
申请日：2008-05-16
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
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