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公开(公告)号：JP6357394B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2014199925
申请日：2014-09-30
申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4846 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0603 , H01L2224/0905 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H02M7/219 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：JP6344197B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2014221328
申请日：2014-10-30
申请人： 富士電機株式会社
发明人： 稲葉 哲也
CPC分类号： H01L23/4924 , H01L23/049 , H01L23/15 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L25/072 , H01L2224/48091 , H01L2924/0002 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：JP2017174869A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016056246
申请日：2016-03-18
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4817 , H01L21/52 , H01L23/04 , H01L23/049 , H01L23/10 , H01L24/48 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L23/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/1715
摘要： 【課題】熱膨張率の差による樹脂ケース内面のコーナー部近傍に集中する応力を緩和し、積層基板と樹脂ケースとの絶縁性を満たす。 【解決手段】半導体装置は、半導体素子1と、前記半導体素子1を搭載した積層基板3と、前記積層基板3を搭載した金属基板4と、を有する積層組立体に樹脂ケース6を組み合せた構成を有する。樹脂ケース6において、コーナー部に切り欠き溝6aが設けられている。切り欠き溝6aの幅および長さの少なくともいずれかは、2mm以上である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6193507B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2016551902
申请日：2015-09-16
申请人： 株式会社三社電機製作所
发明人： 高村 明男
CPC分类号： H01L23/049 , H01L23/04 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/50 , H01L23/562 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L23/041 , H01L23/043 , H01L23/053 , H01L25/0655 , H01L2924/0002
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公开(公告)号：JP6165025B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2013226731
申请日：2013-10-31
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H01L23/544 , H01L23/049 , H01L23/12 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L2223/54426 , H01L2223/54486 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48847 , H01L2224/49052 , H01L2224/49109 , H01L2224/49111 , H01L2224/4912 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/85447 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3701
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公开(公告)号：JPWO2016052183A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016551902
申请日：2015-09-16
申请人： 株式会社三社電機製作所
CPC分类号： H01L23/049 , H01L23/04 , H01L23/041 , H01L23/043 , H01L23/053 , H01L23/08 , H01L23/10 , H01L23/24 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/50 , H01L23/562 , H01L25/0655 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 半田付けの目視が容易であり、且つ、ケースに外部端子が取り付けられた状態で半田リフロー工程が可能な半導体モジュールを提供する。半導体モジュールは、矩形状のベース板と、このベース板上に半導体チップ等を含む回路を形成した基板と、前記ベース板に取り付けられ、前記基板を内部に収納する直方体形状の樹脂製のケースと、上端を前記ケースの上面に露出するようにして下端が前記基板に固定された複数の外部端子と、を備えている。長手方向に沿って前記ケースの前面と背面を上辺から切り抜いた第1のケース開口部と第2のケース開口部とが設けられ、前記第1のケース開口部と第2のケース開口部の間の前記ケース上面に、長手方向に沿って前記複数の外部端子の上端を露出させて保持する外部端子保持部を備えている。前記第1のケース開口部と第2のケース開口部から前記基板上面に封止材が注入されて半導体モジュールが封止される。
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公开(公告)号：JPWO2014041936A1
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2014535454
申请日：2013-08-12
申请人： 富士電機株式会社
CPC分类号： H01L23/4006 , H01L21/4882 , H01L21/56 , H01L23/049 , H01L23/13 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L25/072 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014
摘要： 半導体装置の放熱性が向上する。半導体装置(10)と放熱部材(80)とを締結することで、半導体装置(10)は、放熱部材(80)に対して収納領域(51)の縁部(52)を支点として、放熱部材(80)に対して金属基板(40)から図中下向きの力が作用する。これにより、金属基板(40)と放熱部材(80)との間の熱伝導材(81)がより薄く広がり、金属基板(40)と放熱部材(80)との間の放熱性が向上する。さらに、金属基板(40)の外側に広がった熱伝導材(81)は、金属基板(40)の周囲を埋め、金属基板(40)の周囲の気密性が増加して、気泡の混入等が抑制されて放熱性の低下を防止することができる。このようにして放熱部材(80)が取り付けられた半導体装置(10)は放熱性が向上する。
摘要翻译： 的半导体装置的散热性提高。 由半导体器件（10）与散热构件（80），所述半导体器件（10），该壳体区域（51）的支点边缘（52）相对于紧固到散热构件（80），散热部件 （80）在绘图向下的力被从金属衬底（40）相对于施加。 因此，金属衬底（40）与散热构件（80）（81）之间的热传导性材料被扩频更薄，从而提高了金属衬底（40）与散热构件（80）之间的热辐射。 此外，热传导材料散布在金属基板的外侧（40）（81）填充所述金属衬底（40）的周围，并增加了金属衬底（40），围绕松紧诸如气泡的污染 它能够防止在热辐射的降低被抑制。 这样的半导体器件的热辐射构件（80）被安装在所述（10）提高了散热性。
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公开(公告)号：JP2016518030A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2016510966
申请日：2014-01-30
申请人： アーベーベー・テクノロジー・アーゲー
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/00 , H01L23/06 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/20 , H01L23/24 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/053 , H01L23/049 , H01L23/10 , H01L23/20 , H01L23/24 , H01L23/26 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/315 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/46 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/16251 , H01L2924/167 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本発明はパワー半導体装置のモジュール配列に関する。モジュール配列は1つ以上のパワー半導体モジュール(38)を含み、1つ以上のパワー半導体モジュール(38)は、第1面(42)と第1面(42)の反対側に位置する第2面(44)とを有する基板(40)を含み、基板(40)は少なくとも部分的に絶縁性であり、基板(40)の第1面(42)に導電構造が配置され、少なくとも1つのパワー半導体装置が導電構造上に配置されかつ導電構造に電気的に接続され、1つ以上のモジュール(38)は少なくとも1つのパワー半導体装置を収容するための内側の容積(56)を含み、内側の容積はモジュール囲い(58)によって周囲から気密封止され、モジュール配列(36)は1つ以上のモジュール(38)を収容するための容積(62)を少なくとも部分的に定める配列囲い(60)を含み、配列囲い(60)は容積(62)を覆う。このような配列によって安全性を改善するとともに信頼性を改善することができる。
摘要翻译： 本发明涉及到模块的功率半导体装置的布置。 该模块装置包括一个或多个功率半导体模块（38），一个或多个功率半导体模块（38），第一表面（42）和所述第一表面相对的第二表面（42） 包括具有衬底（40）（44）和所述衬底（40）至少部分地绝缘，所述衬底的所述第一表面（42）上传导结构（40）被布置，至少一个功率半导体 装置被设置在所述导电结构和电连接到导电结构包含一个或多个模块（38）具有用于容纳所述功率半导体器件（56），所述内体积的至少一个内部容积 气密地从环境中通过一个模件外壳（58），模块装置（36）包括一个或多个模块（38）至少部分地限定的序列外壳体积（62），用于容纳密封的（60） SEQ外壳（60）覆盖所述体积（62）。 这样的序列可提高可靠性以及提高的安全性。
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公开(公告)号：JPWO2014002807A1
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014522547
申请日：2013-06-17
申请人： 株式会社村田製作所
IPC分类号： H01L23/04
CPC分类号： H01L23/049 , G01J1/0271 , G01J5/02 , G01J5/045 , H01L21/4803 , H01L23/04 , H01L25/165 , H01L2924/0002 , Y10T29/49945 , H01L2924/00
摘要： キャンケース(30)はステムの支持台部に嵌め込まれる前の状態で、少なくとも開口部は楕円形である。ステムの支持台部は円形である。支持台部の外径はキャンケース(30)の開口部(30A)の長径MAAより小さく、短径MIAより大きい。そして、キャンケース(30)の弾性変形により、キャンケースの開口部(30A)がステムの支持台部に嵌め込まれる。すなわち、開口部(30A)の長径はステムの支持台部の外径に対して余裕があり、この余裕分の隙間が縮みしろとして作用する。開口部(30A)の短径はステムの支持台部の外径より小さいので、この短径部で支持台部が挟持される。
摘要翻译： 罐壳体（30）处于这样的状态被装配到所述杆的支撑部分，至少所述开口是椭圆形的前。 杆的支承部是圆形的。 支撑部分的外径小于所述罐壳体（30）（30A）的开口的直径更小的MAA，它比次要MIA更大。 然后，通过在罐壳体（30）的弹性变形时，罐壳（30A）的开口被装配到所述杆的支撑部分。 即，开口的长轴（30A）具有一个余量，以杆的支承部，其作为在该余量的间隙是收缩白色的外径。 由于开口（30A）的短直径比杆的支承部的外径小，在短轴部的支撑部被夹。
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公开(公告)号：JP2016092062A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014221328
申请日：2014-10-30
申请人： 富士電機株式会社
发明人： 稲葉 哲也
CPC分类号： H01L23/4924 , H01L23/15 , H01L23/3735 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/5385 , H01L23/5386 , H01L2224/48091 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L25/072 , H01L2924/0002 , H01L2924/19107
摘要： 【課題】配線インダクタンスが低減された半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置10は、おもて面にゲート電極とソース電極を備える半導体素子2と、絶縁板3aと、絶縁板3aの主面に設けられ、ゲート電極と電気的に接続された第1回路板3b1と、主面に設けられ、第1回路板3b1を取り囲み、ソース電極と電気的に接続された第2回路板3b2とを備える絶縁基板3と、第1回路板3b1に電気的かつ機械的に接続された柱体状の第1端子5と、第1端子5が隙間を空けて挿通される貫通孔6aを備えた筒形状の胴体部6bと、胴体部6bの端部に配置され、第2回路板3b2に電気的かつ機械的に接続された支持部6cと、を備える第2端子6と、を有している。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供具有降低的布线电感的半导体器件。解决方案：半导体器件10包括：在表面上具有栅电极和源电极的半导体元件2; 绝缘基板3，其包括绝缘板3a，设置在绝缘板3a的主表面上并与栅极电连接的第一电路板3b1和设置在主表面上的第二电路板3b2， 第一电路板3b1并与源电极电连接; 电气和机械连接到第一电路板3b1的棱柱形第一端子5; 以及第二端子6，其包括方形管状主体部分6b，该方形管状部分6b包括通孔6a，第一端子5插入在第一端子和通孔之间的空间中;以及支撑部分6c，其布置在 主体部分6b并且电气和机械地连接到第二电路板3b2。选择图：图1
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