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公开(公告)号：TWI596679B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW099118682
申请日：2010-06-09
申请人： 星科金朋有限公司 , STATS CHIPPAC LTD.
发明人： 李成敏 , LEE, SEONGMIN , 宋性旻 , SONG, SUNGMIN , 河宗佑 , HA, JONG-WOO
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L21/56 , H01L23/3128 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号：TW201724424A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126768
申请日：2016-08-22
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 郭貿 , GUO, MAO , 魯頓 泰勒C , LEUTEN, TYLER CHARLES , 賴 名迪 , LAI, MIN-TIH TED
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/481 , H01L23/13 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/29034 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2924/1436 , H01L2924/15156 , H05K3/46 , H01L2924/00014
摘要： 本文揭示用於致能多晶片覆晶封裝之基體、總成及技術。例如，在一些實施例中，封裝基體可包括第一側面；第二側面，其中該第二側面沿軸線與該第一側面相對；絕緣材料部分，其自該第一側面延伸至該第二側面；其中該絕緣材料部分之垂直於該軸線截取的橫截面具有階梯輪廓。焊墊可設置在該絕緣材料部分之基底表面及梯級表面處。一或多個晶粒可耦合至該封裝基體(例如，以形成多晶片覆晶封裝)，且在一些實施例中，額外IC封裝可耦合至該封裝基體。在一些實施例中，該封裝基體可為倒易對稱的或近似倒易對稱的。
简体摘要： 本文揭示用于致能多芯片覆晶封装之基体、总成及技术。例如，在一些实施例中，封装基体可包括第一侧面；第二侧面，其中该第二侧面沿轴线与该第一侧面相对；绝缘材料部分，其自该第一侧面延伸至该第二侧面；其中该绝缘材料部分之垂直于该轴线截取的横截面具有阶梯轮廓。焊垫可设置在该绝缘材料部分之基底表面及梯级表面处。一或多个晶粒可耦合至该封装基体(例如，以形成多芯片覆晶封装)，且在一些实施例中，额外IC封装可耦合至该封装基体。在一些实施例中，该封装基体可为倒易对称的或近似倒易对称的。
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公开(公告)号：TWI585950B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104106716
申请日：2015-03-03
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 小內俊之 , KOUCHI, TOSHIYUKI , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/00 , G11C5/025 , G11C5/063 , G11C16/0483 , G11C16/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2225/06506 , H01L2225/06541 , H01L2924/1438
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公开(公告)号：TW201719832A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105121579
申请日：2016-07-07
申请人： 英特爾IP公司 , INTEL IP CORPORATION
发明人： 裴頓 理查 , PATTEN, RICHARD
IPC分类号： H01L23/48 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/49811 , H01L23/49822 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81207 , H01L2224/81815 , H01L2224/8385 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01322 , H01L2924/01029
摘要： 一種微電子封裝體可包含堆疊之微電子晶粒，其中一第一微電子晶粒係附接至一微電子基材，以及一第二微電子晶粒係堆疊在該第一微電子晶粒之至少一部份之上，其中該微電子基材包含自該微電子基材延伸之多數支柱，其中該第二微電子晶粒包含多數支柱而該等支柱以一與該等多數微電子基材支柱呈鏡像配置之方式自該第二微電子晶粒延伸，以及其中該等第二微電子晶粒支柱係以一附接材料附接至該等微電子基材支柱。
简体摘要： 一种微电子封装体可包含堆栈之微电子晶粒，其中一第一微电子晶粒系附接至一微电子基材，以及一第二微电子晶粒系堆栈在该第一微电子晶粒之至少一部份之上，其中该微电子基材包含自该微电子基材延伸之多数支柱，其中该第二微电子晶粒包含多数支柱而该等支柱以一与该等多数微电子基材支柱呈镜像配置之方式自该第二微电子晶粒延伸，以及其中该等第二微电子晶粒支柱系以一附接材料附接至该等微电子基材支柱。
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公开(公告)号：TWI581397B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102116547
申请日：2013-05-09
发明人： 戴林格 麥克 , DAYRINGER, MICHAEL H. S. , 奈道頓 尼樂斯 , NETTLETON, NYLES I. , 小賀普金斯 羅伯特 , HOPKINS, II, ROBERT DAVID
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2224/73253 , H01L2224/81123 , H01L2224/81129 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2225/06579 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI567864B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW100102451
申请日：2011-01-24
申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人： 潘斯 拉簡德拉D , PENDSE, RAJENDRA D.
IPC分类号： H01L21/70 , H05K3/00 , H01L27/118
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/0901 , H01L2224/1134 , H01L2224/13019 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/17104 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81136 , H01L2224/81204 , H01L2224/8121 , H01L2224/81211 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H05K1/111 , H05K3/3452 , H05K2201/09427 , H05K2201/09727 , H05K2201/0989 , H05K2201/10674 , Y02P70/611 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号：TWI548056B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104121886
申请日：2015-07-06
申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： 維哈卡 沙彌爾S , VADHAVKAR, SAMEER S. , 李曉 , LI, XIAO , 甘德席 傑斯皮德S , GANDHI, JASPREET S.
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/36
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/10 , H01L23/3107 , H01L23/3677 , H01L23/4275 , H01L23/473 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17519 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/92125 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1627 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI534915B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101133048
申请日：2004-11-10
申请人： 恰巴克有限公司 , CHIPPAC, INC.
发明人： 潘迪司 雷佐拉D , PENDSE, RAJENDRA D
CPC分类号： H01L23/49811 , H01L21/563 , H01L21/76885 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/13111 , H01L2224/1607 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/75301 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201614789A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW105101199
申请日：2011-01-24
申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人： 潘斯 拉簡德拉D , PENDSE, RAJENDRA D.
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/52 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L21/768 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L23/50 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/09133 , H01L2224/09135 , H01L2224/11 , H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13016 , H01L2224/13018 , H01L2224/13019 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16237 , H01L2224/17133 , H01L2224/27013 , H01L2224/274 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48157 , H01L2224/48158 , H01L2224/4816 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/812 , H01L2224/81385 , H01L2224/81801 , H01L2224/94 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 一種半導體裝置係具有一含有一晶粒墊佈局的半導體晶粒。在該晶粒墊佈局中的信號墊主要係位在靠近該半導體晶粒的一周邊處，並且電源墊及接地墊主要係位在該些信號墊的內側。該些信號墊係以大致平行於該半導體晶粒的一邊緣之一周邊列或一周邊陣列來加以配置。凸塊係被形成在該些信號墊、電源墊以及接地墊之上。該些凸塊可具有一可熔的部份以及不可熔的部份。具有互連位置的導電線路係被形成在一基板之上。該些凸塊係比該些互連位置寬。該些凸塊係連結到該些互連位置，使得該些凸塊覆蓋該些互連位置的一頂表面及多個側表面。一封裝材料係沉積在該半導體晶粒及基板之間的該些凸塊的周圍。
简体摘要： 一种半导体设备系具有一含有一晶粒垫布局的半导体晶粒。在该晶粒垫布局中的信号垫主要系位在靠近该半导体晶粒的一周边处，并且电源垫及接地垫主要系位在该些信号垫的内侧。该些信号垫系以大致平行于该半导体晶粒的一边缘之一周边列或一周边数组来加以配置。凸块系被形成在该些信号垫、电源垫以及接地垫之上。该些凸块可具有一可熔的部份以及不可熔的部份。具有互连位置的导电线路系被形成在一基板之上。该些凸块系比该些互连位置宽。该些凸块系链接到该些互连位置，使得该些凸块覆盖该些互连位置的一顶表面及多个侧表面。一封装材料系沉积在该半导体晶粒及基板之间的该些凸块的周围。
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公开(公告)号：TW201613075A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104106716
申请日：2015-03-03
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 小內俊之 , KOUCHI, TOSHIYUKI , 小柳勝 , KOYANAGI, MASARU
IPC分类号： H01L27/115 , G11C16/02
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/00 , G11C5/025 , G11C5/063 , G11C16/0483 , G11C16/06 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/16145 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2225/06506 , H01L2225/06541 , H01L2924/1438
摘要： 根據本發明之一實施形態，設置有M(M為2以上之整數)個半導體晶片、與N(N為2以上之整數)通道量之貫通電極。將M個半導體晶片依序積層，貫通電極被埋入於上述半導體晶片而將上述半導體晶片於積層方向電性連接，上述貫通電極之連接目標於上述半導體晶片之1個或複數個上下層間更替。
简体摘要： 根据本发明之一实施形态，设置有M(M为2以上之整数)个半导体芯片、与N(N为2以上之整数)信道量之贯通电极。将M个半导体芯片依序积层，贯通电极被埋入于上述半导体芯片而将上述半导体芯片于积层方向电性连接，上述贯通电极之连接目标于上述半导体芯片之1个或复数个上下层间更替。
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