用於散熱的封裝結構的製造方法
    25.
    发明专利
    用於散熱的封裝結構的製造方法 审中-公开
    用于散热的封装结构的制造方法

    公开(公告)号:TW201822311A

    公开(公告)日:2018-06-16

    申请号:TW106138857

    申请日:2017-11-10

    Abstract: 提供一種封裝結構及其製造方法,其中提供用於散熱的散熱特徵。散熱特徵包括形成在晶粒堆疊中的導電通孔、熱晶片及熱金屬主體,所述形成在晶粒堆疊中的導電通孔、所述熱晶片及所述熱金屬主體可結合到晶圓級裝置。包括晶片至晶片、晶片至晶圓,及晶圓至晶圓的混合結合在不必穿越例如共晶材料等結合材料的情況下提供導熱性。對封裝結構進行等離子體切割可提供用於與熱介面材料進行界接的平滑側壁輪廓。

    Abstract in simplified Chinese: 提供一种封装结构及其制造方法,其中提供用于散热的散热特征。散热特征包括形成在晶粒堆栈中的导电通孔、热芯片及热金属主体,所述形成在晶粒堆栈中的导电通孔、所述热芯片及所述热金属主体可结合到晶圆级设备。包括芯片至芯片、芯片至晶圆,及晶圆至晶圆的混合结合在不必穿越例如共晶材料等结合材料的情况下提供导热性。对封装结构进行等离子体切割可提供用于与热界面材料进行界接的平滑侧壁轮廓。

    三維積體電路結構
    28.
    发明专利
    三維積體電路結構 审中-公开
    三维集成电路结构

    公开(公告)号:TW201709458A

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:TW104138463

    申请日:2015-11-20

    Abstract: 本揭露提供多種三維積體電路(3DIC)結構。一種3DIC結構包括第一晶片、第二晶片以及至少一個基底穿孔(TSV)。第一晶片通過第一晶片的第一接合墊以及第二晶片的第二接合墊而電性連接至第二晶片。基底穿孔從第一晶片的第一背側延伸至第一晶片的金屬化構件。至少一個導電孔電性連接於基底穿孔與第一接合墊之間,且至少一個細長狹縫或封閉空間位於至少一個導電孔內。

    Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供多种三维集成电路(3DIC)结构。一种3DIC结构包括第一芯片、第二芯片以及至少一个基底穿孔(TSV)。第一芯片通过第一芯片的第一接合垫以及第二芯片的第二接合垫而电性连接至第二芯片。基底穿孔从第一芯片的第一背侧延伸至第一芯片的金属化构件。至少一个导电孔电性连接于基底穿孔与第一接合垫之间,且至少一个细长狭缝或封闭空间位于至少一个导电孔内。

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