公开(公告)号：TW201404025A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102118822

申请日：2013-05-28

申请人： 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

发明人： 金澤孝光 ,  KANAZAWA, TAKAMITSU ,  秋山悟 ,  AKIYAMA, SATORU

IPC分类号： H02M3/22

CPC分类号： H01L27/0883 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L27/098 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H02P27/06 ,  H03K3/012 ,  H03K17/102 ,  H03K17/107 ,  H03K17/567 ,  H03K2017/6875 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 具有級聯連接之常開型JFET與常關型MOSFET之半導體裝置有因錯誤啟動等而被破壞之虞。本發明之半導體裝置具有常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET。常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET級聯連接，構成開關電路。根據1個輸入信號，對常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET以具有皆成為關閉狀態之期間的方式予以控制。

简体摘要： 具有级联连接之常开型JFET与常关型MOSFET之半导体设备有因错误启动等而被破坏之虞。本发明之半导体设备具有常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET。常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET级联连接，构成开关电路。根据1个输入信号，对常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET以具有皆成为关闭状态之期间的方式予以控制。

公开(公告)号：TWI401800B

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：TW098144973

申请日：2009-12-25

申请人： 萬國半導體有限公司 ,  ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.

发明人： 赫爾伯特 弗蘭茨娃 ,  HEBERT, FRANCOIS

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/7835 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/781 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201324744A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101137135

申请日：2012-10-08

申请人： 夏普股份有限公司 ,  SHARP KABUSHIKI KAISHA

发明人： 谷口清美 ,  TANIGUCHI, KIYOMI ,  植田順 ,  UEDA, JUN ,  小野敦 ,  ONO, ATSUSHI

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L27/0883 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L29/2003 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本發明之半導體裝置係串疊連接常開型之第1開關主動元件與常關型之第2開關主動元件。以使藉此形成之電流路徑所形成之半導體裝置之俯視下之迴路面積為最小之方式，進行第1及第2開關主動元件之配置或連接。

简体摘要： 本发明之半导体设备系串叠连接常开型之第1开关主动组件与常关型之第2开关主动组件。以使借此形成之电流路径所形成之半导体设备之俯视下之回路面积为最小之方式，进行第1及第2开关主动组件之配置或连接。

公开(公告)号：TW201244054A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101101408

申请日：2012-01-13

申请人： 茂力科技股份有限公司

发明人： 蔣航

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49572 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明公開了一種堆疊式晶片封裝結構。該堆疊式晶片封裝結構包括:引線框架,包括多個引腳;第一晶片,具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面,其中第一晶片包括多個位於第一表面上的焊料凸塊,且第一晶片通過該多個焊料凸塊電耦接至引線框架;以及第二晶片,具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面,其中第二晶片通過多條鍵合線電耦接至引線框架,且第二晶片的第二表面附著於第一晶片的第一表面。根據本發明的堆疊式晶片封裝結構,可以減小晶片的封裝尺寸,降低晶片能耗。

简体摘要： 本发明公开了一种堆栈式芯片封装结构。该堆栈式芯片封装结构包括:引线框架,包括多个引脚;第一芯片,具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,其中第一芯片包括多个位于第一表面上的焊料凸块,且第一芯片通过该多个焊料凸块电耦接至引线框架;以及第二芯片,具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,其中第二芯片通过多条键合线电耦接至引线框架,且第二芯片的第二表面附着于第一芯片的第一表面。根据本发明的堆栈式芯片封装结构,可以减小芯片的封装尺寸,降低芯片能耗。

公开(公告)号：TW201230308A

公开(公告)日：2012-07-16

申请号：TW100125820

申请日：2011-07-21

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 山德斯 保羅W ,  柏格 維尼R ,  道 水B ,  奇伊斯 喬爾E ,  彼特拉斯 麥可F ,  普萊爾 羅伯特A ,  任紹偉

IPC分类号： H01L ,  H03F

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L28/10 ,  H01L28/40 ,  H01L29/7816 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/30107 ,  H03F3/195 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 單石積體電路(IC)之被動組件當於微波頻率操作時相關聯之低Q可藉針對IC使用高電阻係數(例如大於或等於100歐姆-厘米)半導體基體及較低電阻電感器而予避免或減輕。如此消除來自覆在基體上方的平面電感器及互連體的顯著基體內電磁耦合損耗。該(等)主動電晶體係形成於基體內靠近前表面。平面電容器也係形成於該基體之前表面上方。電晶體、電容器及電感器之多個終端係使用貫穿基體通孔而耦接至基體後表面上之一底平面來減少寄生電阻。藉將平面電感器及重載電流導體配置於IC之外表面上,於該處其係製作成實質上較厚且具有較低電阻,平面電感器及重載電流導體相關聯之寄生電阻係經最小化。結果可獲得先前無法達成的單石微波積體電路。

简体摘要： 单石集成电路(IC)之被动组件当于微波频率操作时相关联之低Q可藉针对IC使用高电阻系数(例如大于或等于100欧姆-厘米)半导体基体及较低电阻电感器而予避免或减轻。如此消除来自覆在基体上方的平面电感器及互连体的显着基体内电磁耦合损耗。该(等)主动晶体管系形成于基体内靠近前表面。平面电容器也系形成于该基体之前表面上方。晶体管、电容器及电感器之多个终端系使用贯穿基体通孔而耦接至基体后表面上之一底平面来减少寄生电阻。藉将平面电感器及重载电流导体配置于IC之外表面上,于该处其系制作成实质上较厚且具有较低电阻,平面电感器及重载电流导体相关联之寄生电阻系经最小化。结果可获得先前无法达成的单石微波集成电路。

公开(公告)号：TWI348742B

公开(公告)日：2011-09-11

申请号：TW096131363

申请日：2007-08-24

申请人： 三洋電機股份有限公司 ,  三洋半導體股份有限公司 ,  三洋半導體製造股份有限公司

发明人： 吉田哲哉 ,  小林充幸

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/564 ,  H01L24/13 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 在分立半導體之晶片中，已知有將電流路徑上之第1電極及第2電極設於半導體基板之第1主面側而可以進行覆晶安裝者。但是，因電流於基板內亦朝水平方向流動，故存有電阻成份增加的問題。本發明係將連接至元件區域的第1電極及第2電極設置於第1主面側，且於第2主面側設置具有耐腐蝕性、耐氧化性的低電阻之厚膜金屬層。藉此，減低流通於基板水平方向之電流的電阻成分。此外，藉由適當地選擇厚膜金屬層之厚度，可以抑制成本的增加而減低裝置之電阻值。另外，藉由於厚膜金屬層採用金(Au)，可以防止因時間經過所致的厚膜金屬層之變色等不良。

简体摘要： 在分立半导体之芯片中，已知有将电流路径上之第1电极及第2电极设于半导体基板之第1主面侧而可以进行覆晶安装者。但是，因电流于基板内亦朝水平方向流动，故存有电阻成份增加的问题。本发明系将连接至组件区域的第1电极及第2电极设置于第1主面侧，且于第2主面侧设置具有耐腐蚀性、耐氧化性的低电阻之厚膜金属层。借此，减低流通于基板水平方向之电流的电阻成分。此外，借由适当地选择厚膜金属层之厚度，可以抑制成本的增加而减低设备之电阻值。另外，借由于厚膜金属层采用金(Au)，可以防止因时间经过所致的厚膜金属层之变色等不良。

公开(公告)号：TW201110351A

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：TW099128679

申请日：2010-08-26

申请人： 萬國半導體股份有限公司

发明人： 雷燮光 ,  叭剌 安荷

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明涉及一種混合封裝的柵極可控的半導體開關裝置(HPSD),具有一個互聯的由第一半導體晶片製成的絕緣柵極電晶體(IGT),以及一個由第二半導體晶片製成的整流柵極電晶體(RGT)。RGT柵極和源極分別電連接到IGT源極和漏極上。HPSD含有一個具有多個封裝端,用於將HPSD與其外部裝置互聯的封裝基座。IGT晶片焊接在封裝基座上方。第二半導體晶片形成在混合半導體外延層上方,混合半導體外延層覆蓋在電絕緣襯底(EIS)上方,從而構成一個RGT晶片。RGT晶片通過EIS,堆積並焊接在IGT晶片上方。IGT、RGT晶片以及封裝端通過接合引線互聯。因此,HPSD是IGT晶片和RGT晶片的堆積式封裝,減少了封裝引腳,同時允許在IGT上靈活地放置裝置的端電極。

简体摘要： 本发明涉及一种混合封装的栅极可控的半导体开关设备(HPSD),具有一个互联的由第一半导体芯片制成的绝缘栅极晶体管(IGT),以及一个由第二半导体芯片制成的整流栅极晶体管(RGT)。RGT栅极和源极分别电连接到IGT源极和漏极上。HPSD含有一个具有多个封装端,用于将HPSD与其外部设备互联的封装基座。IGT芯片焊接在封装基座上方。第二半导体芯片形成在混合半导体外延层上方,混合半导体外延层覆盖在电绝缘衬底(EIS)上方,从而构成一个RGT芯片。RGT芯片通过EIS,堆积并焊接在IGT芯片上方。IGT、RGT芯片以及封装端通过接合引线互联。因此,HPSD是IGT芯片和RGT芯片的堆积式封装,减少了封装引脚,同时允许在IGT上灵活地放置设备的端电极。

公开(公告)号：TWI304234B

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：TW095107222

申请日：2006-03-03

申请人： 國際整流器公司 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION

发明人： 史坦汀 馬汀 STANDING, MARTIN ,  帕維 馬克 PAVIER, MARK ,  克拉克 羅伯特J. CLARKE, ROBERT J. ,  薩威理 安德列 SAWLE, ANDREW ,  麥克卡特尼 肯尼斯 MCCARTNEY, KENNETH

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/4825 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/544 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/40 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K1/0266 ,  H05K3/1241 ,  H05K3/245 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099

摘要： 一種半導體封裝體製造方法,其中一按需滴出沉積材料之按需滴出沉積被用以備製一半導體封裝體或多晶片模組之一零件或複數個零件。

简体摘要： 一种半导体封装体制造方法,其中一按需滴出沉积材料之按需滴出沉积被用以备制一半导体封装体或多芯片模块之一零件或复数个零件。

公开(公告)号：TWI301880B

公开(公告)日：2008-10-11

申请号：TW093109497

申请日：2004-04-06

申请人： 費爾契德半導體公司 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 聶倫諾 羅沙堤 ROSSETTI, NAZZERENO

IPC分类号： F25B ,  H05K

CPC分类号： H01L23/38 ,  F25B21/00 ,  F25B2321/003 ,  H01L23/34 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/1461 ,  Y02B30/66 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： 本發明提供了具有一熱離子冷卻系統之一電力電路。
該系統包含一穩壓器、以及用來冷卻該穩壓器之一熱整流
裝置。該熱整流裝置包含一集熱器、以及在該穩壓器與該
集熱器之間形成的一熱障。一輔助電壓產生器可使該穩壓
器的電子穿隧通過該熱障而到達該集熱器。該穩壓器可包
含一共用基板、以及用來產生一穩定電壓的若干功率電晶
體。在某些實施例中,該控制器控制該等功率電晶體、該
輔助電壓產生器、及一風扇,而將一溫度保持在一預先選
擇的範圍內。在某些實施例中,係將一負載與該熱離子冷
卻系統整合在一起,因而該熱整流裝置可冷卻該負載本身
。

简体摘要： 本发明提供了具有一热离子冷却系统之一电力电路。 该系统包含一稳压器、以及用来冷却该稳压器之一热整流 设备。该热整流设备包含一集热器、以及在该稳压器与该 集热器之间形成的一热障。一辅助电压产生器可使该稳压 器的电子穿隧通过该热障而到达该集热器。该稳压器可包 含一共享基板、以及用来产生一稳定电压的若干功率电晶 体。在某些实施例中,该控制器控制该等功率晶体管、该 辅助电压产生器、及一风扇,而将一温度保持在一预先选 择的范围内。在某些实施例中,系将一负载与该热离子冷 却系统集成在一起,因而该热整流设备可冷却该负载本身 。

公开(公告)号：TW344892B

公开(公告)日：1998-11-11

申请号：TW086109016

申请日：1997-06-27

申请人： 飛思卡爾半導體公司

发明人： 韋恩A 可洛尼 ,  布萊恩L 史可如那 ,  科比F 柯茲 ,  約翰M 派西二世

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/4827 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01062 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一種用於半導體裝置(23)之高溫金屬化系統。該半導體裝置(23)有一多層金屬化系統(36)。該金屬化系統(36)的一膠著層(37)形成於半導體基體(20)之上。包含鎳合金之障壁層(38)形成於黏著層(37)之上。一保護層(39)形成於障壁層(38)之上。該障壁層(38)防止在高溫製程中焊接物質向半導體基體(20)擴散。

简体摘要： 一种用于半导体设备(23)之高温金属化系统。该半导体设备(23)有一多层金属化系统(36)。该金属化系统(36)的一胶着层(37)形成于半导体基体(20)之上。包含镍合金之障壁层(38)形成于黏着层(37)之上。一保护层(39)形成于障壁层(38)之上。该障壁层(38)防止在高温制程中焊接物质向半导体基体(20)扩散。