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公开(公告)号:TWI470764B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:TW101125197
申请日:2012-07-12
申请人: 泰斯拉公司 , TESSERA, INC.
发明人: 柯斯伯 理查 狄威特 , CRISP, RICHARD DEWITT , 哈巴 貝勒卡塞姆 , HABA, BELGACEM , 柔伊 華爾 , ZOHNI, WAEL
CPC分类号: H01L23/48 , G11C5/06 , H01L23/3128 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/50 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/29193 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48011 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/73203 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/14335 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/1443 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/157 , H01L2924/15786 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/18161 , H01L2924/18165 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
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公开(公告)号:TWI470763B
公开(公告)日:2015-01-21
申请号:TW097121849
申请日:2008-06-12
申请人: 史班遜有限公司 , SPANSION LLC
发明人: 馮雪莉 , FOONG, SALLY , 林坦奇 , LING, TAN KIAH , 柯長新 , KEE, CHENG SIM , 葛達瑪瑞亞 西沙怡 , GADDAMRAJA, SESHASAYEE , 馮優荷 , FOONG, YUE HO
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
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公开(公告)号:TW201503317A
公开(公告)日:2015-01-16
申请号:TW103106262
申请日:2014-02-25
申请人: PS4盧克斯科公司 , PS4 LUXCO S. A. R. L.
发明人: 森下哲至 , MORISHITA, SATOSHI , 松井義徳 , MATSUI, YOSHINORI
CPC分类号: G11C5/04 , G11C5/025 , G11C7/10 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/386 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 將與層積型的半導體晶片和配線基板的銲接線連接效率化。 半導體裝置(100),具備:排列著複數個基板電極(116)的配線基板(108);和層積在配線基板(108)之上,在與複數個基板電極列(116)相對向的第1邊排列著複數個墊片(118)的第1半導體晶片(102);和層積在第1半導體晶片(102)之上,在與複數個基板電極列(116)相對向的第2邊排列著複數個墊片(118)的第2半導體晶片(104)。在此,在第1半導體晶片(102)及第2半導體晶片(106)之中的一方的墊片群(118)中,排列在中央部的一部分的墊片群(118)是與複數個基板電極(116)連接,在另一方的墊片群(118)中,排列在兩端部的一部分的墊片群(118)是與複數個基板電極(116)連接。
简体摘要: 将与层积型的半导体芯片和配线基板的焊接线连接效率化。 半导体设备(100),具备:排列着复数个基板电极(116)的配线基板(108);和层积在配线基板(108)之上,在与复数个基板电极列(116)相对向的第1边排列着复数个垫片(118)的第1半导体芯片(102);和层积在第1半导体芯片(102)之上,在与复数个基板电极列(116)相对向的第2边排列着复数个垫片(118)的第2半导体芯片(104)。在此,在第1半导体芯片(102)及第2半导体芯片(106)之中的一方的垫片群(118)中,排列在中央部的一部分的垫片群(118)是与复数个基板电极(116)连接,在另一方的垫片群(118)中,排列在两端部的一部分的垫片群(118)是与复数个基板电极(116)连接。
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公开(公告)号:TWI467730B
公开(公告)日:2015-01-01
申请号:TW101105353
申请日:2012-02-17
申请人: 蘋果公司 , APPLE INC.
发明人: 賽洛夫 尼可拉斯 , SEROFF, NICHOLAS
CPC分类号: H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
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公开(公告)号:TW201500387A
公开(公告)日:2015-01-01
申请号:TW103114949
申请日:2014-04-25
申请人: 普羅梅勒斯有限公司 , PROMERUS LLC
发明人: 納普 布萊恩 , KNAPP, BRIAN , 伯恩斯 雪洛 , BURNS, CHERYL , 艾爾斯 愛德蒙 , ELCE, EDMUND , 瀨戶圭太郎 , SETO, KEITARO , 堀井誠 , HORII, MAKOTO , 杉山廣道 , SUGIYAMA, HIROMICHI , 藤田一義 , FUJITA, KAZUYOSHI
IPC分类号: C08F32/08 , C08K5/29 , C08K5/01 , C08K5/3462 , C08K5/12 , G03F7/038 , G03F7/016 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/0757 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0226 , G03F7/0233 , G03F7/0751 , G03F7/20 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本發明係關於含有聚降冰片烯(PNB)聚合物及某些添加劑的感光組成物,其適用於形成微電子及/或光電子裝置及其總成,且更特定言之,係關於涵蓋PNB及某些具有熱氧化鏈降解抗性之作為添加劑之受阻酚的組成物。
简体摘要: 本发明系关于含有聚降冰片烯(PNB)聚合物及某些添加剂的感光组成物,其适用于形成微电子及/或光电子设备及其总成,且更特定言之,系关于涵盖PNB及某些具有热氧化链降解抗性之作为添加剂之受阻酚的组成物。
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公开(公告)号:TWI466196B
公开(公告)日:2014-12-21
申请号:TW100130957
申请日:2011-08-29
申请人: 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人: 種泰雄 , TANE, YASUO , 片村幸雄 , KATAMURA, YUKIO , 芳村淳 , YOSHIMURA, ATSUSHI , 岩見文宏 , IWAMI, FUMIHIRO
IPC分类号: H01L21/50 , H01L21/304
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/27312 , H01L2224/27848 , H01L2224/27901 , H01L2224/29016 , H01L2224/29017 , H01L2224/29018 , H01L2224/32014 , H01L2224/32057 , H01L2224/32059 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/33183 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2224/93 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/06593 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
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公开(公告)号:TW201448151A
公开(公告)日:2014-12-16
申请号:TW103103350
申请日:2014-01-29
申请人: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
发明人: 丹柏格 菲立普 , DAMBERG, PHILIP , 趙之忠 , ZHAO, ZHIJUN , 查 艾里斯 , CHAU, ELLIS , 阿拉托勒 羅西安 , ALATORRE, ROSEANN
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45624 , H01L2224/45655 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06558 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2225/1058 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45664 , H01L2924/00014
摘要: 本文中揭示微電子構件以及形成微電子構件的方法。該些微電子構件可以包含具有延伸自一基板12的一焊接表面30處的焊線32之形式的複數個導電通孔,例如,焊接表面30為該基板12的一表面處的導電元件的表面。
简体摘要: 本文中揭示微电子构件以及形成微电子构件的方法。该些微电子构件可以包含具有延伸自一基板12的一焊接表面30处的焊线32之形式的复数个导电通孔,例如,焊接表面30为该基板12的一表面处的导电组件的表面。
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公开(公告)号:TW201443940A
公开(公告)日:2014-11-16
申请号:TW103103804
申请日:2014-02-05
申请人: 高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人: 多伊爾詹姆斯湯瑪士 , DOYLE, JAMES THOMAS , 瑪姆狄法爾席德 , MAHMOUDI, FARSHEED , 亞朗尼亞米拉里夏昂 , ARANI, AMIRALI SHAYAN
IPC分类号: H01F38/14
CPC分类号: H01L23/49822 , H01F17/0006 , H01L23/645 , H01L25/105 , H01L28/10 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15313 , H01L2924/15331 , H01L2924/19106 , Y10T29/4902 , H01L2924/00
摘要: 一些創新性特徵係關於電感器結構,該電感器結構包括第一電感器繞組、第二電感器繞組和填充物。第一電感器繞組包括導電材料。第二電感器繞組包括導電材料。填充物橫向位於第一電感器繞組與第二電感器繞組之間。填充物配置成提供第一電感器繞組和第二電感器繞組的結構耦合。在一些實現中,第一電感器繞組與第二電感器繞組橫向共面。在一些實現中,第一電感器繞組具有第一螺旋形狀,並且第二電感器繞組具有第二螺旋形狀。在一些實現中,第一電感器繞組和第二電感器繞組具有拉長的圓形形狀。在一些實現中,該填充物是環氧樹脂。
简体摘要: 一些创新性特征系关于电感器结构,该电感器结构包括第一电感器绕组、第二电感器绕组和填充物。第一电感器绕组包括导电材料。第二电感器绕组包括导电材料。填充物横向位于第一电感器绕组与第二电感器绕组之间。填充物配置成提供第一电感器绕组和第二电感器绕组的结构耦合。在一些实现中,第一电感器绕组与第二电感器绕组横向共面。在一些实现中,第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且第二电感器绕组具有第二螺旋形状。在一些实现中,第一电感器绕组和第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。在一些实现中,该填充物是环氧树脂。
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公开(公告)号:TWI458057B
公开(公告)日:2014-10-21
申请号:TW098112219
申请日:2009-04-13
发明人: 岡田三香子 , OKADA, MIKAKO , 石川智和 , ISHIKAWA, TOSHIKAZU
CPC分类号: H01L23/50 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/28 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/056 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/75 , H01L2224/75251 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/83101 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83855 , H01L2224/85051 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92125 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1517 , H01L2924/15183 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/85186 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/13111 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/4554
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公开(公告)号:TW201438080A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:TW102129170
申请日:2013-08-14
申请人: 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人: 芳村淳 , YOSHIMURA, ATSUSHI , 松島良二 , MATSUSHIMA, RYOJI
IPC分类号: H01L21/304 , H01L21/58
CPC分类号: H01L24/73 , H01L2224/27009 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2224/27 , H01L2924/00
摘要: 本發明提供一種於半導體元件與基材、或半導體元件間之連接時,不會使接著性劣化之薄型且可靠性較高之半導體裝置。該半導體裝置之製造方法之特徵在於包括以下步驟:將半導體元件1SA依序接著於經加熱之平台上之基材或下段之半導體元件10之特定位置上之晶粒接合步驟;將形成於上述半導體元件10之開口部上之端子、與形成於上述基材上之端子13藉由接合線而連接之步驟;及將上述半導體元件10與接合線加以密封之步驟;上述晶粒接合步驟係於上述基材或下段之半導體元件10之特定位置上,使用半硬化接著劑、半硬化膜、或具有B階段之液狀接著劑12進行接著之步驟。
简体摘要: 本发明提供一种于半导体组件与基材、或半导体组件间之连接时,不会使接着性劣化之薄型且可靠性较高之半导体设备。该半导体设备之制造方法之特征在于包括以下步骤:将半导体组件1SA依序接着于经加热之平台上之基材或下段之半导体组件10之特定位置上之晶粒接合步骤;将形成于上述半导体组件10之开口部上之端子、与形成于上述基材上之端子13借由接合线而连接之步骤;及将上述半导体组件10与接合线加以密封之步骤;上述晶粒接合步骤系于上述基材或下段之半导体组件10之特定位置上,使用半硬化接着剂、半硬化膜、或具有B阶段之液状接着剂12进行接着之步骤。
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