半導體裝置及其製造方法
    50.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201438080A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:TW102129170

    申请日:2013-08-14

    IPC分类号: H01L21/304 H01L21/58

    摘要: 本發明提供一種於半導體元件與基材、或半導體元件間之連接時,不會使接著性劣化之薄型且可靠性較高之半導體裝置。該半導體裝置之製造方法之特徵在於包括以下步驟:將半導體元件1SA依序接著於經加熱之平台上之基材或下段之半導體元件10之特定位置上之晶粒接合步驟;將形成於上述半導體元件10之開口部上之端子、與形成於上述基材上之端子13藉由接合線而連接之步驟;及將上述半導體元件10與接合線加以密封之步驟;上述晶粒接合步驟係於上述基材或下段之半導體元件10之特定位置上,使用半硬化接著劑、半硬化膜、或具有B階段之液狀接著劑12進行接著之步驟。

    简体摘要: 本发明提供一种于半导体组件与基材、或半导体组件间之连接时,不会使接着性劣化之薄型且可靠性较高之半导体设备。该半导体设备之制造方法之特征在于包括以下步骤:将半导体组件1SA依序接着于经加热之平台上之基材或下段之半导体组件10之特定位置上之晶粒接合步骤;将形成于上述半导体组件10之开口部上之端子、与形成于上述基材上之端子13借由接合线而连接之步骤;及将上述半导体组件10与接合线加以密封之步骤;上述晶粒接合步骤系于上述基材或下段之半导体组件10之特定位置上,使用半硬化接着剂、半硬化膜、或具有B阶段之液状接着剂12进行接着之步骤。