公开(公告)号：TW201701472A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW104138903

申请日：2015-11-24

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 李暐凡 ,  LEE, WEI FAN ,  劉致爲 ,  LIU, CHEE WEE ,  王錦焜 ,  WANG, CHIN KUN ,  范彧達 ,  FAN, YUH TA ,  黃智雄 ,  HUANG, CHIH HSIUNG ,  林子堯 ,  LIN, TZU YAO

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

摘要： 本揭露提供一種半導體結構及其形成方法。上述半導體結構包括基板及介面層形成在該基板上。上述半導體結構還包括閘極結構形成在該介面層上。此外，以金屬鍺氧化物、金屬矽氧化物或金屬鍺矽氧化物形成該介面層，且該介面層與該基板的一頂表面直接接觸。

简体摘要： 本揭露提供一种半导体结构及其形成方法。上述半导体结构包括基板及界面层形成在该基板上。上述半导体结构还包括闸极结构形成在该界面层上。此外，以金属锗氧化物、金属硅氧化物或金属锗硅氧化物形成该界面层，且该界面层与该基板的一顶表面直接接触。

公开(公告)号：TW201700764A

公开(公告)日：2017-01-01

申请号：TW105118684

申请日：2016-06-15

申请人： ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

发明人： 湯福 ,  TANG, FU ,  吉文斯 麥克尤金 ,  GIVENS, MICHAEL EUGENE ,  伍德魯夫 雅各赫夫曼 ,  WOODRUFF, JACOB HUFFMAN ,  謝琦 ,  XIE, QI ,  梅斯 強威廉 ,  MAES, JAN WILLEM

IPC分类号： C23C16/22 ,  C23C16/54 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76829 ,  C23C16/02 ,  C23C16/045 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/285 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： 在一些態樣中，提供形成金屬硫族化物薄膜之方法。根據一些方法，金屬硫族化物薄膜以循環沉積製程在反應空間中的基材上沉積，其中至少一個循環包括使該基材與第一氣相金屬反應物及第二氣相硫族反應物交替地且依次地接觸。在一些態樣中，提供在基材表面上形成三維結構之方法。在一些實施例中，該方法包括在基材與導電層之間形成金屬硫族化物介電層。在一些實施例中，該方法包括形成包括金屬硫族化物介電層之MIS型接觸結構。

简体摘要： 在一些态样中，提供形成金属硫族化物薄膜之方法。根据一些方法，金属硫族化物薄膜以循环沉积制程在反应空间中的基材上沉积，其中至少一个循环包括使该基材与第一气相金属反应物及第二气相硫族反应物交替地且依次地接触。在一些态样中，提供在基材表面上形成三维结构之方法。在一些实施例中，该方法包括在基材与导电层之间形成金属硫族化物介电层。在一些实施例中，该方法包括形成包括金属硫族化物介电层之MIS型接触结构。

公开(公告)号：TW201635538A

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW104128923

申请日：2015-09-02

申请人： 東芝股份有限公司 ,  KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA

发明人： 河野洋志 ,  KONO, HIROSHI

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802

摘要： 本發明之實施形態提供一種可提高突崩耐量之半導體裝置。 實施形態之半導體裝置具備晶胞區域、閘極焊墊區域、及晶胞端區域。晶胞區域具有：SiC基板；n型第一SiC區域；p型第二SiC區域；n型第三SiC區域；p型第四SiC區域，其設置於第二SiC區域內，且p型雜質濃度高於第二SiC區域；閘極絕緣膜；閘極電極；第一電極，其藉由第一接觸部而與第一SiC區域及第四SiC區域相接；及第二電極。閘極焊墊區域具有：場絕緣膜；及p型第五SiC區域，其設置於第三SiC區域與場絕緣膜之間，且p型雜質之峰濃度大於等於1×1018cm-3。晶胞端區域具有：p型第六SiC區域，其與第五SiC區域連接；p型第七SiC區域，其p型雜質濃度高於第六SiC區域；及第一電極，其藉由第二接觸部而與第七SiC區域相接。藉由第二接觸部而與第一電極相接之面之整個面為p型SiC區域。

简体摘要： 本发明之实施形态提供一种可提高突崩耐量之半导体设备。 实施形态之半导体设备具备晶胞区域、闸极焊垫区域、及晶胞端区域。晶胞区域具有：SiC基板；n型第一SiC区域；p型第二SiC区域；n型第三SiC区域；p型第四SiC区域，其设置于第二SiC区域内，且p型杂质浓度高于第二SiC区域；闸极绝缘膜；闸极电极；第一电极，其借由第一接触部而与第一SiC区域及第四SiC区域相接；及第二电极。闸极焊垫区域具有：场绝缘膜；及p型第五SiC区域，其设置于第三SiC区域与场绝缘膜之间，且p型杂质之峰浓度大于等于1×1018cm-3。晶胞端区域具有：p型第六SiC区域，其与第五SiC区域连接；p型第七SiC区域，其p型杂质浓度高于第六SiC区域；及第一电极，其借由第二接触部而与第七SiC区域相接。借由第二接触部而与第一电极相接之面之整个面为p型SiC区域。

公开(公告)号：TWI544608B

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW099136939

申请日：2010-10-28

申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  宮永昭治 ,  MIYANAGA, AKIHARU ,  高橋正弘 ,  TAKAHASHI, MASAHIRO ,  岸田英幸 ,  KISHIDA, HIDEYUKI ,  坂田淳一郎 ,  SAKATA, JUNICHIRO

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：TW201624715A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104127162

申请日：2015-08-20

申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION

发明人： 羅伊斯 瑞菲爾 ,  RIOS, RAFAEL ,  坎恩 克萊恩 ,  KUHN, KELIN J. ,  金世淵 ,  KIM, SEIYON ,  韋伯 賈斯汀 ,  WEBER, JUSTIN R.

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66439 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/122 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L49/00

摘要： 本發明的實施例包括金屬氧化物金屬場效電晶體(MOMFET)和製作此種裝置的方法。於實施例中，MOMFET裝置包括源極和汲極，而具有配置在源極和汲極之間的通道。根據實施例，通道具有在通道中產生量子侷限效應的至少一侷限維度。於實施例中，MOMFET裝置也包括閘極電極，其藉由閘極介電質而與通道分開。根據實施例，通道的能帶間隙能量可以藉由改變通道的尺寸、用於通道的材料和/或施加於通道的表面終端而調變。實施例也包括藉由控制源極和汲極相對於通道之傳導帶和共價帶能量的功函數而形成N型裝置和P型裝置。

简体摘要： 本发明的实施例包括金属氧化物金属场效应管(MOMFET)和制作此种设备的方法。于实施例中，MOMFET设备包括源极和汲极，而具有配置在源极和汲极之间的信道。根据实施例，信道具有在信道中产生量子局限效应的至少一局限维度。于实施例中，MOMFET设备也包括闸极电极，其借由闸极介电质而与信道分开。根据实施例，信道的能带间隙能量可以借由改变信道的尺寸、用于信道的材料和/或施加于信道的表面终端而调制。实施例也包括借由控制源极和汲极相对于信道之传导带和共价带能量的功函数而形成N型设备和P型设备。

公开(公告)号：TW201624700A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104130856

申请日：2015-09-18

申请人： 三星電子股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： 刘 斌 ,  LIU, BIN ,  金成玟 ,  KIM, SUNG-MIN ,  前田茂伸 ,  MAEDA, SHIGENOBU

IPC分类号： H01L29/165 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/167 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： 本發明提供半導體元件，其中包含作用層、閘極結構、間隔物以及源極/汲極層。所述作用層在基板上且包含鍺。所述作用層包含具有第一鍺濃度的第一區域及在所述第一區域的兩側上的第二區域。所述第二區域具有自所述第二區域的鄰近於所述第一區域的第一部分朝向所述第二區域的遠離所述第一區域的第二部分變高的頂表面，且具有小於所述第一鍺濃度的第二鍺濃度。所述閘極結構形成於所述作用層的所述第一區域上。所述間隔物形成於所述作用層的所述第二區域上，並接觸所述閘極結構的側壁。所述源極/汲極層鄰近於所述作用層的所述第二區域。

简体摘要： 本发明提供半导体组件，其中包含作用层、闸极结构、间隔物以及源极/汲极层。所述作用层在基板上且包含锗。所述作用层包含具有第一锗浓度的第一区域及在所述第一区域的两侧上的第二区域。所述第二区域具有自所述第二区域的邻近于所述第一区域的第一部分朝向所述第二区域的远离所述第一区域的第二部分变高的顶表面，且具有小于所述第一锗浓度的第二锗浓度。所述闸极结构形成于所述作用层的所述第一区域上。所述间隔物形成于所述作用层的所述第二区域上，并接触所述闸极结构的侧壁。所述源极/汲极层邻近于所述作用层的所述第二区域。

公开(公告)号：TWI538202B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW101103746

申请日：2012-02-06

申请人： 富士通股份有限公司 ,  FUJITSU LIMITED

发明人： 中村哲一 ,  NAKAMURA, NORIKAZU ,  尾崎史朗 ,  OZAKI, SHIROU ,  武田正行 ,  TAKEDA, MASAYUKI ,  渡部慶二 ,  WATANABE, KEIJI

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI531043B

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：TW103104218

申请日：2014-02-10

申请人： 格羅方德半導體私人有限公司 ,  GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.

发明人： 卓榮發 ,  TOH, ENG HUAT ,  陳學深 ,  TAN, SHYUE SENG ,  郭克文 ,  QUEK, ELGIN

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/42364 ,  G11C17/16 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/42388 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201614840A

公开(公告)日：2016-04-16

申请号：TW103134233

申请日：2014-10-01

申请人： 聯華電子股份有限公司 ,  UNITED MICROELECTRONICS CORP.

发明人： 童宇誠 ,  TUNG, YU CHENG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823821 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

摘要： 一種半導體元件，包括：基材、半導體鰭片、第一隔離結構以及第一虛擬結構。半導體鰭片具有第一子鰭片和第二子鰭片，凸設於基材的表面。第一隔離結構位於半導體鰭片中，並電性隔離第一子鰭片和第二子鰭片。第一虛擬結構位於第一隔離結構上，且沿著半導體鰭片的長軸方向延伸跨過第一隔離結構，並至少與一部分的第一子鰭片和一部分的第二子鰭片重疊。

简体摘要： 一种半导体组件，包括：基材、半导体鳍片、第一隔离结构以及第一虚拟结构。半导体鳍片具有第一子鳍片和第二子鳍片，凸设于基材的表面。第一隔离结构位于半导体鳍片中，并电性隔离第一子鳍片和第二子鳍片。第一虚拟结构位于第一隔离结构上，且沿着半导体鳍片的长轴方向延伸跨过第一隔离结构，并至少与一部分的第一子鳍片和一部分的第二子鳍片重叠。

公开(公告)号：TWI528551B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW103144712

申请日：2014-12-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 張哲誠 ,  CHANG, CHE CHENG ,  陳臆仁 ,  CHEN, YI JEN ,  張永融 ,  CHANG, YUNG JUNG

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848