公开(公告)号：TW201009937A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098129014

申请日：2009-08-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 李啟弘 ,  陳柏年 ,  費中豪 ,  陳建良 ,  楊文誌 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/0629

Abstract: 本發明提供一種半導體元件與其製作方法。製作方法包括以下步驟：提供一具有一第一區域與一第二區域之半導體基材；形成一高介電常數層位於該半導體基材之上；形成一蓋層位於該高介電常數層之上；形成一金屬層位於該蓋層之上；移除位於該第二區域之金屬層與蓋層；形成一多晶矽層位於該第一區域之金屬層之上，且位於該第二區域之高介電常數層之上；以及於該第一區域中形成一含有該金屬層之主動元件，且於該第二區域中形成不含有該金屬層之被動元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件与其制作方法。制作方法包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域之半导体基材；形成一高介电常数层位于该半导体基材之上；形成一盖层位于该高介电常数层之上；形成一金属层位于该盖层之上；移除位于该第二区域之金属层与盖层；形成一多晶硅层位于该第一区域之金属层之上，且位于该第二区域之高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层之主动组件，且于该第二区域中形成不含有该金属层之被动组件。

公开(公告)号：TW201241936A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW101113900

申请日：2007-04-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  梁孟松 ,  鄭光茗 ,  高榮輝 ,  鄭鈞隆 ,  鍾昇鎮 ,  郭文輝

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7843

Abstract: 一種半導體結構,包括:一基底包括一第一區域和一第二區域;一第一MOS元件位於第一區域中;一被動元件位於第二區域中,其中第一MOS元件和被動元件包括第一導電型態摻雜物,第一MOS元件之第一導電型態摻雜物的第一濃度較被動元件件之第一導電型態摻雜物的第二濃度高。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构,包括:一基底包括一第一区域和一第二区域;一第一MOS组件位于第一区域中;一被动组件位于第二区域中,其中第一MOS组件和被动组件包括第一导电型态掺杂物,第一MOS组件之第一导电型态掺杂物的第一浓度较被动组件件之第一导电型态掺杂物的第二浓度高。

公开(公告)号：TW201133649A

公开(公告)日：2011-10-01

申请号：TW100101389

申请日：2011-01-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  張立偉 ,  朱鳴

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/66659 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明係提供一種橫向擴散金氧半電晶體之製造方法包含：形成虛置閘極於基材上；形成源極及汲極於基材上之虛置閘極兩側；形成第一矽化物於源極上；形成第二矽化物於汲極上，以使源極或汲極至少其一之未矽化區與虛置閘極相鄰，汲極之未矽化區提供一阻抗區，能足以負載高電壓橫向擴散金氧半導體應用所需之電壓；對虛置閘極進行閘極替換製程以形成閘極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种横向扩散金氧半晶体管之制造方法包含：形成虚置闸极于基材上；形成源极及汲极于基材上之虚置闸极两侧；形成第一硅化物于源极上；形成第二硅化物于汲极上，以使源极或汲极至少其一之未硅化区与虚置闸极相邻，汲极之未硅化区提供一阻抗区，能足以负载高电压横向扩散金属氧化物半导体应用所需之电压；对虚置闸极进行闸极替换制程以形成闸极。

公开(公告)号：TW201021196A

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：TW098122523

申请日：2009-07-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  鄭光茗 ,  葉炅翰 ,  梁孟松 ,  李後儒 ,  吳明園 ,  李宗吉

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635

Abstract: 本發明係提供一種半導體元件及其製造方法，包括半導體基底具有第一區和第二區，電晶體形成於第一區內且具有金屬閘極，隔絕結構形成第二區內，至少一接合元件鄰近第二區的隔絕結構設置，以及阻擋結形成於第二區的隔絕結構之上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种半导体组件及其制造方法，包括半导体基底具有第一区和第二区，晶体管形成于第一区内且具有金属闸极，隔绝结构形成第二区内，至少一接合组件邻近第二区的隔绝结构设置，以及阻挡结形成于第二区的隔绝结构之上。

公开(公告)号：TW201019418A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098134597

申请日：2009-10-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴素貞 ,  鄭光茗 ,  莊學理 ,  沈俊良

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628

Abstract: 本發明提供製造半導體裝置的方法。上述製造半導體裝置的方法包括提供一半導體基底，其具有一第一區域和一第二區域，形成一高介電常數介電層於該半導體基底之上，形成一矽層該高介電常數介電層之上，形成一硬遮罩層於該矽層之上，圖案化該硬遮罩層、該矽層、該高介電常數介電層以形成一第一閘極結構於該第一區域上和一第二閘極結構於該第二區域上，形成一接觸蝕刻終止層於該第一和該第二閘極結構之上，修飾該接觸蝕刻終止層的一輪廓，形成一層間介電層於修飾後的該接觸蝕刻終止層之上，實施一化學機械研磨以分別地露出該第一和第二閘極結構的該矽層，以及分別地自該第一和第二閘極結構移除該矽層，並將其取代以金屬閘極結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供制造半导体设备的方法。上述制造半导体设备的方法包括提供一半导体基底，其具有一第一区域和一第二区域，形成一高介电常数介电层于该半导体基底之上，形成一硅层该高介电常数介电层之上，形成一硬遮罩层于该硅层之上，图案化该硬遮罩层、该硅层、该高介电常数介电层以形成一第一闸极结构于该第一区域上和一第二闸极结构于该第二区域上，形成一接触蚀刻终止层于该第一和该第二闸极结构之上，修饰该接触蚀刻终止层的一轮廓，形成一层间介电层于修饰后的该接触蚀刻终止层之上，实施一化学机械研磨以分别地露出该第一和第二闸极结构的该硅层，以及分别地自该第一和第二闸极结构移除该硅层，并将其取代以金属闸极结构。

公开(公告)号：TW201015691A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：TW098131488

申请日：2009-09-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 沈俊良 ,  吳明園 ,  葉炅翰 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/823828 ,  H01L23/585 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種半導體元件與其製法。半導體元件包括：一具有一第一區域與一第二區域之半導體基材，其中第一區域與第二區域彼此隔離；複數個電晶體形成於第一區域中；一對準標記形成於該第二區域中，其中對準標記於一第一方向具有複數個主動區域；以及一虛設閘極結構形成於該對準標記之上，其中虛設閘極結構於第二方向具有複數條線，且該第二方向與該第一方向不同。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件与其制法。半导体组件包括：一具有一第一区域与一第二区域之半导体基材，其中第一区域与第二区域彼此隔离；复数个晶体管形成于第一区域中；一对准标记形成于该第二区域中，其中对准标记于一第一方向具有复数个主动区域；以及一虚设闸极结构形成于该对准标记之上，其中虚设闸极结构于第二方向具有复数条线，且该第二方向与该第一方向不同。

公开(公告)号：TW201015668A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：TW098129694

申请日：2009-09-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 一種半導體元件的製造方法，包括提供基底，依序形成高介電常數層及半導體層，移除部份半導體層，其在第一區及第二區分別具第一及第二厚度，形成硬遮罩層，將硬遮罩層、半導體層、及高介電常數層圖案化以於第一區及第二區分別形成第一閘極結構及第二閘極結構，於基底上形成層間介電層，進行研磨，大抵停止在第一閘極結構之半導體層，自第一閘極結構移除半導體層而形成第一溝槽，第二閘極結構之硬遮罩層保護其下之半導體層，以第一金屬層填充第一溝槽，自第二閘極結構移除硬遮罩層及半導體層而形成第二溝槽，以及以第二金屬層填充第二溝槽。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的制造方法，包括提供基底，依序形成高介电常数层及半导体层，移除部份半导体层，其在第一区及第二区分别具第一及第二厚度，形成硬遮罩层，将硬遮罩层、半导体层、及高介电常数层图案化以于第一区及第二区分别形成第一闸极结构及第二闸极结构，于基底上形成层间介电层，进行研磨，大抵停止在第一闸极结构之半导体层，自第一闸极结构移除半导体层而形成第一沟槽，第二闸极结构之硬遮罩层保护其下之半导体层，以第一金属层填充第一沟槽，自第二闸极结构移除硬遮罩层及半导体层而形成第二沟槽，以及以第二金属层填充第二沟槽。

公开(公告)号：TW201015625A

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：TW098133799

申请日：2009-10-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

Abstract: 本發明提供一種製造半導體裝置的方法，包括：提供一半導體基底；於該基底中形成一電晶體，該電晶體具有一閘極結構，其包括一虛置閘極結構；於該基底及該電晶體上形成一層間介電質；於該層間介電質上進行一第一化學機械研磨，以露出該虛置閘極結構的一頂表面；移除該層間介電質的一部分，使該層間介電質的一頂表面位於該虛置閘極結構的該頂表面下方一距離；於該層間介電質及該虛置閘極結構上形成一材料層；於該材料層上進行一第二化學機械研磨，以露出該虛置閘極結構的該頂表面；移除該虛置閘極結構，藉此形成一溝槽；形成一金屬層以填充該溝槽；以及進行一第三化學機械研磨，其實質上停止於該層間介電質的該頂表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种制造半导体设备的方法，包括：提供一半导体基底；于该基底中形成一晶体管，该晶体管具有一闸极结构，其包括一虚置闸极结构；于该基底及该晶体管上形成一层间介电质；于该层间介电质上进行一第一化学机械研磨，以露出该虚置闸极结构的一顶表面；移除该层间介电质的一部分，使该层间介电质的一顶表面位于该虚置闸极结构的该顶表面下方一距离；于该层间介电质及该虚置闸极结构上形成一材料层；于该材料层上进行一第二化学机械研磨，以露出该虚置闸极结构的该顶表面；移除该虚置闸极结构，借此形成一沟槽；形成一金属层以填充该沟槽；以及进行一第三化学机械研磨，其实质上停止于该层间介电质的该顶表面。

公开(公告)号：TW201010052A

公开(公告)日：2010-03-01

申请号：TW098127817

申请日：2009-08-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴素貞 ,  吳明園 ,  鄭光茗 ,  莊學理 ,  葉炅翰 ,  張宏迪 ,  郭正誠 ,  吳建宏 ,  李宗吉

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823437 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/08

Abstract: 一種半導體裝置，包括：一半導體基底，具有一第一部分與一第二部分；多數個電晶體，形成於該基底的該第一部分中，每個該電晶體具有一閘極結構，該閘極結構具有一高介電常數介電及一金屬閘極；一裝置，形成於該基底的第二部分中，該裝置藉由一隔離區域隔離；以及一研磨停止物，形成於鄰接該隔離區域，且具有一表面其實質上水平於該第一區域中的該電晶體的該閘極結構的一表面。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：一半导体基底，具有一第一部分与一第二部分；多数个晶体管，形成于该基底的该第一部分中，每个该晶体管具有一闸极结构，该闸极结构具有一高介电常数介电及一金属闸极；一设备，形成于该基底的第二部分中，该设备借由一隔离区域隔离；以及一研磨停止物，形成于邻接该隔离区域，且具有一表面其实质上水平于该第一区域中的该晶体管的该闸极结构的一表面。

公开(公告)号：TWI315550B

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：TW095102190

申请日：2006-01-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  鄭光茗 ,  郭正誠 ,  楊穩儒 ,  林晃生 ,  韓郁琪

IPC: H01L ,  G03F

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  Y10S438/926

Abstract: 一種半導體元件的結構，包括：一基底；一隔離區，形成於基底；一主動區，形成於基底且鄰近隔離區，主動區具有一縱長；以及一輔助圖案，形成於隔離區上，輔助圖案具有一縱長，其中輔助區之縱長大於主動區之縱長，主動區是具有一對長邊及短邊之一矩形，矩形之長邊與主動區之間隔距離約小於1500nm，且與主動區之縱長大致平行。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体组件的结构，包括：一基底；一隔离区，形成于基底；一主动区，形成于基底且邻近隔离区，主动区具有一纵长；以及一辅助图案，形成于隔离区上，辅助图案具有一纵长，其中辅助区之纵长大于主动区之纵长，主动区是具有一对长边及短边之一矩形，矩形之长边与主动区之间隔距离约小于1500nm，且与主动区之纵长大致平行。