公开(公告)号：US08580042B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US12734983

申请日：2007-12-10

申请人： Voha Nuch ,  David Wang ,  Yue Ma ,  Fufa Chen ,  Jian Wang ,  Yunwen Huang ,  Liangzhi Xie ,  Chuan He

发明人： Voha Nuch ,  David Wang ,  Yue Ma ,  Fufa Chen ,  Jian Wang ,  Yunwen Huang ,  Liangzhi Xie ,  Chuan He

IPC分类号： B08B3/00 ,  B08B7/00

CPC分类号： H01L21/67051

摘要： An apparatus for cleaning and conditioning the surface of a semiconductor substrate such as wafer includes a rotatable chuck, a chamber, a rotatable tray for collecting cleaning solution with one or more drain outlets, multiple receptors for collecting multiple cleaning solutions, a first motor to drive chuck, and a second motor to drive the tray. The drain outlet in the tray can be positioned directly above its designated receptor located under the drain outlet. The cleaning solution collected by the tray can be guided into designated receptor. One characteristic of the apparatus is having a robust and precisely controlled cleaning solution recycle with minimum cross contamination.

摘要翻译： 用于清洁和调理诸如晶片的半导体衬底的表面的设备包括可转动卡盘，腔室，用于收集具有一个或多个排出口的清洁溶液的可旋转托盘，用于收集多个清洁溶液的多个受体，用于驱动的​​第一马达 卡盘和第二马达驱动托盘。 托盘中的排水出口可以位于排水出口下方的指定接收器的正上方。 由托盘收集的清洁溶液可以被引导到指定的受体中。 该设备的一个特征是具有坚固且精确控制的清洁溶液循环，具有最小的交叉污染。

公开(公告)号：US20110079247A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：US12736178

申请日：2008-03-17

申请人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Guangtao Shi ,  Voha Nuch ,  Hui Wang

发明人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Guangtao Shi ,  Voha Nuch ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/00

CPC分类号： H01L21/6715 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67253

摘要： The invention discloses a low-cost apparatus for chemical solution preparation with controlled process parameters such as chemical age, temperature, yield of active ingredients at the point of use. In addition, this apparatus provides chamber-to-chamber consistency on these parameters across multiple processing chambers on a single wafer wet-clean system. The invention also discloses a method to use chemical solution mixture resident time to achieve optimal combined effect of temperature, reactivity and yield of active ingredients of chemical solution mixture for best wafer treatment results.

摘要翻译： 本发明公开了一种用于化学溶液制备的低成本装置，其具有受控的工艺参数，例如化学年龄，温度，使用时活性成分的产率。 此外，该装置在单个晶片湿清洁系统上的多个处理室上提供这些参数的腔室与室之间的一致性。 本发明还公开了一种使用化学溶液混合物驻留时间来实现化学溶液混合物的活性成分的温度，反应性和产率的最佳组合效果的方法，以获得最佳的晶片处理结果。

公开(公告)号：US08518224B2

公开(公告)日：2013-08-27

申请号：US12734438

申请日：2007-11-02

申请人： Yue Ma ,  Xi Wang ,  Yunwen Huang ,  Zhenxu Pang ,  Voha Nuch ,  David Wang

发明人： Yue Ma ,  Xi Wang ,  Yunwen Huang ,  Zhenxu Pang ,  Voha Nuch ,  David Wang

IPC分类号： C25D17/00 ,  C25D17/02 ,  C25D21/04 ,  C25D7/12

CPC分类号： C25D17/00 ,  C25D17/001 ,  C25D17/10 ,  C25D21/04

摘要： The present invention provides a plating apparatus with multiple anode zones and cathode zones. The electrolyte flow field within each zone is controlled individually with independent flow control devices. A gas bubble collector whose surface is made into pleated channels is implemented for gas removal by collecting small bubbles, coalescing them, and releasing the residual gas. A buffer zone built within the gas bubble collector further allows unstable microscopic bubbles to dissolve.

摘要翻译： 本发明提供具有多个阳极区和阴极区的电镀装置。 每个区域内的电解液流场都由独立的流量控制装置单独控制。 其表面形成打褶通道的气泡收集器通过收集小气泡，聚结并释放残留气体来实现气体去除。 内置在气泡收集器内的缓冲区还允许不稳定的微小气泡溶解。

公开(公告)号：US20110290277A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US13133826

申请日：2008-12-12

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/12

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B3/123 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process. The gap can be increased or reduced by 0.5λ/N for each rotation of the chuck, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, N is an integer number between 2 and 1000. The gap is varied in the range of 0.5λn during the cleaning process, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, and n is an integer number starting from 1.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，在清洁过程中，对于卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。 对于卡盘的每次旋转，间隙可以增加或减小0.5λ/ N，其中λ是超/兆声波的波长，N是2和1000之间的整数。间隙在0.5λn的范围内变化 在清洁过程中，其中λ是超/兆声波的波长，n是从1开始的整数。

公开(公告)号：US09595457B2

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：US13133826

申请日：2008-12-12

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Hui Wang

IPC分类号： H01L21/67 ,  B08B3/12

CPC分类号： H01L21/67051 ,  B08B3/08 ,  B08B3/12 ,  B08B3/123 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6708

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process. The gap can be increased or reduced by 0.5λ/N for each rotation of the chuck, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, N is an integer number between 2 and 1000. The gap is varied in the range of 0.5λn during the cleaning process, where λ is wavelength of ultra/mega sonic wave, and n is an integer number starting from 1.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，在清洁过程中，对于卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。 对于卡盘的每次旋转，间隙可以增加或减小0.5λ/ N，其中λ是超/兆声波的波长，N是2和1000之间的整数。间隙在0.5λn的范围内变化 在清洁过程中，其中λ是超/兆声波的波长，n是从1开始的整数。

公开(公告)号：US20070039827A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US10538402

申请日：2003-12-09

申请人： Hui Wang ,  Voha Nuch

发明人： Hui Wang ,  Voha Nuch

IPC分类号： B23H3/00

CPC分类号： C25D17/001 ,  C25D5/08 ,  H01L21/681

摘要： An apparatus for electropolishing and/or electroplating metal layers on a semiconductor wafer includes a receptacle having a plurality of section walls. The apparatus includes a wafer chuck configured to hold the semiconductor wafer and to position the semiconductor wafer within the receptacle with a surface of the semiconductor wafer adjacent to top portions of the plurality of section walls. The apparatus also includes a first plurality of sensors configured to measure alignment between the center of one of the plurality of section walls to the center of the wafer chuck, and thus the center of the semiconductor wafer.

摘要翻译： 用于在半导体晶片上电解抛光和/或电镀金属层的装置包括具有多个部分壁的插座。 该装置包括晶片卡盘，其被配置为保持半导体晶片并且将半导体晶片定位在插座内，其中半导体晶片的表面与多个部分壁的顶部部分相邻。 该装置还包括第一多个传感器，其被配置为测量多个部分壁中的一个的中心与晶片卡盘的中心之间的对准，并且因此测量半导体晶片的中心。

公开(公告)号：US09492852B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US13262264

申请日：2009-03-31

申请人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Yue Ma ,  Hui Wang

发明人： Jian Wang ,  Sunny Voha Nuch ,  Liangzhi Xie ,  Junping Wu ,  Zhaowei Jia ,  Yunwen Huang ,  Zhifeng Gao ,  Yue Ma ,  Hui Wang

IPC分类号： B08B3/00 ,  B08B3/12 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02068 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67051

摘要： A method for cleaning semiconductor substrate using ultra/mega sonic device comprising holding a semiconductor substrate by using a chuck, positioning a ultra/mega sonic device adjacent to the semiconductor substrate, injecting chemical liquid on the semiconductor substrate and gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device, changing gap between the semiconductor substrate and the ultra/mega sonic device for each rotation of the chuck during the cleaning process by turn the semiconductor substrate or the ultra/mega sonic device clockwise or counter clockwise.

摘要翻译： 一种使用超声波超声波装置清洗半导体衬底的方法，包括通过使用卡盘保持半导体衬底，将超声波器件邻近半导体衬底定位，在半导体衬底上注入化学液体，并在半导体衬底和 超声波/超声波装置，通过顺时针或逆时针转动半导体衬底或超/超声波装置，在清洁过程期间，为了卡盘的每次旋转，改变半导体衬底和超/超声波装置之间的间隙。

公开(公告)号：US20050218003A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US10510522

申请日：2003-04-08

申请人： Hui Wang ,  Voha Nuch ,  Felix Gutman ,  Muhammed Afnan ,  Himanshu Chokshi

发明人： Hui Wang ,  Voha Nuch ,  Felix Gutman ,  Muhammed Afnan ,  Himanshu Chokshi

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D17/06 ,  C25D19/00 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/304 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/6708 ,  C25D7/12 ,  C25D17/001 ,  C25F7/00 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

摘要： In one aspect of the present invention, exemplary apparatus and methods are provided for electropolishing and/or electroplating processes for semiconductor wafers. One exemplary apparatus includes a cleaning module having an edge clean assembly (930) to remove metal residue on the bevel or edge portion of a wafer (901). The edge cleaning apparatus includes a nozzle head (1030) configured to supply a liquid and a gas to a major surface of the wafer, and supplies the gas radially inward of the location the liquid is supplied to reduce the potential of the liquid from flowing radially inward to the metal film formed on the wafer.

摘要翻译： 在本发明的一个方面，提供了用于半导体晶片的电解抛光和/或电镀工艺的示例性装置和方法。 一个示例性设备包括具有边缘清洁组件（930）以去除晶片（901）的斜面或边缘部分上的金属残留物的清洁模块。 边缘清洁装置包括：喷嘴头（1030），其被构造成将液体和气体供应到晶片的主表面，并且将气体径向向内供应到供应液体的位置，以减小液体的径向径向流动 向内到形成在晶片上的金属膜。

公开(公告)号：US06726823B1

公开(公告)日：2004-04-27

申请号：US09856855

申请日：2001-05-23

申请人： Hui Wang ,  Felix Gutman ,  Voha Nuch

发明人： Hui Wang ,  Felix Gutman ,  Voha Nuch

IPC分类号： C25D500

CPC分类号： C25D17/001 ,  B23H5/08 ,  C25D7/123 ,  C25D17/06

摘要： A wafer chuck assembly for holding a wafer during electroplating and/or electropolishing of the wafer includes a wafer chuck for receiving the wafer. The wafer chuck assembly also includes an actuator assembly for moving the wafer chuck between a first and a second position. When in the first position, the wafer chuck is opened. When in the second position, the wafer chuck is closed.

摘要翻译： 用于在晶片的电镀和/或电解抛光期间保持晶片的晶片卡盘组件包括用于接收晶片的晶片卡盘。 晶片卡盘组件还包括用于在第一和第二位置之间移动晶片卡盘的致动器组件。 当处于第一位置时，打开晶片卡盘。 当处于第二位置时，晶片卡盘关闭。

公开(公告)号：US08383429B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12733436

申请日：2007-08-29

申请人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Zhenxu Pang ,  David Wang ,  Voha Nuch

发明人： Yue Ma ,  Chuan He ,  Zhenxu Pang ,  David Wang ,  Voha Nuch

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719

摘要： The present invention provides an apparatus and method for rapid and uniform thermal treatment of semiconductor workpieces in two closely arranged thermal treatment chambers with a retractable door between them. The retractable door moves in between two thermal treatment chambers during heating or cooling process, and additional heating and cooling sources are provided for double-side thermal treatment of the semiconductor workpiece.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于在两个紧密布置的热处理室中快速均匀地热处理半导体工件的装置和方法，其间具有可伸缩门。 可伸缩门在加热或冷却过程中在两个热处理室之间移动，并且为半导体工件的双面热处理提供附加的加热和冷却源。