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    Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon
    4.
    发明授权
    Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon 失效
    用于各向异性蚀刻硅的等离子体蚀刻化学

    公开(公告)号：US4450042A

    公开(公告)日：1984-05-22

    申请号：US395205

    申请日：1982-07-06

    申请人： Andrew J. Purdes

    发明人： Andrew J. Purdes

    IPC分类号： C01B33/00 ,  C01B33/02 ,  C04B41/91 ,  C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

    CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/32137 ,  Y10S438/963

    摘要： A plasma etch chemistry which allows a near perfectly vertical etch of silicon is disclosed. A Cl-containing compound such as BCl.sub.3 has Br.sub.2 added to it, readily allowing anisotropic etching of silicon. This is due to the low volatility of SiBr.sub.4. The silicon surface facing the discharge is subjected to ion bombardment, allowing the volatilization (etching) of silicon as a Si-Cl-Br compound. The Br which adsorbs on the sidewalls of the etched silicon protects them from the etching. This new plasma etch chemistry yields a very smooth etched surface, and the etch rate is relatively insensitive to the electrical conductivity of the silicon.

    摘要翻译： 公开了允许硅完全垂直蚀刻的等离子体蚀刻化学。 含有Cl的化合物如BCl 3在其中添加了Br2，容易进行硅的各向异性蚀刻。 这是由于SiBr4的低挥发性。 对于放电的硅表面进行离子轰击，允许硅作为Si-Cl-Br化合物的挥发（蚀刻）。 吸附在蚀刻硅的侧壁上的Br可防止蚀刻。 这种新的等离子体蚀刻化学产生非常光滑的蚀刻表面，并且蚀刻速率对硅的电导率相对不敏感。

    Forming a piezoelectric layer with improved texture
    5.
    发明授权
    Forming a piezoelectric layer with improved texture 失效
    形成具有改进纹理的压电层

    公开(公告)号：US5952059A

    公开(公告)日：1999-09-14

    申请号：US947846

    申请日：1997-10-09

    申请人： Edward A. Beam, III ,  Andrew J. Purdes

    发明人： Edward A. Beam, III ,  Andrew J. Purdes

    IPC分类号： C23C14/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L41/22 ,  C23C16/34

    CPC分类号： C30B23/02 ,  C23C14/0026 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L41/316

    摘要： A method is provided for forming a piezoelectric layer with improved texture. In the method, a metallic material is evaporated. A noble gas is combined with a reactant gas. An atomic reactant gas flow is generated from the combined gas using a plasma source. The atomic reactant gas flow is introduced to the evaporated metallic material in the presence of a substrate under molecular flow pressure conditions to form a piezoelectric layer with improved texture on the surface of the substrate.

    摘要翻译： 提供了一种用于形成具有改进的纹理的压电层的方法。 在该方法中，金属材料蒸发。 惰性气体与反应气体组合。 使用等离子体源从组合气体产生原子反应气体流。 在分子流压力条件下，在衬底存在下，将原子反应气体流引入到蒸发的金属材料中，以在衬底的表面上形成具有改进纹理的压电层。

    Method for depositing a thin film
    7.
    发明授权
    Method for depositing a thin film 失效
    沉积薄膜的方法

    公开(公告)号：US5175019A

    公开(公告)日：1992-12-29

    申请号：US769938

    申请日：1991-09-30

    申请人： Andrew J. Purdes ,  Francis G. Celli

    发明人： Andrew J. Purdes ,  Francis G. Celli

    IPC分类号： B01J19/12 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32

    CPC分类号： H01J37/32192 ,  B01J19/126 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32623 ,  B01J2219/0894 ,  H01J2237/332

    摘要： A microwave plasma rector is disclosed comprising a vacuum chamber, a microwave generator for generating a microwave standing wave therein, inlet and outlet ports, a susceptor within the chamber, at least one dielectric plate and a heater for heating the susceptor. The dielectric plate alters the shape of the produced plasma from a sphere to a short bulging cylinder. The modified plasma ball results in increased thickness uniformity of the deposited material.

    摘要翻译： 公开了一种微波等离子体检测器，其包括真空室，用于在其中产生微波驻波的微波发生器，入口和出口，腔室内的基座，至少一个电介质板和用于加热感受器的加热器。 电介质板将产生的等离子体的形状从球体改变为短的凸起圆柱体。 改进的等离子体球导致沉积材料的厚度均匀性增加。

    Method for heteroepitaxial growth using tensioning layer on rear substrate surface
    8.
    发明授权
    Method for heteroepitaxial growth using tensioning layer on rear substrate surface 失效
    使用后衬底表面上的张紧层进行异质外延生长的方法

    公开(公告)号：US4830984A

    公开(公告)日：1989-05-16

    申请号：US220917

    申请日：1988-07-18

    申请人： Andrew J. Purdes

    发明人： Andrew J. Purdes

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/7842 ,  Y10S148/056 ,  Y10S148/072 ,  Y10S148/097 ,  Y10S148/149 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/938

    摘要： A method, and products formed by such method, of providing a substantially planar surface to a layer of semiconducting material (24) formed on a first surface of a substrate (20), the substrate having a second surface opposite the first surface. The method comprising forming a layer (22) of a first material on the second surface of the substrate; forming a layer of the semiconducting material (24) on the first surface of the substrate; whereby said layer of said first material exerts a tensioning force on said second surface of the substrate (20) which countereffects a tensioning force exerted on said first surface of said substrate by said layer of semiconductor material (24) so that said first surface of said substrate has a substantially planar form. In some embodiments tensioning forces arise due to differential thermal expansion of said first material and said substrate and said semiconductor material and said substrate.

    摘要翻译： 一种方法以及通过这种方法形成的产品，在基板（20）的第一表面上形成的半导体材料层（24）提供基本平坦的表面，该基板具有与第一表面相对的第二表面。 所述方法包括在所述基板的第二表面上形成第一材料层（22）; 在衬底的第一表面上形成半导体材料层（24）; 其中所述第一材料的所述层在所述衬底（20）的所述第二表面上施加张力，所述第二表面对由所述半导体材料层（24）施加在所述衬底的所述第一表面上的张力作用，使得所述第一表面的所述第一表面 衬底具有基本上平面的形式。 在一些实施例中，由于所述第一材料和所述衬底以及所述半导体材料和所述衬底的不同的热膨胀，产生张紧力。

    Chemical beam epitaxy system
    9.
    发明授权
    Chemical beam epitaxy system 失效
    化学束外延系统

    公开(公告)号：US4699085A

    公开(公告)日：1987-10-13

    申请号：US903357

    申请日：1986-09-03

    申请人： Andrew J. Purdes

    发明人： Andrew J. Purdes

    IPC分类号： C30B23/08 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  C23C8/06

    CPC分类号： C30B25/02

    摘要： A chemical beam epitaxy system including a cylindrical vacuum chamber (32) with wafer heaters (42) affixed about the cylindrical wall, a rotatable wafer holder ring (40) with mounted wafer holders (38) adjacent the wafer heaters (42), and a central rotatble set of gas cells (44) for directing chemical beams (50, 54) across wafers (52) in the wafer holders (38).

    摘要翻译： 一种化学束外延系统，包括具有围绕圆柱形壁固定的晶片加热器（42）的圆柱形真空室（32），具有与晶片加热器（42）相邻的安装的晶片保持器（38）的可旋转晶片保持环（40） 用于引导化学束（50,54）跨过晶片保持器（38）中的晶片（52）的中心旋转组的气室（44）。

    Stress free chip mount and method of manufacture
    10.
    发明授权
    Stress free chip mount and method of manufacture 失效
    无应力芯片安装及制造方法

    公开(公告)号：US5170329A

    公开(公告)日：1992-12-08

    申请号：US766684

    申请日：1991-09-27

    申请人： Andrew J. Purdes

    发明人： Andrew J. Purdes

    IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/40

    CPC分类号： H01L23/40 ,  H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/4913

    摘要： A chip mount is provided for mounting a chip on a circuit board to reduce stresses caused by thermal expansion mismatch between the chip and the circuit board. The chip mount includes a strip member secured to the chip and a guide layer secured to the circuit board. The guide layer includes slots formed therein for slidably receiving and holding the strip member such that upon expansion or contraction of the chip relative to the circuit board, the strip member slides in the slot to reduced stresses resulting from the expansion or contraction of the chip. The guide layer and the strip member are formed of materials that are generally non-reactive to inhibit bonding of the guide layer to the strip member.

    摘要翻译： 提供了一种芯片安装件，用于将芯片安装在电路板上，以减少由芯片和电路板之间的热膨胀失配引起的应力。 芯片安装件包括固定到芯片的条状部件和固定到电路板的引导层。 引导层包括形成在其中的槽，用于可滑动地容纳和保持条状构件，使得当芯片相对于电路板膨胀或收缩时，条形构件在槽中滑动以减少由于芯片的膨胀或收缩而产生的应力。 引导层和条形部件由通常不反应以防止引导层与条状部件接合的材料形成。