公开(公告)号：US20110120535A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12952694

申请日：2010-11-23

申请人： Alistair Graeme Prince ,  Richard John Sheffield Young ,  Glovanna Laudisio ,  Gary Coultart ,  Kenneth Warren Hang ,  Ben Whittle

发明人： Alistair Graeme Prince ,  Richard John Sheffield Young ,  Glovanna Laudisio ,  Gary Coultart ,  Kenneth Warren Hang ,  Ben Whittle

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01B1/12 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： An aluminum paste comprising particulate aluminum, an organic vehicle and glass frit selected from (i) lead-free glass frits with a softening point temperature in the range of 550 to 611° C. and containing 11 to 33 wt.-% of SiO2, >0 to 7 wt.-% of Al2O3 and 2 to 10 wt.-% of B2O3 and (ii) lead-containing glass frits with a softening point temperature in the range of 571 to 636° C. and containing 53 to 57 wt.-% of PbO, 25 to 29 wt.-% of SiO2, 2 to 6 wt.-% of Al2O3 and 6 to 9 wt.-% of B2O3, useful in the production of aluminum back electrodes of PERC silicon solar cells.

摘要翻译： 一种包含微粒铝，有机载体和玻璃料的铝糊料，其选自（i）软化点温度在550-611℃范围内并含有11至33重量％SiO 2的无铅玻璃料， > 0〜7重量％的Al 2 O 3和2〜10重量％的B 2 O 3和（ii）软化点温度在571〜636℃范围内的含铅玻璃料，含有53〜57重量％ 的PbO，25〜29重量％的SiO 2，2〜6重量％的Al 2 O 3和6〜9重量％的B 2 O 3，可用于生产PERC硅太阳能电池的铝背电极。

公开(公告)号：US20100294359A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12783761

申请日：2010-05-20

申请人： Russell David Anderson ,  Kenneth Warren Hang ,  Shih-Ming Kao ,  Giovanna Laudisio ,  Cheng-Nan Lin ,  Chun-Kwei Wu

发明人： Russell David Anderson ,  Kenneth Warren Hang ,  Shih-Ming Kao ,  Giovanna Laudisio ,  Cheng-Nan Lin ,  Chun-Kwei Wu

IPC分类号： H01L31/0392 ,  H01L21/283 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L31/022433 ,  C03C8/02 ,  C03C8/10 ,  C03C8/24 ,  H01B1/16 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： A process of forming a front-grid electrode on a silicon wafer having an ARC layer, comprising the steps: (1) printing and drying a metal paste A comprising an inorganic content comprising 0.5 to 8 wt.-% of glass frit and having fire-through capability, wherein the metal paste A is printed on the ARC layer to form a bottom set of thin parallel finger lines, (2) printing and drying a metal paste B comprising an inorganic content comprising 0.2 to 3 wt.-% of glass frit over the bottom set of finger lines, wherein the metal paste B is printed in a grid pattern which comprises (i) thin parallel finger lines forming a top set of finger lines superimposing the bottom set of finger lines and (ii) busbars intersecting the finger lines at right angle, and (3) firing the double-printed silicon wafer, wherein the inorganic content of metal paste B contains less glass frit plus optionally present other inorganic additives than the inorganic content of metal paste A.

摘要翻译： 一种在具有ARC层的硅晶片上形成前栅格电极的方法，包括以下步骤：（1）印刷和干燥包含0.5至8重量％玻璃料并具有火焰的无机物含量的金属糊剂A 通过能力，其中金属糊剂A印刷在ARC层上以形成底部薄的平行指线，（2）印刷和干燥包含含有0.2至3重量％玻璃的无机物质的金属浆料B 玻璃料覆盖在底部指状线组上，其中金属糊料B以网格图案打印，该网格图案包括（i）薄的平行指线，形成叠加了底部指状线组的顶部一组指纹线，以及（ii）与 指状物为直角，（3）烧制双面印刷的硅晶片，其中金属糊料B的无机物含量比金属膏A的无机物含量少，玻璃料加上任选存在的其它无机添加剂。

公开(公告)号：US20100258184A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12756416

申请日：2010-04-08

申请人： Brian J. Laughlin ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Yueli Wang

发明人： Brian J. Laughlin ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Yueli Wang

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/00 ,  H01B1/06 ,  H01L31/0216

CPC分类号： C03C8/06 ,  C03C3/064 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  Y02E10/50

摘要： The invention relates to glass compositions useful in conductive pastes for silicon semiconductor devices and photovoltaic cells.

摘要翻译： 本发明涉及可用于硅半导体器件和光伏电池的导电浆料中的玻璃组合物。

公开(公告)号：US20100258166A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12756423

申请日：2010-04-08

申请人： Brian J. Laughlin ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Yueli Wang ,  Takuya Konno

发明人： Brian J. Laughlin ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Yueli Wang ,  Takuya Konno

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/02 ,  H01B1/22 ,  H01L21/283 ,  H01L29/43

CPC分类号： C03C8/02 ,  C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C3/066 ,  C03C8/06 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/50

摘要： The invention relates to glass compositions useful in conductive pastes for silicon semiconductor devices and photovoltaic cells.

公开(公告)号：US07763189B2

公开(公告)日：2010-07-27

申请号：US10475212

申请日：2002-05-14

申请人： Robert Joseph Bouchard ,  Lap-Tak Andrew Cheng ,  David Herbert Roadh ,  Kenneth Warren Hang

发明人： Robert Joseph Bouchard ,  Lap-Tak Andrew Cheng ,  David Herbert Roadh ,  Kenneth Warren Hang

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01B1/06 ,  H01J9/12

CPC分类号： H01B3/12 ,  C03C8/04 ,  C03C8/14 ,  C03C17/008 ,  C03C17/25 ,  C03C2217/23 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/327 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9661 ,  H01B3/004 ,  H01B3/185 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/1209 ,  H01J3/40 ,  H01J2229/882 ,  H01J2329/4691 ,  H01J2329/8615

摘要： This invention provides a dielectric composition comprising a dielectric which is fireable in air at a temperature in the range of about 450° C. to about 550° C. and a conductive oxide selected from the group consisting of antimony-doped tin oxide, tin-doped indium oxide, a transition metal oxide which has mixed valence states or will form mixed valence states after firing in a nitrogen atmosphere at a temperature in the range of about 450° C. to about 550° C. and normally conducting precious metal oxides such as ruthenium dioxide, wherein the amount of conductive oxide present is from about 0.25 wt % to about 25 wt % of the total weight of dielectric and conductive oxide. This dielectric composition has reduced electrical resistance and is useful in electron field emission devices to eliminate charging of the dielectric in the vicinity of the electron emitter and the effect of static charge induced field emission.

摘要翻译： 本发明提供了一种电介质组合物，其包含可在空气中在约450℃至约550℃范围内的温度下燃烧的电介质和选自锑掺杂氧化锡，锡 - 掺杂的氧化铟，过渡金属氧化物，其具有混合的价态或将在氮气气氛中在约450℃至约550℃的温度下焙烧后形成混合的价态，并且通常导电的贵金属氧化物如 作为二氧化钌，其中存在的导电氧化物的量为介电和导电氧化物总重量的约0.25重量％至约25重量％。 该电介质组合物具有降低的电阻，并且可用于电子发射器件以消除电子发射器附近的电介质的充电和静电荷诱导的场发射的影响。

公开(公告)号：US07688569B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US10801257

申请日：2004-03-16

申请人： William J. Borland ,  Alton Bruce Jones, III ,  Olga L. Renovales ,  Kenneth Warren Hang

发明人： William J. Borland ,  Alton Bruce Jones, III ,  Olga L. Renovales ,  Kenneth Warren Hang

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： C04B35/468 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/6562 ,  H01G4/008 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H05K1/162 ,  H05K3/1291 ,  H05K2201/017 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09763 ,  H05K2203/1126

摘要： Dielectric powder and thick-film paste compositions are formed having high dielectric constants, low loss tangents, and other desirable electrical and physical properties. Conductive powder and paste compositions are formed having desirable electrical and physical properties. The dielectric powder and thick-film paste compositions can be used in combination with the conductive powder and paste compositions to form capacitors and other fired-on-foil passive circuit components.

摘要翻译： 形成介电粉末和厚膜糊组合物，其具有高介电常数，低损耗切线和其它所需的电学和物理性能。 形成具有所需电学和物理性质的导电粉末和糊剂组合物。 电介质粉末和厚膜糊剂组合物可以与导电粉末和糊剂组合物组合使用，以形成电容器和其它无卤电路元件。

公开(公告)号：US20090261306A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12105683

申请日：2008-04-18

申请人： Paul Douglas VerNooy ,  Alfred T. Walker ,  Kenneth Warren Hang

发明人： Paul Douglas VerNooy ,  Alfred T. Walker ,  Kenneth Warren Hang

IPC分类号： H01C1/00 ,  H01B1/02

CPC分类号： C01G55/001 ,  C01G55/00 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C03C8/14 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5022 ,  C04B41/52 ,  C04B41/86 ,  C04B41/90 ,  C04B2111/00844 ,  H01B1/22 ,  H01C7/003 ,  H01C17/06533 ,  C04B35/10 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/4572 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5116

摘要： A non-lead composition for use as a thick-film resistor paste in electronic applications. The composition comprises particles of Li2RuO3 of diameter between 0.5 and 5 microns and a lead-free frit. The particles have had the lithium at or near primarily the surface of the particle at least partially exchanged for atoms of other metals.

摘要翻译： 用作电子应用中的厚膜电阻膏的非铅组合物。 该组合物包含直径为0.5至5微米的Li2RuO3颗粒和无铅玻璃料。 颗粒已经使锂在或接近主要表面的颗粒至少部分地与其它金属的原子交换。

公开(公告)号：US20090104461A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12254246

申请日：2008-10-20

申请人： Richard John Sheffield Young ,  Michael Rose ,  Kurt Richard Mikeska ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Alistair Graeme Prince

发明人： Richard John Sheffield Young ,  Michael Rose ,  Kurt Richard Mikeska ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Alistair Graeme Prince

IPC分类号： H01B1/02 ,  B32B18/00 ,  C03B29/00

CPC分类号： H01B1/22 ,  C03C8/14 ,  C03C8/18 ,  H01B1/16 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  Y10T428/31536 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31678

摘要： Described herein are a silicon semiconductor device and a conductive silver paste for use in the front side of a solar cell device.

摘要翻译： 这里描述的是用于太阳能电池装置正面的硅半导体器件和导电银膏。

公开(公告)号：US20090044858A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12256825

申请日：2008-10-23

申请人： Yueli Y. WANG ,  Alan Frederrick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Richard John Sheffield Young

发明人： Yueli Y. WANG ,  Alan Frederrick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Richard John Sheffield Young

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01B1/22 ,  B32B5/00 ,  H01L23/48 ,  H01L21/44 ,  B32B15/04

CPC分类号： C03C8/20 ,  C03C3/064 ,  C03C3/072 ,  C03C3/0745 ,  C03C8/10 ,  C03C8/12 ,  C03C8/14 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  C03C14/006 ,  C03C2214/08 ,  C03C2214/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/31678

摘要： The present invention is directed to a thick film conductive composition comprising: (a) electrically conductive silver powder; (b) Mn-containing additive; (c) glass frit wherein said glass frit has a softening point in the range of 300 to 600° C.; dispersed in (d) organic medium.The present invention is further directed to a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device from a structural element composed of a semiconductor having a p-n junction and an insulating film formed on a main surface of the semiconductor comprising the steps of (a) applying onto said insulating film the thick film composition as describe above; and (b) firing said semiconductor, insulating film and thick film composition to form an electrode.

摘要翻译： 本发明涉及一种厚膜导电组合物，其包含：（a）导电银粉; （b）含Mn添加剂; （c）玻璃料，其中所述玻璃料的软化点在300-600℃的范围内。 分散在（d）有机介质中。 本发明还涉及一种由半导体构成的半导体器件和半导体器件的制造方法，所述结构元件由在半导体主表面上形成的具有pn结和绝缘膜的半导体构成，包括以下步骤：（a）施加 在上述绝缘膜上形成如上所述的厚膜组合物; 和（b）烧制所述半导体，绝缘膜和厚膜组合物以形成电极。

公开(公告)号：US07462304B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11106245

申请日：2005-04-14

申请人： Yueli Wang ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Richard John Sheffield Young

发明人： Yueli Wang ,  Alan Frederick Carroll ,  Kenneth Warren Hang ,  Richard John Sheffield Young

IPC分类号： H01B1/22

CPC分类号： C03C8/20 ,  C03C3/064 ,  C03C3/072 ,  C03C3/0745 ,  C03C8/10 ,  C03C8/12 ,  C03C8/14 ,  C03C8/16 ,  C03C8/18 ,  C03C14/006 ,  C03C2214/08 ,  C03C2214/16 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  Y02E10/50 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/31678

摘要： The present invention is directed to a thick film conductive composition comprising: (a) electrically conductive silver powder; (b) Mn-containing additive; (c) glass frit wherein said glass frit has a softening point in the range of 300 to 600° C.; dispersed in (d) organic medium.The present invention is further directed to a semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device from a structural element composed of a semiconductor having a p-n junction and an insulating film formed on a main surface of the semiconductor comprising the steps of (a) applying onto said insulating film the thick film composition as describe above; and (b) firing said semiconductor, insulating film and thick film composition to form an electrode.

摘要翻译： 本发明涉及一种厚膜导电组合物，其包含：（a）导电银粉; （b）含Mn添加剂; （c）玻璃料，其中所述玻璃料的软化点在300-600℃的范围内。 分散在（d）有机介质中。 本发明还涉及一种由半导体构成的半导体器件和半导体器件的制造方法，所述结构元件由在半导体的主表面上形成的具有pn结和绝缘膜的半导体构成，包括以下步骤：（a）施加 在上述绝缘膜上形成如上所述的厚膜组合物; 和（b）烧制所述半导体，绝缘膜和厚膜组合物以形成电极。