公开(公告)号：US07956360B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11697457

申请日：2007-04-06

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Melvin B. McLaurin ,  Steven P. DenBaars ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Melvin B. McLaurin ,  Steven P. DenBaars ,  James Stephen Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method of growing highly planar, fully transparent and specular m-plane gallium nitride (GaN) films. The method provides for a significant reduction in structural defect densities via a lateral overgrowth technique. High quality, uniform, thick m-plane GaN films are produced for use as substrates for polarization-free device growth.

摘要翻译： 生长高度平面，完全透明和镜面的m面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法通过侧向过度生长技术显着降低结构缺陷密度。 制造高品质，均匀，厚的m面GaN膜用作无极化器件生长的衬底。

公开(公告)号：US20110125964A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13015672

申请日：2011-01-28

申请人： Akira FUJIBAYASHI ,  Shuji Nakamura ,  Mutsumi Hosoya

发明人： Akira FUJIBAYASHI ,  Shuji Nakamura ,  Mutsumi Hosoya

IPC分类号： G06F12/08

CPC分类号： H04L61/6013 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0635 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/067 ,  H04L29/12584 ,  H04L29/1282 ,  H04L29/12839 ,  H04L45/00 ,  H04L61/2596 ,  H04L61/6022 ,  H04L67/1097 ,  H04L67/2814 ,  H04L67/2842 ,  H04L69/40

摘要： Provided is a storage system having improved access performance. The storage system includes: a hard disk drive, and a storage controller for reading/writing data from/to the hard disk drive, the storage controller including: at least one interface connected to a host computer through a network; and a plurality of processors connected to the interface through an internal network. The storage system is characterized in that: the processor provides at least one logical access port to the host computer; and the interface stores routing information including a processor which processes an access request addressed to the logical access port, extracts an address from the received access request upon reception of the access request from the host computer, specifies the processor which processes the received access request based on the routing information and the extracted address, and transfers the received access request to the specified processor.

摘要翻译： 提供了具有改进的访问性能的存储系统。 所述存储系统包括：硬盘驱动器和用于从/向所述硬盘驱动器读取/写入数据的存储控制器，所述存储控制器包括：通过网络连接到主计算机的至少一个接口; 以及通过内部网络连接到接口的多个处理器。 存储系统的特征在于：处理器向主计算机提供至少一个逻辑访问端口; 并且接口存储包括处理寻址到逻辑访问端口的访问请求的处理器的路由信息​​，在从主计算机接收到访问请求时从接收的访问请求中提取地址，指定处理所接收的访问请求的处理器 关于路由信息和提取的地址，并将接收的访问请求传送到指定的处理器。

公开(公告)号：US20110103418A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12913638

申请日：2010-10-27

申请人： Matthew T. Hardy ,  You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Kathryn M. Kelchner

发明人： Matthew T. Hardy ,  You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Kathryn M. Kelchner

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L33/0045 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

摘要： An optoelectronic device, comprising an active region and a waveguide structure to provide optical confinement of light emitted from the active region; a pair of facets on opposite ends of the device, having opposite surface polarity; and one of the facets which has been roughened by a crystallographic chemical etching process, wherein the device is a nonpolar or semipolar (Ga,In,Al,B)N based device.

摘要翻译： 一种光电子器件，包括有源区和波导结构，以提供从有源区发射的光的光学限制; 在装置的相对端上的一对具有相反表面极性的小面; 和通过结晶化学蚀刻工艺被粗糙化的其中一个方面，其中该器件是基于非极性或半极性（Ga，In，Al，B）N的器件。

公开(公告)号：US20110101301A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12916218

申请日：2010-10-29

申请人： You-Da Lin ,  Arpan Chakraborty ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： You-Da Lin ,  Arpan Chakraborty ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/32

摘要： A light emitting device with a coupled quantum well structure in an active region. The coupled quantum well structure may include two or more wells are separated by one or more mini-barriers, and the wells and mini-barriers together are sandwiched by barriers. The coupled quantum well structure provides almost the same effect as a wide quantum well, due to the coupling of the wavefunctions through the mini-barrier. The light emitting device may be a nonpolar, semipolar or polar (Al,Ga,In)N based light emitting device.

摘要翻译： 一种在有源区域中具有耦合的量子阱结构的发光器件。 耦合的量子阱结构可以包括两个或更多个孔被一个或多个微型屏障隔开，并且阱和微型屏障一起夹在屏障之间。 耦合量子阱结构提供了与宽量子阱几乎相同的效果，这是由于通过微型屏障的波函数的耦合。 发光器件可以是非极性，半极性或极性（Al，Ga，In）N基发光器件。

公开(公告)号：US07917688B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12003906

申请日：2008-01-03

申请人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura

发明人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/00 ,  G06F13/28

CPC分类号： G06F1/324 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3275 ,  G06F1/3296 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0634 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/1027 ,  Y02D10/126 ,  Y02D10/14 ,  Y02D10/154 ,  Y02D10/172 ,  Y02D50/20

摘要： An purpose of the invention is to immediately return the operation in a flash memory module from low power consumption mode to regular mode.A flash memory controller having memory that stores an address translation table for translating between a logical page address and a physical page address in the flash memory chip controls regular mode and low power consumption mode of operating at lower power consumption than in regular mode by halting operation, or decreasing power supply voltage or lowering operating frequency. A flash memory module having the flash memory controller verifies data in the address translation table while low power consumption mode is set.

摘要翻译： 本发明的目的是立即将闪存模块中的操作从低功耗模式返回到常规模式。 具有存储器的存储器，其存储用于在闪速存储器芯片中的逻辑页面地址和物理页面地址之间进行转换的地址转换表，通过停止操作来控制以比常规模式低的功耗操作的常规模式和低功耗模式 ，或降低电源电压或降低工作频率。 具有闪速存储器控制器的闪存模块在设置低功耗模式的同时对地址转换表中的数据进行验证。

公开(公告)号：US07904746B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US12206228

申请日：2008-09-08

申请人： Shuji Nakamura ,  Akira Fujibayashi ,  Hajime Mori ,  Masanori Takada

发明人： Shuji Nakamura ,  Akira Fujibayashi ,  Hajime Mori ,  Masanori Takada

IPC分类号： G06F11/00

CPC分类号： G06F11/1456 ,  G06F11/1451 ,  G06F11/1458 ,  G06F11/1464 ,  G06F11/1469

摘要： When data of HDD of computer is backed up to a a data center and a failure occurs in the HDD, the computer notifies failure information to the data center, and the data center stores the backed up data in a storage medium substituting HDD for subsequent delivery. Further, the computer executes processing, using a VNC server, from failure occurrence until recovery.

摘要翻译： 当计算机的HDD的数据被备份到数据中心并且在HDD中发生故障时，计算机将故障信息通知给数据中心，并且数据中心将备份的数据存储在替换HDD以用于后续传送的存储介质中。 此外，计算机使用VNC服务器执行从故障发生到恢复的处理。

公开(公告)号：US07847293B2

公开(公告)日：2010-12-07

申请号：US11670332

申请日：2007-02-01

申请人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A. Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L21/36

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar gallium nitride (GaN) films results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 非极性氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US20100265979A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12822888

申请日：2010-06-24

申请人： Claude C.A. Weisbuch ,  Shuji Nakamura

发明人： Claude C.A. Weisbuch ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/105 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1206 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1225 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/18 ,  H01S5/187 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2004 ,  H01S2304/12

摘要： A structure using integrated optical elements is comprised of a substrate, a buffer layer grown on the substrate, one or more first patterned layers deposited on top of the buffer layer, wherein each of the first patterned layers is comprised of a bottom lateral epitaxial overgrowth (LEO) mask layer and a LEO nitride layer filling holes in the bottom LEO mask layer, one or more active layers formed on the first patterned layers, and one or more second patterned layers deposited on top of the active layer, wherein each of the second patterned layers is comprised of a top LEO mask layer and a LEO nitride layer filling holes in the top LEO mask layer, wherein the top and/or bottom LEO mask layers act as a mirror, optical confinement layer, grating, wavelength selective element, beam shaping element or beam directing element for the active layers.

摘要翻译： 使用集成光学元件的结构包括衬底，在衬底上生长的缓冲层，沉积在缓冲层顶部上的一个或多个第一图案化层，其中每个第一图案化层由底部侧向外延生长（ LEO）掩模层和LEO氮化物层填充底部LEO掩模层中的孔，形成在第一图案化层上的一个或多个有源层和沉积在有源层顶部上的一个或多个第二图案化层，其中第二个 图案化层由顶部LEO掩模层和顶部LEO掩模层中的LEO氮化物层填充孔组成，其中顶部和/或底部LEO掩模层用作反射镜，光限制层，光栅，波长选择元件，光束 用于有源层的成形元件或光束引导元件。

公开(公告)号：US07702823B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US10980242

申请日：2004-11-04

申请人： Mutsumi Hosoya ,  Akira Fujibayashi ,  Shuji Nakamura ,  Yasuo Inoue

发明人： Mutsumi Hosoya ,  Akira Fujibayashi ,  Shuji Nakamura ,  Yasuo Inoue

IPC分类号： G06F3/00

CPC分类号： G06F11/0784 ,  G06F11/0727 ,  G06F11/076 ,  G06F11/079 ,  G06F11/0793 ,  G06F11/2053 ,  G06F11/2089

摘要： This invention enables a disk subsystem that employs the FC-AL connection to grasp the operation status of each disk drive, quickly locate a disk drive that has failed, and promptly carry out blocking processing. In a disk subsystem including plural drive enclosures which store disk drives, and a disk controller which controls transfer of data stored in the disk drives between the drive enclosures and a host computer. The drive enclosures each comprise a backend switch which is connected to the disk drives and to the disk controller, the backend switch comprises a status monitoring port through which operation status of switch ports of the backend switch is outputted, and the disk controller monitors a fault of the switch ports through the status monitoring port.

摘要翻译： 本发明使得采用FC-AL连接的磁盘子系统能够掌握每个磁盘驱动器的操作状态，快速定位已经失败的磁盘驱动器，并且迅速进行阻塞处理。 在包括存储磁盘驱动器的多个驱动器机箱的磁盘子系统中，以及控制存储在驱动器机箱与主计算机之间的磁盘驱动器中的数据的传输的磁盘控制器。 驱动器机箱各自包括连接到磁盘驱动器和磁盘控制器的后端开关，后端开关包括状态监视端口，通过该状态监视端口输出后端开关的开关端口的操作状态，并且磁盘控制器监视故障 的交换机端口通过状态监控端口。

公开(公告)号：US07691658B2

公开(公告)日：2010-04-06

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1−xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1−xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。