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    Semiconductor structure and method of manufacturing
    11.
    发明授权
    Semiconductor structure and method of manufacturing 有权
    半导体结构及制造方法

    公开(公告)号：US08513143B2

    公开(公告)日：2013-08-20

    申请号：US13212469

    申请日：2011-08-18

    申请人： Mei-Hsuan Lin ,  Chih-Hsun Lin ,  Chih-Kang Chao ,  Ling-Sung Wang

    发明人： Mei-Hsuan Lin ,  Chih-Hsun Lin ,  Chih-Kang Chao ,  Ling-Sung Wang

    IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

    CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present application discloses a method of manufacturing a semiconductor structure. According to at least one embodiment, a first etch stop layer is formed over a conductive feature and a substrate, and the conductive feature is positioned over the substrate. A second etch stop layer is formed over the first etch stop layer. A first etch is performed to form an opening in the second etch stop layer, and the opening exposes a portion of the first etch stop layer. A second etch is performed to extend the opening downwardly by removing a portion of the exposed first etch stop layer, and the extended opening exposes a portion of the conductive feature.

    摘要翻译： 本申请公开了一种制造半导体结构的方法。 根据至少一个实施例，在导电特征和衬底之上形成第一蚀刻停止层，并且导电特征位于衬底上。 在第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层。 执行第一蚀刻以在第二蚀刻停止层中形成开口，并且开口暴露第一蚀刻停止层的一部分。 执行第二蚀刻以通过去除暴露的第一蚀刻停止层的一部分向下延伸开口，并且延伸的开口暴露导电特征的一部分。

    Laminator with changeable rotation speed and heating temperature
    13.
    发明授权
    Laminator with changeable rotation speed and heating temperature 失效
    具有可变转速和加热温度的层压机

    公开(公告)号：US08220513B1

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：US13342651

    申请日：2012-01-03

    申请人： Chih-Hsun Lin ,  Yen-Te Lee ,  Qi-Feng Zou

    发明人： Chih-Hsun Lin ,  Yen-Te Lee ,  Qi-Feng Zou

    IPC分类号： B32B37/00

    CPC分类号： B32B41/00 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/14 ,  B32B2429/00 ,  Y10T156/1741

    摘要： The present invention relates to a laminator with changeable rotation speed and heating temperature including a first roller set, a second roller set, a transmission gear set, a speed changing gear set, a first driving device, a second driving device, an input interface, a controller and a heating device. A user selects an option of the input interface according to film thickness. The controller determines rotation speed and heating temperature of the first roller set and the second roller set according to the option. Then the controller controls the second driving device to move the speed changing gear set to alter the engagement between the speed changing gear set and the transmission gear set, as to modulate the rotational speed of the first roller set and the second roller set.

    摘要翻译： 本发明涉及具有可变转速和加热温度的层压机，包括第一辊组，第二辊组，变速齿轮组，变速齿轮组，第一驱动装置，第二驱动装置，输入接口， 控制器和加热装置。 用户根据胶片厚度选择输入界面的选项。 控制器根据选项确定第一辊组和第二辊组的转速和加热温度。 然后，控制器控制第二驱动装置移动变速齿轮组，以改变变速齿轮组和变速齿轮组之间的接合，以调制第一辊组和第二辊组的旋转速度。

    Semiconductor device and fabrication method thereof
    14.
    发明授权
    Semiconductor device and fabrication method thereof 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07846832B2

    公开(公告)日：2010-12-07

    申请号：US11176924

    申请日：2005-07-07

    申请人： Kuan-Chi Tsai ,  Chih-Hsun Lin ,  Sheng-Wen Su ,  Shaw-Jang Liou

    发明人： Kuan-Chi Tsai ,  Chih-Hsun Lin ,  Sheng-Wen Su ,  Shaw-Jang Liou

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528 ,  H01L21/108

    CPC分类号： H01L21/76814 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831

    摘要： Semiconductor devices and methods for fabricating the same. The devices includes a substrate, a first etch stop layer, a dielectric layer, an opening, and an anti-diffusion layer. The first etch stop layer overlies the substrate. The dielectric layer overlies the first etch stop layer. The opening extends through the dielectric layer and the first etch stop layer, and exposes parts of the substrate. The anti-diffusion layer overlies at least sidewalls of the opening, preventing contamination molecule diffusion from at least the first etch stop layer, wherein the anti-diffusion layer is respectively denser than the first etch stop layer and the dielectric layer.

    摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 这些器件包括衬底，第一蚀刻停止层，电介质层，开口和反扩散层。 第一蚀刻停止层覆盖在基底上。 电介质层覆盖在第一蚀刻停止层上。 开口延伸穿过介电层和第一蚀刻停止层，并露出基板的一部分。 防扩散层至少覆盖开口的侧壁，防止污染分子从至少第一蚀刻停止层扩散，其中抗扩散层分别比第一蚀刻停止层和电介质层更致密。

    Disc having relief pattern and transprint method thereof
    15.
    发明授权
    Disc having relief pattern and transprint method thereof 有权
    具有浮雕图案的盘片及其转印方法

    公开(公告)号：US07829167B2

    公开(公告)日：2010-11-09

    申请号：US11930243

    申请日：2007-10-31

    申请人： Chih-Hsun Lin

    发明人： Chih-Hsun Lin

    IPC分类号： B32B3/02

    CPC分类号： B44C1/24 ,  G11B23/38 ,  G11B23/40 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24802

    摘要： A disc having a relief pattern and a transprint method thereof are provided. The transprint method for transprinting the relief pattern on a substrate of the disc includes the following steps. First, a transprint template is provided. A first surface of the transprint template has a complementary pattern corresponding to the relief pattern. Next, a pattern layer is formed on the substrate. Then, the transprint template is placed on and covers the pattern layer until the first surface of the transprint template closely contacts a second surface of the pattern layer, so that the relief pattern is formed on the second surface. Afterward, the pattern layer is cured by irradiation. Later, the transprint template is removed for exposing the second surface with the relief pattern.

    摘要翻译： 提供具有浮雕图案的盘片及其转印方法。 用于将浮雕图案转印在盘的基片上的转印方法包括以下步骤。 首先，提供一个转印模板。 转印模板的第一表面具有对应于浮雕图案的互补图案。 接下来，在基板上形成图案层。 然后，将转印模板放置在并覆盖图案层，直到转印模板的第一表面紧密接触图案层的第二表面，使得浮雕图案形成在第二表面上。 之后，图案层通过照射固化。 之后，移除转印模板，以便用浮雕图案露出第二表面。

    COMPUTER SYSTEM AND METHOD CAPABLE OF AUTOMATICALLY DUPLICATING DATA INTO DISCS
    16.
    发明申请
    COMPUTER SYSTEM AND METHOD CAPABLE OF AUTOMATICALLY DUPLICATING DATA INTO DISCS 失效
    计算机系统和方法可以自动将数据重新分配到光盘中

    公开(公告)号：US20090034374A1

    公开(公告)日：2009-02-05

    申请号：US11930240

    申请日：2007-10-31

    申请人： YAO-HSING HUANG ,  Chung-Yi Huang ,  Chih-Hsun Lin

    发明人： YAO-HSING HUANG ,  Chung-Yi Huang ,  Chih-Hsun Lin

    IPC分类号： G11B17/22

    CPC分类号： G11B17/225 ,  G11B20/10 ,  G11B2020/10833

    摘要： The invention relates to a computer system capable of automatically duplicating data into discs with automatically blank-disc-supplying. The invention can be implemented by software, hardware, or any of the combinations. Since the invention does not utilize a mechanical arm to move the discs, the structure of the invention saves space compared with a traditional disc duplicating machine; moreover, the cost is less than that of the prior art.

    摘要翻译： 本发明涉及一种能够自动将数据复制到具有自动空白盘供应的盘的计算机系统。 本发明可以通过软件，硬件或任何组合来实现。 由于本发明不利用机械臂来移动盘，与传统的盘片复制机相比，本发明的结构节省了空间; 此外，成本低于现有技术的成本。

    MOS devices having non-uniform stressor doping
    18.
    发明授权
    MOS devices having non-uniform stressor doping 有权
    具有不均匀应力源掺杂的MOS器件

    公开(公告)号：US08994097B2

    公开(公告)日：2015-03-31

    申请号：US13415611

    申请日：2012-03-08

    申请人： Mei-Hsuan Lin ,  Chih-Hsun Lin ,  Ching-Hua Chu ,  Ling-Sung Wang

    发明人： Mei-Hsuan Lin ,  Chih-Hsun Lin ,  Ching-Hua Chu ,  Ling-Sung Wang

    IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L29/66507 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

    摘要： A device includes a semiconductor substrate, a gate stack over the semiconductor substrate, and a stressor region having at least a portion in the semiconductor substrate and adjacent to the gate stack. The stressor region includes a first stressor region having a first p-type impurity concentration, a second stressor region over the first stressor region, wherein the second stressor region has a second p-type impurity concentration, and a third stressor region over the second stressor region. The third stressor region has a third p-type impurity concentration. The second p-type impurity concentration is lower than the first and the third p-type impurity concentrations.

    摘要翻译： 一种器件包括半导体衬底，半导体衬底上的栅极叠层以及具有至少一部分在半导体衬底中并与栅叠层相邻的应力区。 所述应激源区域包括具有第一p型杂质浓度的第一应激源区域，超过所述第一应激区域的第二应激区域，其中所述第二应激区域具有第二p型杂质浓度，以及所述第二应激源上的第三应力区域 地区。 第三应力区域具有第三p型杂质浓度。 第二种p型杂质浓度低于第一和第三种p型杂质浓度。

    Cooling system for an electronic rack
    19.
    发明授权
    Cooling system for an electronic rack 有权
    电子机架的冷却系统

    公开(公告)号：US08879268B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US13371497

    申请日：2012-02-13

    申请人： Shih-Chang Lee ,  Chi-Hao Jin ,  Ming-Lee Chu ,  Chih-Hsun Lin

    发明人： Shih-Chang Lee ,  Chi-Hao Jin ,  Ming-Lee Chu ,  Chih-Hsun Lin

    IPC分类号： H05K7/20

    CPC分类号： H05K7/20709 ,  H05K7/2039 ,  H05K7/20409 ,  H05K7/20445 ,  H05K7/20545

    摘要： The present invention discloses a cooling system for an electronic rack, comprising: an electronic rack comprising at least one side wall; at least one electronic chassis comprising a top wall and at least one side wall and disposed inside the electronic rack for housing at least one modular electronics equipment comprising a plurality of electronic components and at least one stationary thermal interface arranged above the plurality of electronic components; a first detachable thermal interface arranged between the top wall of the at least one electronic chassis and the at least one modular electronic equipment; and at least one second detachable thermal interface arranged between the at least one side wall of the electronic rack and the at least one side wall of the at least one electronic chassis.

    摘要翻译： 本发明公开了一种电子机架的冷却系统，包括：电子机架，包括至少一个侧壁; 至少一个电子底盘，其包括顶壁和至少一个侧壁并且设置在所述电子机架内部，用于容纳包括多个电子部件和布置在所述多个电子部件上方的至少一个固定热接口的至少一个模块化电子设备; 布置在所述至少一个电子底盘的顶壁和所述至少一个模块化电子设备之间的第一可拆卸热接口; 以及布置在所述电子机架的所述至少一个侧壁与所述至少一个电子底盘的所述至少一个侧壁之间的至少一个第二可拆卸热接口。