公开(公告)号：US08394659B1

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US13624406

申请日：2012-09-21

Applicant: Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

Inventor： Guowen Ding ,  Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0324 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Methods for forming Cu—In—Ga—N (CIGN) layers for use in TFPV solar panels are described using reactive PVD deposition in a nitrogen containing atmosphere. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an absorber layer and eliminate the need of a selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as a protective layer to decrease the sensitivity of the CIG layer to oxygen or moisture before the selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an adhesion layer to improve the adhesion between the back contact layer and the absorber layer.

Abstract translation: 在含氮气氛中使用反应性PVD沉积描述了用于TFPV太阳能电池板中形成Cu-In-Ga-N（CIGN）层的方法。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作吸收层，并且不需要硒化步骤。 在一些实施方案中，CIGN层可用作保护层，以在硒化步骤之前降低CIG层对氧或水分的敏感性。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作粘合层以改善背接触层和吸收层之间的粘附。

公开(公告)号：US20120196399A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13269713

申请日：2011-10-10

Applicant: Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

Inventor： Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0324 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Methods for forming Cu—In—Ga—N (CIGN) layers for use in TFPV solar panels are described using reactive PVD deposition in a nitrogen containing atmosphere. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an absorber layer and eliminate the need of a selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as a protective layer to decrease the sensitivity of the CIG layer to oxygen or moisture before the selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an adhesion layer to improve the adhesion between the back contact layer and the absorber layer.

Abstract translation: 在含氮气氛中使用反应性PVD沉积描述了用于TFPV太阳能电池板中形成Cu-In-Ga-N（CIGN）层的方法。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作吸收层，并且不需要硒化步骤。 在一些实施方案中，CIGN层可用作保护层，以在硒化步骤之前降低CIG层对氧或水分的敏感性。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作粘合层以改善背接触层和吸收层之间的粘附。

公开(公告)号：US07320942B2

公开(公告)日：2008-01-22

申请号：US10285967

申请日：2002-11-01

Applicant: Xiaoyi Chen ,  Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Ralph C. Kerns ,  Ying Rui ,  Chun Yan ,  Guowen Ding ,  Wai-Fan Yau

Inventor： Xiaoyi Chen ,  Chentsau Ying ,  Padmapani C. Nallan ,  Ajay Kumar ,  Ralph C. Kerns ,  Ying Rui ,  Chun Yan ,  Guowen Ding ,  Wai-Fan Yau

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L43/12 ,  Y10S438/906

Abstract: A method for removal of metallic residue from a substrate after a plasma etch process in a semiconductor substrate processing system by cleaning the substrate in a hydrogen fluoride solution.

Abstract translation: 一种在半导体衬底处理系统中通过在氟化氢溶液中清洗衬底的等离子体蚀刻工艺之后从衬底去除金属残留物的方法。

公开(公告)号：US20150158762A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：US14097463

申请日：2013-12-05

Applicant: Guowen Ding ,  Minh Huu Le

Inventor： Guowen Ding ,  Minh Huu Le

IPC: C03C17/34 ,  B05D3/02 ,  B05D7/00 ,  B05D1/36

CPC classification number: C03C17/3435 ,  B05D7/56 ,  B05D7/58 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3441 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/328 ,  Y10T428/30

Abstract: Embodiments provided herein describe abrasion resistant glass coatings and methods for forming abrasion resistant glass coatings. A glass body is provided. An abrasion resistant layer is formed above the glass body. The abrasion resistant layer includes an amorphous carbon. A pull-up layer is formed above the abrasion resistant layer. A protective layer is formed above the pull-up layer. The protective layer may include a titanium-based nitride. The pull-up lay may include tungsten oxide, zirconium oxide, manganese oxide, molybdenum oxide, titanium oxide, or a combination thereof.

Abstract translation: 本文提供的实施方案描述了耐磨玻璃涂层和用于形成耐磨玻璃涂层的方法。 提供玻璃体。 在玻璃体的上方形成耐磨层。 耐磨层包括无定形碳。 在耐磨层上形成上拉层。 在上拉层上形成保护层。 保护层可以包括钛基氮化物。 上拉层可以包括氧化钨，氧化锆，氧化锰，氧化钼，氧化钛或其组合。

公开(公告)号：US09011969B2

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：US13337962

申请日：2011-12-27

Applicant: Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

IPC: B05D5/06 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC classification number: C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681

Abstract: Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxynitride layer is formed over the transparent substrate. The metal oxynitride layer includes a first metal and a second metal. A reflective layer is formed over the transparent substrate.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧氮化物层。 金属氧氮化物层包括第一金属和第二金属。 在透明基板上形成反射层。

公开(公告)号：US20130164560A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13337962

申请日：2011-12-27

Applicant: Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

IPC: B32B9/00 ,  B05D5/06

CPC classification number: C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681

Abstract: Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxynitride layer is formed over the transparent substrate. The metal oxynitride layer includes a first metal and a second metal. A reflective layer is formed over the transparent substrate.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧氮化物层。 金属氧氮化物层包括第一金属和第二金属。 在透明基板上形成反射层。

公开(公告)号：US08298849B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13269713

申请日：2011-10-10

Applicant: Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

Inventor： Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0324 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Methods for forming Cu—In—Ga—N (CIGN) layers for use in TFPV solar panels are described using reactive PVD deposition in a nitrogen containing atmosphere. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an absorber layer and eliminate the need of a selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as a protective layer to decrease the sensitivity of the CIG layer to oxygen or moisture before the selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an adhesion layer to improve the adhesion between the back contact layer and the absorber layer.

Abstract translation: 在含氮气氛中使用反应性PVD沉积描述了用于TFPV太阳能电池板中形成Cu-In-Ga-N（CIGN）层的方法。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作吸收层，并且不需要硒化步骤。 在一些实施方案中，CIGN层可用作保护层，以在硒化步骤之前降低CIG层对氧或水分的敏感性。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作粘合层以改善背接触层和吸收层之间的粘附。

公开(公告)号：US20110306215A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13014813

申请日：2011-01-27

Applicant: GUOWEN DING ,  HERRICK NG ,  TEH-TIEN SU ,  BENJAMIN SCHWARZ ,  ZHUANG LI

Inventor： GUOWEN DING ,  HERRICK NG ,  TEH-TIEN SU ,  BENJAMIN SCHWARZ ,  ZHUANG LI

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

Abstract: Methods of processing substrates having metal layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate comprising a metal layer having a patterned mask layer disposed above the metal layer, the method may include etching the metal layer through the patterned mask layer; and removing the patterned mask layer using a first plasma formed from a first process gas comprising oxygen (O2) and a carbohydrate. In some embodiments, a two step method with an additional second process gas comprising chlorine (Cl2) or a sulfur (S) containing gas, may provide an efficient way to remove patterned mask residue.

Abstract translation: 本文提供了处理具有金属层的基板的方法。 在一些实施例中，一种处理包括具有设置在金属层上方的图案化掩模层的金属层的衬底的方法，所述方法可以包括通过图案化掩模层蚀刻金属层; 以及使用由包含氧（O 2）和碳水化合物的第一工艺气体形成的第一等离子体去除图案化掩模层。 在一些实施方案中，具有包含氯（Cl 2）或含硫（S））气体的另外的第二工艺气体的两步法可以提供去除图案化掩模残余物的有效方式。

公开(公告)号：US20090163033A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US11963432

申请日：2007-12-21

Applicant: GUOWEN DING ,  Changhun Lee

Inventor： GUOWEN DING ,  Changhun Lee

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32091

Abstract: Methods for extending service life of chamber components for semiconductor processing are provided. In one embodiment, the method includes maintaining a substrate support assembly disposed in a processing chamber at a first temperature, performing a first plasma process on a first substrate in the processing chamber while the substrate support is maintained at the first temperature, and raising the temperature of the substrate support assembly to a second temperature after completion of the first plasma process.

Abstract translation: 提供延长半导体加工用腔室部件使用寿命的方法。 在一个实施例中，该方法包括将设置在处理室中的基板支撑组件保持在第一温度，在处理室中的第一基板上执行第一等离子体处理，同时将基板支撑件保持在第一温度，并且升高温度 的基板支撑组件在第一等离子体处理完成之后达到第二温度。

公开(公告)号：US09045363B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13338018

申请日：2011-12-27

Applicant: Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun

Inventor： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun

IPC: C03C17/23 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/21 ,  C03C2217/228 ,  C03C2217/23 ,  C03C2217/26 ,  C03C2217/281

Abstract: Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxide layer is formed over the transparent substrate. The metal oxide layer includes a first element, a second element, and a third element. A reflective layer is formed over the transparent substrate. The first element may include tin or zinc. The second element and the third element may each include tin, zinc, antimony, silicon, strontium, titanium, niobium, zirconium, magnesium, aluminum, yttrium, lanthanum, hafnium, or bismuth. The metal oxide layer may also include nitrogen.

Abstract translation: 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧化物层。 金属氧化物层包括第一元件，第二元件和第三元件。 在透明基板上形成反射层。 第一元素可以包括锡或锌。 第二元素和第三元素可以各自包括锡，锌，锑，硅，锶，钛，铌，锆，镁，铝，钇，镧，铪或铋。 金属氧化物层也可以包括氮。