公开(公告)号：US20150158762A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：US14097463

申请日：2013-12-05

申请人： Guowen Ding ,  Minh Huu Le

发明人： Guowen Ding ,  Minh Huu Le

IPC分类号： C03C17/34 ,  B05D3/02 ,  B05D7/00 ,  B05D1/36

CPC分类号： C03C17/3435 ,  B05D7/56 ,  B05D7/58 ,  C03C17/3411 ,  C03C17/3441 ,  C03C2217/78 ,  C03C2218/328 ,  Y10T428/30

摘要： Embodiments provided herein describe abrasion resistant glass coatings and methods for forming abrasion resistant glass coatings. A glass body is provided. An abrasion resistant layer is formed above the glass body. The abrasion resistant layer includes an amorphous carbon. A pull-up layer is formed above the abrasion resistant layer. A protective layer is formed above the pull-up layer. The protective layer may include a titanium-based nitride. The pull-up lay may include tungsten oxide, zirconium oxide, manganese oxide, molybdenum oxide, titanium oxide, or a combination thereof.

摘要翻译： 本文提供的实施方案描述了耐磨玻璃涂层和用于形成耐磨玻璃涂层的方法。 提供玻璃体。 在玻璃体的上方形成耐磨层。 耐磨层包括无定形碳。 在耐磨层上形成上拉层。 在上拉层上形成保护层。 保护层可以包括钛基氮化物。 上拉层可以包括氧化钨，氧化锆，氧化锰，氧化钼，氧化钛或其组合。

公开(公告)号：US09011969B2

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：US13337962

申请日：2011-12-27

申请人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

发明人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

IPC分类号： B05D5/06 ,  C03C17/34 ,  C03C17/36

CPC分类号： C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681

摘要： Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxynitride layer is formed over the transparent substrate. The metal oxynitride layer includes a first metal and a second metal. A reflective layer is formed over the transparent substrate.

摘要翻译： 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧氮化物层。 金属氧氮化物层包括第一金属和第二金属。 在透明基板上形成反射层。

公开(公告)号：US20130164560A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13337962

申请日：2011-12-27

申请人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

发明人： Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Richard Blacker ,  Yiwei Lu ,  Minh Anh Nguyen ,  Zhi-Wen Sun ,  Guowen Ding ,  Jingyu Lao ,  Hien Minh Huu Le

IPC分类号： B32B9/00 ,  B05D5/06

CPC分类号： C03C17/34 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3626 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C17/3681

摘要： Embodiments provided herein describe a low-e panel and a method for forming a low-e panel. A transparent substrate is provided. A metal oxynitride layer is formed over the transparent substrate. The metal oxynitride layer includes a first metal and a second metal. A reflective layer is formed over the transparent substrate.

摘要翻译： 本文提供的实施例描述了低e面板和形成低e面板的方法。 提供透明基板。 在透明基板上形成金属氧氮化物层。 金属氧氮化物层包括第一金属和第二金属。 在透明基板上形成反射层。

公开(公告)号：US08298849B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US13269713

申请日：2011-10-10

申请人： Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

发明人： Guowen Ding ,  Hien Minh Huu Le ,  Guizhen Zhang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/0324 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/5866 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/032 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for forming Cu—In—Ga—N (CIGN) layers for use in TFPV solar panels are described using reactive PVD deposition in a nitrogen containing atmosphere. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an absorber layer and eliminate the need of a selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as a protective layer to decrease the sensitivity of the CIG layer to oxygen or moisture before the selenization step. In some embodiments, the CIGN layers can be used as an adhesion layer to improve the adhesion between the back contact layer and the absorber layer.

摘要翻译： 在含氮气氛中使用反应性PVD沉积描述了用于TFPV太阳能电池板中形成Cu-In-Ga-N（CIGN）层的方法。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作吸收层，并且不需要硒化步骤。 在一些实施方案中，CIGN层可用作保护层，以在硒化步骤之前降低CIG层对氧或水分的敏感性。 在一些实施方案中，CIGN层可以用作粘合层以改善背接触层和吸收层之间的粘附。

公开(公告)号：US20110180122A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12694113

申请日：2010-01-26

申请人： David Tanner ,  Hien-minh Huu Le ,  Tzay-fa Su ,  Dapeng Wang

发明人： David Tanner ,  Hien-minh Huu Le ,  Tzay-fa Su ,  Dapeng Wang

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

摘要： A photovoltaic device is provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a transparent conductive oxide (TCO) layer deposited over the substrate, and a plurality of electrical conductive paths disposed in electrical contact with the TCO layer, wherein the plurality of electrical conductive paths extend discontinuously across opposing sides of the substrate.

摘要翻译： 提供光伏器件。 在一个实施例中，光伏器件包括沉积在衬底上的透明导电氧化物（TCO）层，以及设置成与TCO层电接触的多个导电路径，其中多个导电路径不连续地延伸穿过衬底的相对侧 底物。

公开(公告)号：US20110174362A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12980135

申请日：2010-12-28

申请人： David Tanner ,  Hien-Minh Huu Le ,  Quancheng (Tommy) Gu ,  Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Dapeng Wang

发明人： David Tanner ,  Hien-Minh Huu Le ,  Quancheng (Tommy) Gu ,  Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Dapeng Wang

IPC分类号： H01L31/0248 ,  H01L31/02

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67736 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method and apparatus for forming solar cells is provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a antireflection coating layer disposed on a first surface of a substrate, a barrier layer disposed on a second surface of the substrate, a first transparent conductive oxide layer disposed on the barrier layer, a conductive contact layer disposed on the first transparent conductive oxide layer, a first p-i-n junction formed on the conductive contact layer, and a second transparent conductive oxide layer formed on the first p-i-n junction.

摘要翻译： 提供一种用于形成太阳能电池的方法和装置。 在一个实施例中，光伏器件包括设置在衬底的第一表面上的抗反射涂层，设置在衬底的第二表面上的阻挡层，设置在阻挡层上的第一透明导电氧化物层，设置在导电接触层 在第一透明导电氧化物层上形成在导电接触层上的第一pin结，以及形成在第一pin结上的第二透明导电氧化物层。

公开(公告)号：US07967913B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12508381

申请日：2009-07-23

申请人： Zhong Qiang Hua ,  Sanjay Kamath ,  Young S. Lee ,  Ellie Y. Yieh ,  Hien-Minh Huu Le ,  Anjana M. Patel ,  Sudhir R. Gondhalekar

发明人： Zhong Qiang Hua ,  Sanjay Kamath ,  Young S. Lee ,  Ellie Y. Yieh ,  Hien-Minh Huu Le ,  Anjana M. Patel ,  Sudhir R. Gondhalekar

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： B08B7/0035 ,  C23C16/4405

摘要： A remote plasma process for removing unwanted deposition build-up from one or more interior surfaces of a substrate processing chamber after processing a substrate disposed in the substrate processing chamber. In one embodiment, the substrate is transferred out of the substrate processing chamber and a flow of a fluorine-containing etchant gas is introduced into a remote plasma source where reactive species are formed. A continuous flow of the reactive species from the remote plasmas source to the substrate processing chamber is generated while a cycle of high and low pressure clean steps is repeated. During the high pressure clean step, reactive species are flown into the substrate processing chamber while pressure within the substrate processing chamber is maintained between 4-15 Torr. During the low pressure clean step, reactive species are flown into the substrate processing chamber while reducing the pressure of the substrate processing chamber by at least 50 percent of a high pressure reached in the high pressure clean step.

摘要翻译： 一种远程等离子体处理，用于在处理设置在基板处理室中的基板之后从基板处理室的一个或多个内表面去除不需要的沉积物。 在一个实施例中，将衬底转移出衬底处理室，并且将含氟蚀刻剂气体的流引入形成反应性物质的远程等离子体源中。 产生反应物质从远程等离子体源到基底处理室的连续流动，同时重复高低压清洁步骤的循环。 在高压清洁步骤期间，反应性物质流入基板处理室，同时基板处理室内的压力保持在4-15Torr之间。 在低压清洁步骤期间，将反应性物质流入基板处理室，同时将基板处理室的压力降低至高压清洁步骤达到的至少50％的高压。

公开(公告)号：US20100313945A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12196001

申请日：2008-08-21

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1888 ,  Y02E10/52

摘要： Photovoltaic cells and methods for making photovoltaic cells are described. The methods include disposing an intermediate layer within the back contact at a thickness that does not negatively impact reflection or transmission of light through the solar cell. The intermediate layer prevents peeling of metal from the back contact during laser scribing.

摘要翻译： 描述了用于制造光伏电池的光伏电池和方法。 所述方法包括以不负面影响通过太阳能电池的光的反射或透射的厚度来设置背面接触中的中间层。 中间层在激光划线期间防止金属从背面接触剥离。

公开(公告)号：US20100311228A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12748780

申请日：2010-03-29

申请人： VALERY V. KOMIN ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

发明人： VALERY V. KOMIN ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/20

CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to a process of depositing a transparent conductive oxide layer over a substrate. The transparent oxide layer is sometimes deposited onto a substrate for later use in a solar cell device. The transparent conductive oxide layer may be deposited by a “cold” sputtering process. In other words, during the sputtering process, a plasma is ignited in the processing chamber which naturally heats the substrate. No additional heat is provided to the substrate during deposition such as from the susceptor. After the transparent conductive oxide layer is deposited, the substrate may be annealed and etched, in either order, to texture the transparent conductive oxide layer. In order to tailor the shape of the texturing, different wet etch chemistries may be utilized. The different etch chemistries may be used to shape the surface of the transparent conductive oxide and the etch rate.

公开(公告)号：US07461794B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11206650

申请日：2005-08-18

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  Michael T. Starr

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  Michael T. Starr

IPC分类号： G05D23/12 ,  F25D23/12 ,  C23C16/00

CPC分类号： G05D23/121

摘要： A method and apparatus for regulating the temperature of substrates positioned within a chamber are provided. In one embodiment, a substrate support pin is provided that includes a body having a substrate support region defined at a first end and a mounting region defined at a second end of the body. A mounting feature is formed at the mounting region and is adapted to couple the body to a vacuum chamber body. A passage extends from the mounting region to the support region. An outlet formed through the body and orientated at an angle greater than zero relative to a centerline of the body is p provided to deliver fluids flowing through the passage out the first end of the body. In another embodiment, a chamber includes a pin configured to provide a temperature controlled fluid to an underside of a substrate supported on the pin.

摘要翻译： 提供了一种用于调节位于腔室内的衬底的温度的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种衬底支撑销，其包括具有限定在第一端处的衬底支撑区域和限定在身体的第二端处的安装区域的主体。 安装特征形成在安装区域处，并且适于将主体连接到真空室主体。 通道从安装区域延伸到支撑区域。 提供通过本体形成的并且相对于主体的中心线以大于零的角度定向的出口，以将流过通道的流体输送出身体的第一端。 在另一个实施例中，腔室包括构造成将温度控制的流体提供给支撑在销上的衬底的下侧的销。