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    Acoustically agitated delivery
    12.
    发明授权
    Acoustically agitated delivery 失效
    声音搅动输送

    公开(公告)号：US6106374A

    公开(公告)日：2000-08-22

    申请号：US116792

    申请日：1998-07-16

    申请人： Karl E. Boggs ,  Leonard C. Stevens

    发明人： Karl E. Boggs ,  Leonard C. Stevens

    IPC分类号： B24B1/04 ,  B24B37/04 ,  B24B57/02 ,  B24B57/00

    CPC分类号： B24B37/04 ,  B24B1/04 ,  B24B57/02

    摘要： A chemical mechanical polishing apparatus comprises a delivery system for supplying a slurry, wherein the slurry includes suspended particles and at least one acoustic element, connected to the delivery system, the acoustic element generating sound waves for agitating the slurry and maintaining the particles in suspension.

    摘要翻译： 化学机械抛光装置包括用于供应浆料的输送系统，其中所述浆料包括悬浮颗粒和连接到输送系统的至少一个声学元件，所述声学元件产生用于搅拌浆料并保持悬浮液的声波。

    Regeneration of chemical mechanical polishing pads in-situ
    14.
    发明授权
    Regeneration of chemical mechanical polishing pads in-situ 失效
    化学机械抛光垫原位再生

    公开(公告)号：US06296717B1

    公开(公告)日：2001-10-02

    申请号：US09330657

    申请日：1999-06-11

    申请人： Adam D. Ticknor ,  Karl E. Boggs ,  Kenneth M. Davis ,  William F. Landers ,  Michael L. Passow

    发明人： Adam D. Ticknor ,  Karl E. Boggs ,  Kenneth M. Davis ,  William F. Landers ,  Michael L. Passow

    IPC分类号： C23G136

    CPC分类号： B24B37/042 ,  H01L21/30625

    摘要： An in-situ method for regenerating a chemical-mechanical polishing pad which includes the steps of: forming the polishing pad by dispensing liquid moldable material, such as wax, polymers or water, on a polishing surface and solidifying the liquid material by reducing the temperature, allowing the moldable material to harden; distributing slurry material on the polishing pad; polishing the surface of a semiconductor wafer with a combination of the slurry material and the polishing pad; and regenerating in-situ the polishing pad. This method quickly, easily and repeatably, resurfaces and refreshes the surface on which the a semiconductor wafer is polished. The polishing pad may also include abrasives embedded therein to enhance its polishing capabilities.

    摘要翻译： 一种用于再生化学机械抛光垫的原位方法，其包括以下步骤：通过在抛光表面上分配液体可模制材料（例如蜡，聚合物或水）形成抛光垫，并通过降低温度来固化液体材料 ，使可模塑材料硬化; 在抛光垫上分配浆料; 用浆料和抛光垫的组合抛光半导体晶片的表面; 并原位再生抛光垫。 该方法快速，容易和重复地重现和刷新其上抛光半导体晶片的表面。 抛光垫还可以包括嵌入其中的磨料以增强其抛光能力。

    CMP process using indicator areas to determine endpoint
    16.
    发明授权
    CMP process using indicator areas to determine endpoint 有权
    CMP过程使用指示器区域来确定端点

    公开(公告)号：US5972787A

    公开(公告)日：1999-10-26

    申请号：US135866

    申请日：1998-08-18

    申请人： Karl E. Boggs ,  Chenting Lin ,  Joachim F. Nuetzel ,  Robert Ploessl ,  Maria Ronay ,  Florian Schnabel ,  Jeremy K. Stephens

    发明人： Karl E. Boggs ,  Chenting Lin ,  Joachim F. Nuetzel ,  Robert Ploessl ,  Maria Ronay ,  Florian Schnabel ,  Jeremy K. Stephens

    IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/66 ,  H01L23/544 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

    CPC分类号： B24B49/12 ,  B24B37/013 ,  H01L21/31053 ,  H01L22/20 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002

    摘要： The method of polishing metal layers on wafers comprises the steps of: providing indicator areas on said wafer, said indicator areas having combinations of line widths and pattern factors violating existing ground rules of metal lines thereby said indicator areas being dished out during said polishing using a chemical-mechanical polisher to polish the metal layers to remove material therefrom, inspecting indicator areas on the wafer to determine an amount of material removed from said areas, and adjusting the operation of the chemical-mechanical polisher in response to the inspection of the indicator areas. The indicator areas may include macroblocks comprised of a multitude of individual blocks. The wafer may be inspected by optically identifying the polishing state of to blocks in the macroblock. Additionally, the process may be automated for mass production. A feedback loop to the polisher can be formed where data from optical inspection of macroblocks on a polished wafer can be immediately fed back to the polisher in order to adjust process parameters.

    摘要翻译： 在晶片上抛光金属层的方法包括以下步骤：在所述晶片上提供指示器区域，所述指示器区域具有违反金属线的现有基准规则的线宽度和图案因素的组合，从而在所述抛光期间抛光所述指示器区域， 化学机械抛光机抛光金属层以从中去除材料，检查晶片上的指示器区域以确定从所述区域移除的材料的量，以及响应于指示器区域的检查来调整化学机械抛光机的操作 。 指示器区域可以包括由多个单独块组成的宏块。 可以通过光学地识别宏块中的块的抛光状态来检查晶片。 此外，该方法可以自动化用于批量生产。 可以形成到抛光机的反馈回路，其中来自抛光晶片上的宏块的光学检查的数据可以被立即反馈到抛光机，以便调整工艺参数。

    Method for repairing surface defects
    18.
    发明授权
    Method for repairing surface defects 失效
    修复表面缺陷的方法

    公开(公告)号：US6087191A

    公开(公告)日：2000-07-11

    申请号：US12142

    申请日：1998-01-22

    申请人： Karl E. Boggs

    发明人： Karl E. Boggs

    IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  B24B1/00

    CPC分类号： H01L21/32115 ,  H01L21/31051

    摘要： A method for repairing defects in a surface layer of a substrate. The method comprises the redeposition, in a solvent environment, of a fill material into the defects of the surface layer. The fill material is provided by the surface layer itself or from a separate source comprising a different material from that of the surface layer.

    摘要翻译： 一种用于修复衬底的表面层中的缺陷的方法。 该方法包括在溶剂环境中将填充材料再沉积到表面层的缺陷中。 填充材料由表面层本身提供，或由包括与表面层不同的材料的单独的源提供。

    Piezo-actuated CMP carrier
    19.
    发明授权
    Piezo-actuated CMP carrier 失效
    压电式CMP载体

    公开(公告)号：US06325696B1

    公开(公告)日：2001-12-04

    申请号：US09395393

    申请日：1999-09-13

    申请人： Karl E. Boggs ,  Kenneth M. Davis ,  William F. Landers ,  Michael F. Lofaro ,  Adam D. Ticknor ,  Ronald D. Fiege

    发明人： Karl E. Boggs ,  Kenneth M. Davis ,  William F. Landers ,  Michael F. Lofaro ,  Adam D. Ticknor ,  Ronald D. Fiege

    IPC分类号： B24B4900

    CPC分类号： B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16

    摘要： A chemical-mechanical polishing (CMP) control system controls distribution of pressure across the backside of a semiconductor wafer being polished. The system includes a CMP apparatus having a carrier for supporting a semiconductor wafer. The carrier includes a plurality of dual function piezoelectric actuators. The actuators sense pressure variations across the semiconductor wafer and are individually controllable. A control is connected to the actuators for monitoring sensed pressure variations and controlling the actuators to provide a controlled pressure distribution across the semiconductor wafer.

    摘要翻译： 化学机械抛光（CMP）控制系统控制正在抛光的半导体晶片背面的压力分布。 该系统包括具有用于支撑半导体晶片的载体的CMP装置。 载体包括多个双功能压电致动器。 致动器感测半导体晶片上的压力变化，并且可以单独控制。 控制器连接到致动器，用于监测感测的压力变化并控制致动器以提供横跨半导体晶片的受控压力分布。