公开(公告)号：US07064227B1

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US11008069

申请日：2004-12-09

申请人： Xinjian Lei ,  Ron Rulkens

发明人： Xinjian Lei ,  Ron Rulkens

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： C07F7/045 ,  C23C16/40

摘要： A composition selected from the group consisting of bis(tert-butoxy)(isopropoxy)silanol, bis(isopropoxy)(tert-butoxy)silanol, bis(tert-pentoxy)(isopropoxy)silanol, bis(isopropoxy)(tert-pentoxy)silanol, bis(tert-pentoxy)(tert-butoxy)silanol, bis(tert-butoxy)(tert-pentoxy)silanol and mixtures thereof; its use to form a metal or metalloid silicate layer on a substrate and the synthesis of the mixed alkoxysilanols.

摘要翻译： 选自双（叔丁氧基）（异丙氧基）硅烷醇，双（异丙氧基）（叔丁氧基）硅烷醇，双（叔戊氧基）（异丙氧基）硅烷醇，双（异丙氧基）（叔戊氧基） 硅烷醇，双（叔戊氧基）（叔丁氧基）硅烷醇，双（叔丁氧基）（叔戊氧基）硅烷醇及其混合物; 其用于在基材上形成金属或准金属硅酸盐层和混合的烷氧基硅烷醇的合成。

公开(公告)号：US08906455B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13624190

申请日：2012-09-21

申请人： Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Bing Han ,  Manchao Xiao ,  Eugene Joseph Karwacki, Jr. ,  Hansong Cheng

发明人： Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Bing Han ,  Manchao Xiao ,  Eugene Joseph Karwacki, Jr. ,  Hansong Cheng

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  H01L21/314 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30

CPC分类号： H01L21/02271 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

摘要： This invention discloses the method of forming silicon nitride, silicon oxynitride, silicon oxide, carbon-doped silicon nitride, carbon-doped silicon oxide and carbon-doped oxynitride films at low deposition temperatures. The silicon containing precursors used for the deposition are monochlorosilane (MCS) and monochloroalkylsilanes. The method is preferably carried out by using plasma enhanced atomic layer deposition, plasma enhanced chemical vapor deposition, and plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅，氮氧化硅，氧化硅，碳掺杂氮化硅，碳掺杂氧化硅和碳掺杂氧氮化物膜的方法。 用于沉积的含硅前体是一氯硅烷（MCS）和一氯代烷基硅烷。 该方法优选通过使用等离子体增强原子层沉积，等离子体增强化学气相沉积和等离子体增强循环化学气相沉积来进行。

公开(公告)号：US20140287164A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US14122825

申请日：2012-06-01

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Ronald Martin Pearlstein ,  Haripin Chandra ,  Eugene Joseph Karwacki, JR. ,  Bing Han ,  Mark Leonard O'Neill

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Ronald Martin Pearlstein ,  Haripin Chandra ,  Eugene Joseph Karwacki, JR. ,  Bing Han ,  Mark Leonard O'Neill

IPC分类号： C09D5/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02211 ,  C07F7/0896 ,  C07F7/10 ,  C09D5/00 ,  C09D7/63 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0228

摘要： Described herein are compositions for depositing a carbon-doped silicon containing film wherein the composition comprises a first precursor comprising at least one compound selected from the group consisting of: an organoaminoalkylsilane having a formula of R5Si(NR3R4)xH3-x wherein x=1, 2, 3; an organoalkoxyalkylsilane having a formula of R6Si(OR7)xH3-x wherein x=1, 2, 3; an organoaminosilane having a formula of R8N(SiR9(NR10R11)H)2; an organoaminosilane having a formula of R8N(SiR9LH)2 and combinations thereof; and optionally a second precursor comprising a compound having the formula: Si(NR1R2)H3. Also described herein are methods for depositing a carbon-doped silicon-containing film using the composition wherein the method is one selected from the following: cyclic chemical vapor deposition (CCVD), atomic layer deposition (ALD), plasma enhanced ALD (PEALD) and plasma enhanced CCVD (PECCVD).

摘要翻译： 本文描述了用于沉积含碳掺杂硅的膜的组合物，其中组合物包含第一前体，其包含至少一种选自下组的化合物：具有式R 5 Si（NR 3 R 4）x H 3-x的有机氨基烷基硅烷，其中x = 1， 2，3; 具有式R6Si（OR7）xH3-x的有机烷氧基烷基硅烷，其中x = 1,2,3; 具有式R 8 N（SiR 9（NR 10 R 11）H）2的有机氨基硅烷; 具有式R8N（SiR9LH）2的有机氨基硅烷及其组合; 和任选地包含具有下式的化合物的第二前体：Si（NR1R2）H3。 本文还描述了使用该组合物沉积碳掺杂含硅膜的方法，其中所述方法选自以下：循环化学气相沉积（CCVD），原子层沉积（ALD），等离子体增强ALD（PEALD）和 等离子增强CCVD（PECCVD）。

公开(公告)号：US08708320B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US11939109

申请日：2007-11-13

申请人： Thomas Andrew Steidl ,  Charles Michael Birtcher ,  Xinjian Lei

发明人： Thomas Andrew Steidl ,  Charles Michael Birtcher ,  Xinjian Lei

IPC分类号： B01F3/04

CPC分类号： C23C16/4482 ,  C23C16/448

摘要： The present invention is a bubbler having a diptube inlet ending in a bubble size reducing outlet and at least one baffle disc positioned between the outlet of the diptube and the outlet of the bubbler to provide a narrow annular space between the baffle disc and the wall of the bubbler to prevent liquid droplets from entering the outlet to the bubbler. The bubble size reducing outlet is an elongated cylindrical porous metal frit situated in a sump of approximately the same dimensions. A metal frit is placed at the inlet of the outlet of the bubbler. The present invention is also a process of delivering a chemical precursor from a bubbler vessel having the above structure.

摘要翻译： 本发明是一种起泡器，其具有终止于气泡尺寸减小出口的二通孔入口和至少一个位于汲取管的出口和起泡器的出口之间的挡板，以在挡板和壁之间提供窄的环形空间 起泡器以防止液滴进入出口到起泡器。 气泡尺寸减小出口是位于大致相同尺寸的贮槽中的细长圆柱形多孔金属玻璃料。 金属玻璃料放置在起泡器出口的入口处。 本发明也是从具有上述结构的起泡容器输送化学前体的方法。

公开(公告)号：US08642797B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13030227

申请日：2011-02-18

申请人： Sergei Vladimirovich Ivanov ,  Wade Hampton Bailey, III ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence

发明人： Sergei Vladimirovich Ivanov ,  Wade Hampton Bailey, III ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence

IPC分类号： C07F7/00 ,  C07F11/00 ,  C07F15/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F7/003 ,  C23C16/405

摘要： Volatile metal amidate metal complexes are exemplified by bis(N-(tert-butyl)ethylamidate)bis(ethylmethylamido) titanium; (N-(tert-butyl)(tert-butyl)amidate)tris(ethylmethylamido) titanium; bis(N-(tert-butyl)(tert-butyl)amidate)bis(dimethylamido) titanium and (N-(tert-butyl)(tert-butyl)amidate)tris(dimethylamido) titanium. The term “volatile” refers to any precursor of this invention having vapor pressure above 0.5 torr at temperature less than 200° C. Metal-containing film depositions using these metal amidate ligands are also described.

摘要翻译： 挥发性金属酰胺化物金属络合物的实例是双（N-（叔丁基）乙基氨基乙酸酯）双（乙基甲基氨基）钛; （N-（叔丁基）（叔丁基）酰胺酯）三（乙基甲基氨基）钛; 双（N-（叔丁基）（叔丁基）酰胺酯）双（二甲基氨基）钛和（N-（叔丁基）（叔丁基）酰胺酯）三（二甲基氨基）钛。 术语“挥发性”是指在低于200℃的温度下蒸气压高于0.5托的本发明任何前体。还描述了使用这些金属酰胺化物配体的含金属膜沉积。

公开(公告)号：US08507040B2

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：US13156501

申请日：2011-06-09

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： This invention discloses the synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having neucleophilic substituents generate metal chalcogenides. This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明公开了使用化学气相沉积（CVD）工艺，原子层沉积（ALD）工艺或湿法工艺的金属硫族化合物的合成。 有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应产生金属硫族化物。 该化学物质用于沉积锗 - 锑碲（GeSbTe）和锗 - 锑 - 硒（GeSbSe）膜或其他碲和硒基金属化合物用于相变记忆和光伏器件。

公开(公告)号：US20130078392A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13622117

申请日：2012-09-18

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Mark Leonard O'Neill ,  Bing Han ,  Ronald Martin Pearlstein ,  Haripin Chandra ,  Heather Regina Bowen ,  Agnes Derecskei-Kovacs

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Mark Leonard O'Neill ,  Bing Han ,  Ronald Martin Pearlstein ,  Haripin Chandra ,  Heather Regina Bowen ,  Agnes Derecskei-Kovacs

IPC分类号： C07F7/02

CPC分类号： C07F7/025 ,  C07F7/12 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： Described herein are precursors and methods of forming films. In one aspect, there is provided a precursor having Formula I: XmR1nHpSi(NR2R3)4-m-n-p  I wherein X is selected from Cl, Br, I; R1 is selected from linear or branched C1-C10 alkyl group, a C2-C12 alkenyl group, a C2-C12 alkynyl group, a C4-C10 cyclic alkyl, and a C6-C10 aryl group; R2 is selected from a linear or branched C1-C10 alkyl, a C3-C12 alkenyl group, a C3-C12 alkynyl group, a C4-C10 cyclic alkyl group, and a C6-C10 aryl group; R3 is selected from a branched C3-C10 alkyl group, a C3-C12 alkenyl group, a C3-C12 alkynyl group, a C4-C10 cyclic alkyl group, and a C6-C10 aryl group; m is 1 or 2; n is 0, 1, or 2; p is 0, 1 or 2; and m+n+p is less than 4, wherein R2 and R3 are linked or not linked to form a ring.

摘要翻译： 这里描述的是形成膜的前体和方法。 一方面，提供了具有式I的前体：XmR1nHpSi（NR2R3）4-m-n-p1其中X选自Cl，Br，I; R 1选自直链或支链C 1 -C 10烷基，C 2 -C 12烯基，C 2 -C 12炔基，C 4 -C 10环烷基和C 6 -C 10芳基; R2选自直链或支链C1-C10烷基，C3-C12烯基，C3-C12炔基，C4-C10环烷基和C6-C10芳基; R3选自支链C 3 -C 10烷基，C 3 -C 12烯基，C 3 -C 12炔基，C 4 -C 10环烷基和C 6 -C 10芳基; m为1或2; n为0,1或2; p为0,1或2; 并且m + n + p小于4，其中R2和R3连接或未连接形成环。

公开(公告)号：US20130078391A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13363918

申请日：2012-02-01

申请人： John Anthony Thomas Norman ,  Melanie K. Perez ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence ,  Sergie Vladimirovich Ivanov ,  Wade Hampton Bailey, III

发明人： John Anthony Thomas Norman ,  Melanie K. Perez ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence ,  Sergie Vladimirovich Ivanov ,  Wade Hampton Bailey, III

IPC分类号： C07F17/02

CPC分类号： C07F17/02 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F7/003 ,  C07F7/28 ,  C07F15/02 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00

摘要： Metal imidazolate complexes are described where imidazoles ligands functionalized with bulky groups and their anionic counterpart, i.e., imidazolates are described. Compounds comprising one or more such polyalkylated imidazolate anions coordinated to a metal or more than one metal, selected from the group consisting of alkali metals, transition metals, lanthanide metals, actinide metals, main group metals, including the chalcogenides, are contemplated. Alternatively, multiple different imidazole anions, in addition to other different anions, can be coordinated to metals to make new complexes. The synthesis of novel compounds and their use to form thin metal containing films is also contemplated.

摘要翻译： 描述了金属咪唑盐络合物，其中描述了用大体积基团官能化的咪唑配体及其阴离子配对物，即咪唑盐。 包括一种或多种这样的多烷基化咪唑酸盐阴离子配位到金属或一种以上选自碱金属，过渡金属，镧系元素金属，锕系金属，主要金属（包括硫族化物）的金属中。 或者，除了其它不同的阴离子之外，多种不同的咪唑阴离子可以与金属配位以制备新的络合物。 还考虑了新化合物的合成及其用于形成含薄金属膜的用途。

公开(公告)号：US20120121806A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13152885

申请日：2011-06-03

申请人： John Anthony Thomas Norman ,  Melanie K. Perez ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence ,  Sergei Vladimirovich Ivanov ,  Wade Hampton Bailey, III

发明人： John Anthony Thomas Norman ,  Melanie K. Perez ,  Xinjian Lei ,  Daniel P. Spence ,  Sergei Vladimirovich Ivanov ,  Wade Hampton Bailey, III

IPC分类号： C07F7/28 ,  C07F13/00 ,  B05D3/12 ,  C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C07F15/02 ,  C07F5/00

CPC分类号： C07F17/02 ,  C07F5/00 ,  C07F5/003 ,  C07F7/003 ,  C07F7/28 ,  C07F15/02 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06 ,  C07F17/00

摘要： Metal imidazolate complexes are described where imidazoles ligands functionalized with bulky groups and their anionic counterpart, i.e., imidazolates are described. Compounds comprising one or more such polyalkylated imidazolate anions coordinated to a metal or more than one metal, selected from the group consisting of alkali metals, transition metals, lanthanide metals, actinide metals, main group metals, including the chalcogenides, are contemplated. Alternatively, multiple different imidazole anions, in addition to other different anions, can be coordinated to metals to make new complexes. The synthesis of novel compounds and their use to form thin metal containing films is also contemplated.

摘要翻译： 描述了金属咪唑盐络合物，其中描述了用大体积基团官能化的咪唑配体及其阴离子配对物，即咪唑盐。 包括一种或多种这样的多烷基化咪唑酸盐阴离子配位到金属或一种以上选自碱金属，过渡金属，镧系元素金属，锕系金属，主要金属（包括硫族化物）的金属中。 或者，除了其它不同的阴离子之外，多种不同的咪唑阴离子可以与金属配位以制备新的络合物。 还考虑了新化合物的合成及其用于形成含薄金属膜的用途。

公开(公告)号：US20110262642A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US12976041

申请日：2010-12-22

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Heather Regina Bowen ,  Mark Leonard O'Neill

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Heather Regina Bowen ,  Mark Leonard O'Neill

IPC分类号： C23C16/00 ,  C09D7/12

CPC分类号： H01L21/02211 ,  C07F7/025 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31633

摘要： A method for depositing a silicon containing film on a substrate using an organoaminosilane is described herein. The organoaminosilanes are represented by the formulas: wherein R is selected from a C1-C10 linear, branched, or cyclic, saturated or unsaturated alkyl group with or without substituents; a C5-C10 aromatic group with or without substituents, a C3-C10 heterocyclic group with or without substituents, or a silyl group in formula C with or without substituents, R1 is selected from a C3-C10 linear, branched, cyclic, saturated or unsaturated alkyl group with or without substituents; a C6-C10 aromatic group with or without substituents, a C3-C10 heterocyclic group with or without substituents, a hydrogen atom, a silyl group with substituents and wherein R and R1 in formula A can be combined into a cyclic group and R2 representing a single bond, (CH2)n chain, a ring, C3-C10 branched alkyl, SiR2, or SiH2.

摘要翻译： 本文描述了使用有机氨基硅烷在基板上沉积含硅膜的方法。 有机基氨基硅烷由下式表示：其中R选自具有或不具有取代基的C1-C10直链，支链或环状饱和或不饱和的烷基; 具有或不具有取代基的C 5 -C 10芳族基团，具有或不具有取代基的C 3 -C 10杂环基或具有或不具有取代基的式C中的甲硅烷基，其选自C 3 -C 10直链，支链，环状，饱和或 有或没有取代基的不饱和烷基; 具有或不具有取代基的C 6 -C 10芳族基团，具有或不具有取代基的C 3 -C 10杂环基，氢原子，具有取代基的甲硅烷基，并且其中式A中的R和R可以组合成环状基团，并且R 2表示 单键，（CH 2）n链，环，C 3 -C 10支链烷基，SiR 2或SiH 2。