公开(公告)号：US07973359B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12194384

申请日：2008-08-19

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with a charge carrier compensation structure. In one embodiment, the semiconductor device has a central cell field with a gate and source structure. At least one bond contact area is electrically coupled to the gate structure or the source structure. A capacitance-increasing field plate is electrically coupled to at least one of the near-surface bond contact areas.

摘要翻译： 具有电荷载体补偿结构的半导体器件。 在一个实施例中，半导体器件具有具有栅极和源极结构的中心电池区。 至少一个键合接触区域电耦合到栅极结构或源极结构。 电容增大场板电耦合到近表面接合区域中的至少一个。

公开(公告)号：US20110156095A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12977755

申请日：2010-12-23

申请人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7397 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/4236

摘要： A semiconductor component includes a first emitter zone of a first conductivity type, a second emitter zone of a second conductivity type, a first base zone arranged between the first and second emitter zones and a first control structure. The first control structure includes a control electrode arranged adjacent the first emitter zone, the control electrode being insulated from the first emitter zone by a first dielectric layer and extending in a current flow direction of the semiconductor component. The first control structure includes a first control connection and at least one first connection zone arranged between the first control connection and the control electrode and comprising a semiconductor material.

摘要翻译： 半导体部件包括第一导电类型的第一发射极区域，第二导电类型的第二发射极区域，布置在第一和第二发射极区域之间的第一基极区域和第一控制结构。 第一控制结构包括布置在第一发射区附近的控制电极，控制电极通过第一介电层与第一发射区绝缘，并沿着半导体部件的电流流动方向延伸。 第一控制结构包括第一控制连接和布置在第一控制连接和控制电极之间并且包括半导体材料的至少一个第一连接区域。

公开(公告)号：US20100044788A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12194384

申请日：2008-08-19

申请人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Gerald Deboy ,  Holger Kapels ,  Carolin Tolksdorf ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device with a charge carrier compensation structure. In one embodiment, the semiconductor device has a central cell field with a gate and source structure. At least one bond contact area is electrically coupled to the gate structure or the source structure. A capacitance-increasing field plate is electrically coupled to at least one of the near-surface bond contact areas.

摘要翻译： 具有电荷载体补偿结构的半导体器件。 在一个实施例中，半导体器件具有具有栅极和源极结构的中心电池区。 至少一个键合接触区域电耦合到栅极结构或源极结构。 电容增大场板电耦合到近表面接合区域中的至少一个。

公开(公告)号：US20050161746A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US11023040

申请日：2004-12-23

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Elmar Falck ,  Josef Lutz

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Elmar Falck ,  Josef Lutz

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L31/109

CPC分类号： H01L29/0834 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor diode (1, 1′) has an anode (2), a cathode (3) and a semiconductor volume (7) provided between anode (2) and cathode (3). A plurality of semiconductor zones (81 to 84) are formed in the semiconductor volume (7), which semiconductor zones are inversely doped with respect to their immediate surroundings, spaced apart from one another and provided in the vicinity of the cathode (3). The semiconductor zones are spaced apart from the cathode (3).

摘要翻译： 半导体二极管（1,1'）具有设置在阳极（2）和阴极（3）之间的阳极（2），阴极（3）和半导体体积（7）。 在半导体体积（7）中形成有多个半导体区域（81〜84），该半导体区域相对于它们的紧邻环境相反地被掺杂，彼此间隔开并设置在阴极（3）附近。 半导体区域与阴极（3）间隔开。

公开(公告)号：US20130341674A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13529185

申请日：2012-06-21

申请人： Dorothea Werber ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carsten Schaeffer ,  Volodymyr Komarnitskyy ,  Anton Mauder

发明人： Dorothea Werber ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze ,  Carsten Schaeffer ,  Volodymyr Komarnitskyy ,  Anton Mauder

IPC分类号： H01L29/739

CPC分类号： H01L29/32 ,  H01L21/26506 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/423 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

摘要： A semiconductor device includes a first emitter region of a first conductivity type, a second emitter region of a second conductivity type complementary to the first type, a drift region of the second conductivity type, and a first electrode. The first and second emitter regions are arranged between the drift region and first electrode and each connected to the first electrode. A device cell of a cell region includes a body region of the first conductivity type adjoining the drift region, a source region of the second conductivity type adjoining the body region, and a gate electrode adjacent the body region and dielectrically insulated from the body region by a gate dielectric. A second electrode is electrically connected to the source and body regions. A parasitic region of the first conductivity type is disposed outside the cell region and includes at least one section with charge carrier lifetime reduction means.

摘要翻译： 半导体器件包括第一导电类型的第一发射极区域，与第一类型互补的第二导电类型的第二发射极区域，第二导电类型的漂移区域和第一电极。 第一和第二发射极区域布置在漂移区域和第一电极之间，并且每个连接到第一电极。 单元区域的器件单元包括邻接漂移区的第一导电类型的主体区域，与身体区域邻接的第二导电类型的源极区域和与身体区域相邻并且与身体区域电介质绝缘的栅电极， 栅极电介质。 第二电极电连接到源区和体区。 第一导电类型的寄生区域设置在单元区域的外部，并且包括至少一个带有载流子寿命减少装置的区段。

公开(公告)号：US08564098B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US12718381

申请日：2010-03-05

申请人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Frank Pfirsch ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/739 ,  H03K17/0412

摘要： Disclosed is a method for controlling the recombination rate in the base region of a bipolar semiconductor component, and a bipolar semiconductor component.

摘要翻译： 公开了一种用于控制双极半导体部件和双极型半导体部件的基极区域中的复合率的方法。

公开(公告)号：US07635909B2

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11023040

申请日：2004-12-23

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Elmar Falck ,  Josef Lutz

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Elmar Falck ,  Josef Lutz

IPC分类号： H01L29/866 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0834 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor diode has an anode, a cathode and a semiconductor volume provided between anode and cathode. A plurality of semiconductor zones are formed in the semiconductor volume, which semiconductor zones are inversely doped with respect to their immediate surroundings, spaced apart from one another and provided in the vicinity of the cathode. The semiconductor zones are spaced apart from the cathode.

摘要翻译： 半导体二极管具有阳极，阴极和设置在阳极和阴极之间的半导体体积。 在半导体体积中形成多个半导体区域，这些半导体区域相对于它们的紧邻环境被反向掺杂，彼此间隔开并设置在阴极附近。 半导体区域与阴极间隔开。

公开(公告)号：US06770917B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10395425

申请日：2003-03-24

申请人： Reiner Barthelmess ,  Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Gerhard Schmidt

发明人： Reiner Barthelmess ,  Frank Pfirsch ,  Anton Mauder ,  Gerhard Schmidt

IPC分类号： H01L29861

CPC分类号： H01L29/405 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/8611

摘要： A high-voltage diode and a method for producing the high-voltage diode involve only three masking steps. Only three masking steps are required due to the use of adjustment structures and of a chipping stopper with an edge passivation containing a-C:H or a-Si. In this manner, the high-voltage diode is inexpensive to manufacture. The diode has a rating for reverse voltages of, in particular, above about 400 V and preferably above about 500 V, and can be fabricated with the least possible process complexity and thus a small number of photo technologies and, in the edge region, can readily be equipped with a channel stopper for avoiding leakage currents and a chipping stopper for limiting the extent of saving defects.

摘要翻译： 高压二极管和高压二极管的制造方法仅涉及三个掩模步骤。 由于使用调节结构和具有含有-c：H或a-Si的边缘钝化的切屑塞，仅需要三个掩模步骤。 以这种方式，高压二极管的制造便宜。 二极管的反向电压的额定值尤其高于约400V，优选高于约500V，并且可以以最不可能的工艺复杂性制造，因此可以制造少量的照相技术，并且在边缘区域中 容易配备有用于避免泄漏电流的通道止动器和用于限制挽救缺陷的程度的切屑止动器。

公开(公告)号：US10566462B2

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：US12512285

申请日：2009-07-30

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Franz-Josef Niedernostheide

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch ,  Franz-Josef Niedernostheide

IPC分类号： H01L29/861

摘要： A bipolar semiconductor device and method are provided. One embodiment provides a bipolar semiconductor device including a first semiconductor region of a first conductivity type having a first doping concentration, a second semiconductor region of a second conductivity type forming a pn-junction with the first semiconductor region, and a plurality of third semiconductor regions of the first conductivity type at least partially arranged in the first semiconductor region and having a doping concentration which is higher than the first doping concentration. Each of the third semiconductor regions is provided with at least one respective junction termination structure.

公开(公告)号：US08809971B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US12861153

申请日：2010-08-23

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component comprising a semiconductor body, a channel zone in the semiconductor body, a channel control electrode adjacent to the channel zone, and a dielectric layer between the channel zone and the channel control electrode, wherein the dielectric layer has a relative dielectric constant ∈r with a negative temperature coefficient.

摘要翻译： 一种半导体元件，包括半导体本体，半导体主体中的沟道区，与沟道区相邻的沟道控制电极，以及沟道区和沟道控制电极之间的介电层，其中介电层具有相对介电常数ε r具有负温度系数。