公开(公告)号：US20060243599A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US10908143

申请日：2005-04-28

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： C25D3/00

CPC分类号： C25D3/02 ,  C25D3/38

摘要： Described are methods of and compositions for electrodepositing copper or other metals onto interconnects of a semiconductor substrate from an electroplating composition containing at least one nitrogen-containing additive. The nitrogen-containing additive has a molecular weight of between 10 and 1000, a concentration of between 5.0 and 10.0 milligrams per liter of the electroplating composition. The methods and compositions result in electroplated copper interconnects that have smooth surfaces that are relatively free of pits and humps.

摘要翻译： 描述了从含有至少一种含氮添加剂的电镀组合物将铜或其它金属电沉积在半导体衬底的互连上的方法和组合物。 含氮添加剂的分子量为10至1000，每升电镀组合物的浓度为5.0至10.0毫克。 这些方法和组合物导致电镀铜互连具有相对没有凹坑和凸起的光滑表面。

公开(公告)号：US20060213780A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11087494

申请日：2005-03-24

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D3/00

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/02 ,  C25D3/38

摘要： Electroplating composition and method. In one embodiment, the composition comprises an electrolyte solution and an amine-based copolymer comprising monomer units of ethylene oxide and propylene oxide, with the propylene oxide present in a quantity of at least about 70 wt %. The method comprises electroplating a metal onto a substrate from the electroplating composition of the invention.

摘要翻译： 电镀组合物及方法。 在一个实施方案中，组合物包含电解质溶液和包含环氧乙烷和环氧丙烷的单体单元的胺基共聚物，其中环氧丙烷的存在量为至少约70重量％。 该方法包括从本发明的电镀组合物将金属电镀到基底上。

公开(公告)号：US07101790B2

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：US10402545

申请日：2003-03-28

申请人： Hsien-Ming Lee ,  Hung-Wen Su

发明人： Hsien-Ming Lee ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

摘要： A copper filled semiconductor feature and method of forming the same having improved bulk properties the method including providing a semiconductor process wafer having a process surface including an opening for forming a semiconductor feature; depositing at least one metal dopant containing layer over the opening to form a thermally diffusive relationship to a subsequently deposited copper layer; depositing said copper layer to substantially fill the opening; and, thermally treating the semiconductor process wafer for a time period sufficient to distribute at least a portion of the metal dopants to collect along at least a portion of the periphery of said copper layer including a portion of said copper layer grain boundaries.

摘要翻译： 一种铜填充半导体器件及其制造方法，具有改善的体积特性，该方法包括提供具有包括用于形成半导体特征的开口的工艺表面的半导体工艺晶片; 在所述开口上沉积至少一种含金属掺杂剂层以形成与随后沉积的铜层的热扩散关系; 沉积所述铜层以基本上填充所述开口; 以及对所述半导体工艺晶片进行热处理足以使所述金属掺杂剂的至少一部分分布在包含所述铜层晶界的一部分的所述铜层的周边的至少一部分的时间段内收集。

公开(公告)号：US08736056B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13601223

申请日：2012-08-31

申请人： Ya-Lien Lee ,  Hung-Wen Su

发明人： Ya-Lien Lee ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/50 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A structure for an integrated circuit with reduced contact resistance is disclosed. The structure includes a substrate, a cap layer deposited on the substrate, a dielectric layer deposited on the cap layer, and a trench embedded in the dielectric layer. The trench includes an atomic layer deposition (ALD) TaN or a chemical vapor deposition (CVD) TaN deposited on a side wall of the trench, a physical vapor deposition (PVD) Ta or a combination of the PVD Ta and a PVD TaN deposited on the ALD TaN or CVD TaN, and a Cu deposited on the PVD Ta or the combination of the PVD Ta and the PVD TaN deposited on the ALD TaN or the CVD TaN. The structure further includes a via integrated into the trench at bottom of the filled trench.

摘要翻译： 公开了一种具有降低的接触电阻的集成电路的结构。 该结构包括衬底，沉积在衬底上的覆盖层，沉积在覆盖层上的电介质层和嵌入电介质层中的沟槽。 沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的原子层沉积（ALD）TaN或化学气相沉积（CVD）TaN，物理气相沉积（PVD）Ta或PVD Ta和PVD TaN的组合，其沉积在 ALD TaN或CVD TaN以及沉积在PVD Ta上的Cu或沉积在ALD TaN或CVD TaN上的PVD Ta和PVD TaN的组合。 该结构还包括在填充沟槽的底部集成到沟槽中的通孔。

公开(公告)号：US07803896B2

公开(公告)日：2010-09-28

申请号：US11979981

申请日：2007-11-13

申请人： Wen-Chang Chen ,  Hung-Wen Su

发明人： Wen-Chang Chen ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： C08G69/08

CPC分类号： C08G73/1039 ,  C08G73/101 ,  C08G73/1017 ,  C08G73/1067 ,  C08L79/08

摘要： The present invention relates to polyimide-titania hybrid thin film, which possesses relatively good surface planarization, excellent thermal properties (400

摘要翻译： 本发明涉及具有相对良好的表面平坦化，优异的热性能（400

公开(公告)号：US20070096326A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11261200

申请日：2005-10-28

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Chung-Chi Ko ,  Pi-Tsung Chen ,  Shau-Lin Shue ,  Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Chung-Chi Ko ,  Pi-Tsung Chen ,  Shau-Lin Shue ,  Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods for fabricating the same. The devices include a substrate, a catalyst layer, a second dielectric layer, and carbon nanotubes (CNTs). The substrate comprises an overlying first dielectric layer with an electrode embedded therein. The catalyst layer overlies the electrode and the first dielectric layer and substantially comprises Co and M1, wherein M1 is selected from a group consisting of W, P, B, Bi, Ni, and a combination thereof. The second dielectric layer overlies the catalyst layer and comprises an opening exposing parts of the catalyst layer. The carbon nanotubes (CNTs) are disposed on the exposed catalyst layer and electrically connect the electrode.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 这些器件包括衬底，催化剂层，第二介电层和碳纳米管（CNT）。 衬底包括具有嵌入其中的电极的上覆的第一介电层。 催化剂层覆盖电极和第一介电层，并且基本上包括Co和M 1，其中M 1选自W，P，B，Bi ，Ni及其组合。 第二电介质层覆盖在催化剂层上并且包括露出催化剂层的部分的开口。 碳纳米管（CNT）设置在暴露的催化剂层上并电连接电极。

公开(公告)号：US20070048991A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11209891

申请日：2005-08-23

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai ,  Hung-Wen Su

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76883

摘要： Copper interconnect structures for interconnection. The interconnect structure has a copper recess in a damascene structure with copper filled in a via/trench of a dielectric layer. Furthermore, the interconnect structure can also have a metal cap filled the copper recess.

摘要翻译： 用于互连的铜互连结构。 互连结构具有镶嵌结构中的铜凹槽，铜填充在电介质层的通孔/沟槽中。 此外，互连结构还可以具有填充铜凹部的金属盖。

公开(公告)号：US20060196775A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11072137

申请日：2005-03-04

申请人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： C25D3/00 ,  C25D17/04

CPC分类号： C25D17/001 ,  C25D17/005 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76841

摘要： Methods and apparatuses for electrochemically depositing a metal layer onto a substrate. An electrochemical deposition apparatus comprises a substrate holder assembly including a substrate chuck and a relatively soft cathode contact ring. The cathode contact ring comprises an inner portion and an outer portion, wherein the inner portion directly contacts the substrate. An anode is disposed in an electrolyte container. A power supply connects the substrate holder assembly and the anode.

公开(公告)号：US20050245072A1

公开(公告)日：2005-11-03

申请号：US10833154

申请日：2004-04-28

申请人： Hsien-Ming Lee ,  Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Ming-Hsing Tsai ,  Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Shau-Lin Shue ,  Kuo-Wei Cheng ,  Ting-Chu Ko

发明人： Hsien-Ming Lee ,  Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Ming-Hsing Tsai ,  Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Shau-Lin Shue ,  Kuo-Wei Cheng ,  Ting-Chu Ko

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

摘要： A method of electrochemical deposition (ECD) provides a barrier and a seed layer on a substrate. The surfaces of the substrate are pre-treated before a metal layer is electrochemically deposited thereon in an electrochemical plating cell with a physical or a chemical surface treatment process. The electrochemical plating cell is covered by a cap to prevent evaporation of the electrolyte solution. The electrochemical plating cell includes a substrate holder assembly with a lift seal, e.g., with a contact angle θ less than 90° between the lift seal and the substrate. The substrate holder assembly includes a substrate chuck at the rear side of the substrate.

摘要翻译： 电化学沉积（ECD）的方法在衬底上提供阻挡层和种子层。 在将金属层电化学沉积在具有物理或化学表面处理工艺的电化学镀覆电池中之前，对基板的表面进行预处理。 电化学镀覆电池被盖覆盖以防止电解质溶液的蒸发。 电化学电镀单元包括具有提升密封件的衬底保持器组件，例如在提升密封件和衬底之间的接触角θ小于90°。 衬底保持器组件包括在衬底的后侧的衬底卡盘。

公开(公告)号：US20050211379A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10810619

申请日：2004-03-29

申请人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/08 ,  H01L21/67057

摘要： Apparatus and method for removing copper from wafer edge. The apparatus of the invention includes a bath tank for containing a chemical bath, a rotatable wafer chuck for holding a wafer vertical to the chemical bath, wherein at least the edge of the wafer is covered with a metal layer, and a sliding element is disposed on one end of the rotatable wafer chuck such that the rotatable wafer chuck can move in a vertical direction to the chemical bath.

摘要翻译： 从晶片边缘去除铜的装置和方法。 本发明的装置包括用于容纳化学浴液的浴槽，用于将晶片垂直于化学浴保持的可旋转晶片卡盘，其中晶片的至少边缘被金属层覆盖，并且设置滑动元件 在可旋转的晶片卡盘的一端上，使得可旋转的晶片卡盘可以在垂直方向上移动到化学浴槽。