公开(公告)号：US07538434B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11075072

申请日：2005-03-08

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Hung-Wen Su ,  Shau-Lin Shue

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Hung-Wen Su ,  Shau-Lin Shue

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05176 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05676 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48757 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48857 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00011

摘要： A conductive polymer between two metallic layers acts a glue layer, a barrier layer or an activation seed layer. The conductive polymer layer is employed to encapsulate a copper interconnection structure to prevent copper diffusion into any overlying layers and improve adhesive characteristics between the copper and any overlying layers.

摘要翻译： 两个金属层之间的导电聚合物起胶层，阻挡层或活化种子层的作用。 导电聚合物层用于封装铜互连结构以防止铜扩散到任何上覆层中并改善铜和任何上覆层之间的粘合特性。

公开(公告)号：US20060138668A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11023296

申请日：2004-12-27

申请人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

发明人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L23/06

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A system and method for providing a passivation structure for semiconductor devices is provided. In an embodiment, the passivation structure comprises a first barrier layer and a second barrier layer, wherein the second barrier layer may comprise a material, such as cobalt and/or nickel, that is less pure than the first barrier layer. In another embodiment, a single gradient barrier layer is formed. In this embodiment the single gradient barrier layer exhibits a greater pure conductive material, such as cobalt and/or nickel, nearer the conductive line than near the surface.

摘要翻译： 提供了一种用于提供半导体器件的钝化结构的系统和方法。 在一个实施例中，钝化结构包括第一阻挡层和第二阻挡层，其中第二阻挡层可以包括比第一阻挡层更纯的材料，例如钴和/或镍。 在另一个实施例中，形成单个梯度阻挡层。 在该实施例中，单个梯度阻挡层表现出比在表面附近更靠近导电线的较高纯度的导电材料，例如钴和/或镍。

公开(公告)号：US20050224359A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10814175

申请日：2004-04-01

申请人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/02 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  C25D17/02 ,  C25D21/02

摘要： Apparatus and method for metal electroplating. The apparatus for metal electroplating includes an electroplating tank for containing an electrolyte at a first temperature, a substrate holder for holding a semiconductor substrate, and a heater for heating the portion of the electrolyte adjacent to the substrate holder to a second temperature higher than the first temperature.

摘要翻译： 金属电镀设备及方法 用于金属电镀的设备包括用于在第一温度下容纳电解质的电镀槽，用于保持半导体衬底的衬底保持器和用于将邻近衬底保持器的部分电解质加热至高于第一温度的第二温度的加热器 温度。

公开(公告)号：US20060243599A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US10908143

申请日：2005-04-28

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： C25D3/00

CPC分类号： C25D3/02 ,  C25D3/38

摘要： Described are methods of and compositions for electrodepositing copper or other metals onto interconnects of a semiconductor substrate from an electroplating composition containing at least one nitrogen-containing additive. The nitrogen-containing additive has a molecular weight of between 10 and 1000, a concentration of between 5.0 and 10.0 milligrams per liter of the electroplating composition. The methods and compositions result in electroplated copper interconnects that have smooth surfaces that are relatively free of pits and humps.

摘要翻译： 描述了从含有至少一种含氮添加剂的电镀组合物将铜或其它金属电沉积在半导体衬底的互连上的方法和组合物。 含氮添加剂的分子量为10至1000，每升电镀组合物的浓度为5.0至10.0毫克。 这些方法和组合物导致电镀铜互连具有相对没有凹坑和凸起的光滑表面。

公开(公告)号：US20060213780A1

公开(公告)日：2006-09-28

申请号：US11087494

申请日：2005-03-24

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D3/00

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/02 ,  C25D3/38

摘要： Electroplating composition and method. In one embodiment, the composition comprises an electrolyte solution and an amine-based copolymer comprising monomer units of ethylene oxide and propylene oxide, with the propylene oxide present in a quantity of at least about 70 wt %. The method comprises electroplating a metal onto a substrate from the electroplating composition of the invention.

摘要翻译： 电镀组合物及方法。 在一个实施方案中，组合物包含电解质溶液和包含环氧乙烷和环氧丙烷的单体单元的胺基共聚物，其中环氧丙烷的存在量为至少约70重量％。 该方法包括从本发明的电镀组合物将金属电镀到基底上。

公开(公告)号：US20060172529A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11047836

申请日：2005-02-01

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

IPC分类号： H01L21/465 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685

摘要： The top surfaces of conductive features are treated with a treatment solution before forming a passivation layer over the conductive features. The treatment solution includes a cleaning solution and a chemical grafting precursor. The treatment solution may also include a leveling and wetting agent to improve coverage uniformity of the chemical grafting precursor. The method results in a uniform passivation layer formed over conductive features across a surface of a workpiece.

摘要翻译： 在导电特征上形成钝化层之前，用处理溶液处理导电特征的顶表面。 处理溶液包括清洗溶液和化学接枝前体。 处理溶液还可以包括流平和润湿剂以改善化学接枝前体的覆盖均匀性。 该方法导致在工件的表面上的导电特征上形成均匀的钝化层。

公开(公告)号：US07332435B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US11072038

申请日：2005-03-04

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of forming a semiconductor device comprising: forming a gate dielectric layer over a channel region; forming a gate electrode on the gate dielectric layer; forming source/drain regions substantially aligned with respective edges of the gate electrode with the channel region therebetween; forming a thin metal layer on the source/drain regions; forming a metal alloy layer on the thin metal layer; and transforming the thin metal layer into a low resistance metal silicide.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，包括：在沟道区上形成栅介电层; 在所述栅极电介质层上形成栅电极; 形成与所述栅电极的各个边缘基本对准的源极/漏极区域，其间具有沟道区域; 在源/漏区上形成薄金属层; 在所述薄金属层上形成金属合金层; 并将薄金属层转变成低电阻金属硅化物。

公开(公告)号：US20070096326A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11261200

申请日：2005-10-28

申请人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Chung-Chi Ko ,  Pi-Tsung Chen ,  Shau-Lin Shue ,  Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

发明人： Hui-Lin Chang ,  Yung-Cheng Lu ,  Chung-Chi Ko ,  Pi-Tsung Chen ,  Shau-Lin Shue ,  Chien-Hsueh Shih ,  Hung-Wen Su ,  Ming-Hsing Tsai

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/53276 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Semiconductor devices and methods for fabricating the same. The devices include a substrate, a catalyst layer, a second dielectric layer, and carbon nanotubes (CNTs). The substrate comprises an overlying first dielectric layer with an electrode embedded therein. The catalyst layer overlies the electrode and the first dielectric layer and substantially comprises Co and M1, wherein M1 is selected from a group consisting of W, P, B, Bi, Ni, and a combination thereof. The second dielectric layer overlies the catalyst layer and comprises an opening exposing parts of the catalyst layer. The carbon nanotubes (CNTs) are disposed on the exposed catalyst layer and electrically connect the electrode.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 这些器件包括衬底，催化剂层，第二介电层和碳纳米管（CNT）。 衬底包括具有嵌入其中的电极的上覆的第一介电层。 催化剂层覆盖电极和第一介电层，并且基本上包括Co和M 1，其中M 1选自W，P，B，Bi ，Ni及其组合。 第二电介质层覆盖在催化剂层上并且包括露出催化剂层的部分的开口。 碳纳米管（CNT）设置在暴露的催化剂层上并电连接电极。

公开(公告)号：US20070048991A1

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：US11209891

申请日：2005-08-23

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai ,  Hung-Wen Su

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Ming-Hsing Tsai ,  Hung-Wen Su

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/76883

摘要： Copper interconnect structures for interconnection. The interconnect structure has a copper recess in a damascene structure with copper filled in a via/trench of a dielectric layer. Furthermore, the interconnect structure can also have a metal cap filled the copper recess.

摘要翻译： 用于互连的铜互连结构。 互连结构具有镶嵌结构中的铜凹槽，铜填充在电介质层的通孔/沟槽中。 此外，互连结构还可以具有填充铜凹部的金属盖。

公开(公告)号：US20060205214A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11072038

申请日：2005-03-04

申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Shih-Wei Chou ,  Hung-Wen Su ,  Minghsing Tsai

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L29/66507 ,  H01L29/66515 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method of forming a semiconductor device comprising: forming a gate dielectric layer over a channel region; forming a gate electrode on the gate dielectric layer; forming source/drain regions substantially aligned with respective edges of the gate electrode with the channel region therebetween; forming a thin metal layer on the source/drain regions; forming a metal alloy layer on the thin metal layer; and transforming the thin metal layer into a low resistance metal silicide.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法，包括：在沟道区上形成栅介电层; 在所述栅极电介质层上形成栅电极; 形成与所述栅电极的各个边缘基本对准的源极/漏极区域，其间具有沟道区域; 在源/漏区上形成薄金属层; 在所述薄金属层上形成金属合金层; 并将薄金属层转变成低电阻金属硅化物。