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    Passivation structure for semiconductor devices
    4.
    发明申请
    Passivation structure for semiconductor devices 审中-公开
    半导体器件钝化结构

    公开(公告)号：US20060138668A1

    公开(公告)日：2006-06-29

    申请号：US11023296

    申请日：2004-12-27

    申请人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

    发明人： Hung-Wen Su ,  Chien-Hsueh Shih ,  Minghsing Tsai ,  Shau-Lin Shue ,  Chen-Hua Yu

    IPC分类号： H01L23/06

    CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A system and method for providing a passivation structure for semiconductor devices is provided. In an embodiment, the passivation structure comprises a first barrier layer and a second barrier layer, wherein the second barrier layer may comprise a material, such as cobalt and/or nickel, that is less pure than the first barrier layer. In another embodiment, a single gradient barrier layer is formed. In this embodiment the single gradient barrier layer exhibits a greater pure conductive material, such as cobalt and/or nickel, nearer the conductive line than near the surface.

    摘要翻译： 提供了一种用于提供半导体器件的钝化结构的系统和方法。 在一个实施例中，钝化结构包括第一阻挡层和第二阻挡层，其中第二阻挡层可以包括比第一阻挡层更纯的材料，例如钴和/或镍。 在另一个实施例中，形成单个梯度阻挡层。 在该实施例中，单个梯度阻挡层表现出比在表面附近更靠近导电线的较高纯度的导电材料，例如钴和/或镍。

    Loadlock
    8.
    发明申请
    Loadlock 审中-公开
    负载锁

    公开(公告)号：US20050097769A1

    公开(公告)日：2005-05-12

    申请号：US10668291

    申请日：2003-09-24

    申请人： Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Hsien-Ming Lee ,  Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai ,  Shau-Lin Shue

    发明人： Jing-Cheng Lin ,  Shing-Chyang Pan ,  Hsien-Ming Lee ,  Hung-Wen Su ,  Shih-Wei Chou ,  Ming-Hsing Tsai ,  Shau-Lin Shue

    IPC分类号： H01L21/677 ,  F26B13/30

    CPC分类号： H01L21/67781

    摘要： A loadlock. The loadlock for wafers includes a chamber, a pedestal, a retractable shaft, and a bellows. The chamber has a plurality of walls and a bottom surface. The pedestal supports a cassette and is disposed in the chamber. The retractable shaft has a top end and a bottom end. The top end is connected to the pedestal and the bottom end is connected to the bottom surface as a reference for positioning the pedestal. The bellows has a first end and a second end. The first end is disposed on the pedestal and the second end is sealed at the bottom end of the retractable shaft. Preferably, the retractable shaft is fully enclosed by the bellows.

    摘要翻译： 一个加载锁 用于晶片的负荷锁包括一个腔室，一个基座，一个伸缩轴和一个波纹管。 腔室具有多个壁和底面。 基座支撑盒并设置在腔室中。 伸缩轴具有顶端和底端。 顶端连接到基座，底端连接到底面作为基座的基准。 波纹管具有第一端和第二端。 第一端设置在基座上，第二端在可伸缩轴的底端被密封。 优选地，可伸缩轴被波纹管完全包围。

    Semiconductor device and fabrication method thereof
    10.
    发明申请
    Semiconductor device and fabrication method thereof 审中-公开
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20070152306A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11324334

    申请日：2006-01-04

    申请人： Chien-Hsueh Shih ,  Shau-Lin Shue ,  Mong-Song Liang ,  Chao-Hsien Peng

    发明人： Chien-Hsueh Shih ,  Shau-Lin Shue ,  Mong-Song Liang ,  Chao-Hsien Peng

    IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/2885 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/1893 ,  C25D5/54 ,  C25D13/04 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877

    摘要： A semiconductor device and fabrication method thereof. The semiconductor device comprises a substrate, an electroactive organic layer with conformal step coverage and uniform thickness, and a metal layer. The substrate is a conductive substrate or a nonconductive substrate with a conductive layer formed thereon. The electroactive organic layer and the metal layer are formed sequentially on the conductive substrate or the conductive layer, wherein the electroactive organic layer comprises metal atoms and serves as a seed layer, resulting in the metal layer formed in-situ.

    摘要翻译： 半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括基底，具有适形阶梯覆盖和均匀厚度的电活性有机层和金属层。 衬底是其上形成有导电层的导电衬底或非导电衬底。 所述电活性有机层和所述金属层依次形成在所述导电性基板或所述导电层上，其中所述电活性有机层包含金属原子并且用作种子层，导致所述金属层原位形成。