公开(公告)号：US08115191B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12541559

申请日：2009-08-14

申请人： Guy Cohen ,  Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

发明人： Guy Cohen ,  Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C25D3/54 ,  B82Y10/00 ,  C25D5/022 ,  C25D7/123 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  Y10S977/762

摘要： A nanostructure comprising germanium, including wires of less than 1 micron in diameter and walls of less than 1 micron in width, in contact with the substrate and extending outward from the substrate is provided along with a method of preparation.

摘要翻译： 提供包括锗的纳米结构，其包括直径小于1微米的导线和宽度小于1微米的与基底接触并从基底向外延伸的纳米结构以及制备方法。

公开(公告)号：US20090302353A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12541499

申请日：2009-08-14

申请人： Stephen W. Bedell ,  Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Devendra K. Sadana ,  Katherine L. Saenger

发明人： Stephen W. Bedell ,  Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Devendra K. Sadana ,  Katherine L. Saenger

IPC分类号： H01L29/165 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28255 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/78

摘要： Methods for electrodepositing germanium on various semiconductor substrates such as Si, Ge, SiGe, and GaAs are provided. The electrodeposited germanium can be formed as a blanket or patterned film, and may be crystallized by solid phase epitaxy to the orientation of the underlying semiconductor substrate by subsequent annealing. These plated germanium layers may be used as the channel regions of high-mobility channel field effect transistors (FETs) in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits.

摘要翻译： 提供了在诸如Si，Ge，SiGe和GaAs的各种半导体衬底上电沉积锗的方法。 电沉积锗可以形成为覆盖或图案化的膜，并且可以通过后续退火使固相外延结晶到下面的半导体衬底的取向。 这些电镀锗层可以用作互补金属氧化物半导体（CMOS）电路中的高迁移率沟道场效应晶体管（FET）的沟道区。

公开(公告)号：US20090179279A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12014511

申请日：2008-01-15

申请人： Veeraraghavan S. Basker ,  Hariklia Deligianni ,  Rajarao Jammy ,  Vamsi K. Paruchuri ,  Lubomyr T. Romankiw

发明人： Veeraraghavan S. Basker ,  Hariklia Deligianni ,  Rajarao Jammy ,  Vamsi K. Paruchuri ,  Lubomyr T. Romankiw

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L29/43 ,  C25D3/00

CPC分类号： C25D3/567 ,  C25D5/02 ,  C25D7/12 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28176 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： Stabilized metal gate electrode for complementary metal-oxide-semiconductor (“CMOS”) applications and methods of making the stabilized metal gate electrodes are disclosed. Specifically, the metal gate electrodes are stabilized by alloying wherein the alloy comprises a metal selected from the group consisting of Re, Ru, Pt, Rh, Ni, Al and combinations thereof and an element selected from the group consisting of W, V, Ti, Ta and combinations thereof.

摘要翻译： 公开了用于互补金属氧化物半导体（“CMOS”）应用的稳定金属栅极电极和制造稳定的金属栅电极的方法。 具体地说，金属栅电极通过合金化来稳定化，其中合金包括选自Re，Ru，Pt，Rh，Ni，Al及其组合的金属和选自W，V，Ti ，Ta及其组合。

公开(公告)号：US07539051B2

公开(公告)日：2009-05-26

申请号：US11620445

申请日：2007-01-05

申请人： Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

发明人： Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  Y10S977/933

摘要： A memory storage device that contains alternating first and second ferromagnetic material layers is provided. Each first ferromagnetic material layer has a first layer thickness (L1) and a first critical current density (JC1), and each second ferromagnetic material layer has a second layer thickness (L2) and a second critical current density (JC2), provided that JC1

摘要翻译： 提供了包含交替的第一和第二铁磁材料层的存储器存储装置。 每个第一铁磁材料层具有第一层厚度（L1）和第一临界电流密度（JC1），并且每个第二铁磁材料层具有第二层厚度（L2）和第二临界电流密度（JC2），条件是JC1

公开(公告)号：US20080191317A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11674453

申请日：2007-02-13

申请人： Guy Moshe Cohen ,  Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

发明人： Guy Moshe Cohen ,  Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/28525 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L2221/1094

摘要： Disclosed herein is a method of forming a nanostructure having nanowires by forming a mask with at least one opening on a surface of a substrate, to expose a portion of the surface of the substrate; depositing particles of a metal capable of catalyzing semiconductor nanowire growth on the exposed surface of the substrate by electroplating or electroless plating; and growing nanowires on the plated substrate with a precursor gas by a vapor-liquid-solid (VLS) process. Also disclosed is a nanostructure including nanowires prepared by the above method.

摘要翻译： 本文公开了一种通过在衬底的表面上形成具有至少一个开口的掩模来形成具有纳米线的纳米结构的方法，以暴露衬底表面的一部分; 通过电镀或化学电镀将能够催化半导体纳米线生长的金属的颗粒沉积在基板的暴露表面上; 并通过气 - 液 - 固（VLS）工艺在具有前体气体的电镀衬底上生长纳米线。 还公开了包括通过上述方法制备的纳米线的纳米结构。

公开(公告)号：US20080165576A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11620445

申请日：2007-01-05

申请人： Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

发明人： Hariklia Deligianni ,  Qiang Huang ,  Lubomyr T. Romankiw

IPC分类号： G11C11/15 ,  H01L21/00 ,  G11B5/66

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  Y10S977/933

摘要： A memory storage device that contains alternating first and second ferromagnetic material layers is provided. Each first ferromagnetic material layer has a first layer thickness (L1) and a first critical current density (JC1), and each second ferromagnetic material layer has a second layer thickness (L2) and a second critical current density (JC2), provided that JC1

摘要翻译： 提供了包含交替的第一和第二铁磁材料层的存储器存储装置。 每个第一铁磁材料层具有第一层厚度（L L1> 1）和第一临界电流密度（J C 1 H 1），并且每个第二铁磁材料层具有第二层厚度 （L 2 2）和第二临界电流密度（JC 2 N 2），条件是JC 1 < L 1大于约300nm，L 2 2范围为约20nm至约200nm。 该装置还包括由畴壁分开的相反方向的交替磁畴。 在施加驱动电流时，磁畴和畴壁可在第一和第二铁磁材料层上移动。 相应地，数据可以作为磁畴和畴壁的位置存储在存储器存储装置中。

公开(公告)号：US09064628B2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：US13477978

申请日：2012-05-22

申请人： Robert E. Fontana, Jr. ,  Philipp Herget ,  Eugene J. O'Sullivan ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Naigang Wang ,  Bucknell C. Webb

发明人： Robert E. Fontana, Jr. ,  Philipp Herget ,  Eugene J. O'Sullivan ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Naigang Wang ,  Bucknell C. Webb

IPC分类号： H01F5/00 ,  H01F27/28 ,  H01F17/00 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01F27/2804 ,  H01F5/00 ,  H01F17/0013 ,  H01F2017/0066 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01L28/10

摘要： A thin film coupled inductor, a thin film spiral inductor, and a system that includes an electronic device and a power supply or power converter incorporating one or more such inductors. A thin film coupled inductor includes a wafer substrate; a bottom yoke comprising a magnetic material above the wafer substrate; a first insulating layer above the bottom yoke; a first conductor above the bottom yoke and separated therefrom by the first insulating layer; a second insulating layer above the first conductor; a second conductor above the second insulating layer; a third insulating layer above the second conductor; and a non-planar top yoke above the third insulating layer, the top yoke comprising a magnetic material.

摘要翻译： 薄膜耦合电感器，薄膜螺旋电感器以及包括电子器件和并入一个或多个此类电感器的电源或功率转换器的系统。 薄膜耦合电感器包括晶片衬底; 底部轭，其包括晶片衬底上方的磁性材料; 在底部轭上方的第一绝缘层; 第一导体，位于底部磁轭之上并由第一绝缘层分离; 在所述第一导体上方的第二绝缘层; 在第二绝缘层上方的第二导体; 在第二导体上方的第三绝缘层; 以及在第三绝缘层上方的非平面顶部磁轭，顶部磁轭包括磁性材料。

公开(公告)号：US20110272287A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US12776010

申请日：2010-05-07

申请人： Elizabeth A. Duch ,  Ronald Goldblatt ,  David L. Rath ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Xiaoyan Shao ,  Steven E. Steen ,  James Vichiconti

发明人： Elizabeth A. Duch ,  Ronald Goldblatt ,  David L. Rath ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Xiaoyan Shao ,  Steven E. Steen ,  James Vichiconti

IPC分类号： C25D5/34

CPC分类号： C25D5/48 ,  C25D5/02 ,  G11B5/855 ,  G11B5/858

摘要： A method of patterning magnetic devices and sensors by double etching, which includes forming a layer of dielectric on a substrate; depositing a thin adhesion layer and a thin seed layer; applying a thin resist frame to pattern a structure; cleaning the metal surface to prepare for plating; electroplating to fill up the structure and the uncovered field area, which uses a paddle cell with a permanent magnet providing magnetic field to induce magnetic orientation; stripping the resist frame; etching the seed layer/adhesion layer exposed below the resist frame down to the dielectric surface; etching the rest of magnetic materials and the seed layer using electrolytic etching in the field; etching the adhesion layer in the field, and repeating the steps for building structures with multiple levels.

摘要翻译： 一种通过双蚀刻图案化磁性器件和传感器的方法，包括在衬底上形成电介质层; 沉积薄的粘合层和薄的种子层; 施加薄的抗蚀剂框架以构图结构; 清洗金属表面进行电镀准备; 电镀以填充结构和未覆盖的场区域，其使用具有提供磁场的永磁体的桨电池来诱导磁取向; 剥离抗蚀框架; 将暴露在抗蚀剂框架下方的种子层/粘合层蚀刻到电介质表面; 在现场使用电解蚀刻蚀刻其余的磁性材料和种子层; 在现场蚀刻粘合层，并重复用于建造具有多层结构的步骤。

公开(公告)号：US5522975A

公开(公告)日：1996-06-04

申请号：US441852

申请日：1995-05-16

申请人： Panayotis C. Andricacos ,  Kirk G. Berridge ,  John O. Dukovic ,  Helmut R. Poweleit ,  Jeffrey S. Richter ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Otto P. Schick

发明人： Panayotis C. Andricacos ,  Kirk G. Berridge ,  John O. Dukovic ,  Helmut R. Poweleit ,  Jeffrey S. Richter ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Otto P. Schick

IPC分类号： C25D17/06

CPC分类号： C25D17/06

摘要： A fixture for supporting a workpiece in a processing cell includes a frame and cooperating workpiece holder. The frame includes a head having a hole therein which receives an integral plateau of the holder. The holder plateau includes an annular seal adjacent a perimeter thereof with a vacuum port disposed therein. The workpiece rests on the seal so that vacuum drawn in the vacuum port fixedly holds the workpiece against the plateau. Assembly of the holder plateau and workpiece thereon through the frame-head hole positions the workpiece coplanar with a front side of the frame. In exemplary embodiments, independent electrical current paths are provided to the workpiece and a surrounding auxiliary electrode.

摘要翻译： 用于在处理室中支撑工件的夹具包括框架和配合的工件保持器。 框架包括其中具有孔的头部，其接收保持器的整体平台。 保持架平台包括邻近其周边的环形密封件，其中布置有真空口。 工件放在密封件上，使真空吸入的真空固定地保持工件抵抗平台。 通过框架头孔将支架平台和其上的工件组装在一起，使工件与框架的前侧共面。 在示例性实施例中，独立的电流路径被提供给工件和周围的辅助电极。

公开(公告)号：US5164869A

公开(公告)日：1992-11-17

申请号：US661797

申请日：1991-02-27

申请人： Robert E. Fontana, Jr. ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Mason L. Williams, III

发明人： Robert E. Fontana, Jr. ,  Lubomyr T. Romankiw ,  Mason L. Williams, III

IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3967

摘要： An integrated inductive write, magnetoresistive (MR) read thin film magnetic head comprising an open magnetic yoke having outside legs each having a winding thereon and a central leg having an opening across which the MR element is coupled. The outer legs are overlapped at one end to form confronting pole pieces having a transducing gap between the pole pieces, and the central leg is positioned between the pole pieces at one end and joined with the outer legs at the other end to form a symmetrical magnetic yoke structure. The windings are wound in a direction so that the flux produced by equally energizing the windings is equal and opposite in each of the outside legs, is additive at the transducing gap between the pole pieces, and produces no net flux through the central leg.