公开(公告)号：US20130146945A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13752272

申请日：2013-01-28

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/267

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

公开(公告)号：US20120205729A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13453403

申请日：2012-04-23

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US08148786B2

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12493291

申请日：2009-06-29

申请人： Jack Kavalieros ,  Annalisa Cappellani ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Chris E. Barns ,  Robert S. Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Annalisa Cappellani ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Chris E. Barns ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28079 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7834

摘要： A complementary metal oxide semiconductor integrated circuit may be formed with a PMOS device formed using a replacement metal gate and a raised source drain. The raised source drain may be formed of epitaxially deposited silicon germanium material that is doped p-type. The replacement metal gate process results in a metal gate electrode and may involve the removal of a nitride etch stop layer.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体集成电路可以形成有使用替换金属栅极和升高源极漏极形成的PMOS器件。 凸起的源极漏极可以由掺杂p型的外延沉积的硅锗材料形成。 替代金属栅极工艺导致金属栅电极，并且可能涉及去除氮化物蚀刻停止层。

公开(公告)号：US20090280608A9

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US11556025

申请日：2006-11-02

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/762 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semoiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅极电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅极电极。

公开(公告)号：US07575991B2

公开(公告)日：2009-08-18

申请号：US10882733

申请日：2004-06-30

申请人： Mark L. Doczy ,  Robert L. Norman ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Robert L. Norman ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A metal oxide layer on a substrate is converted at least partly to a metal layer. At least part of the metal layer is covered by an oxidation resistant cover. The covered layer and underlying metal may be removed, for example, using acid.

摘要翻译： 基板上的金属氧化物层至少部分地转变为金属层。 金属层的至少一部分被抗氧化盖覆盖。 被覆层和下面的金属可以被除去，例如使用酸。

公开(公告)号：US07449756B2

公开(公告)日：2008-11-11

申请号：US11151528

申请日：2005-06-13

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/31691 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517

摘要： A semiconductor device is described. That semiconductor device comprises a high-k gate dielectric layer that is formed on a substrate that applies strain to the high-k gate dielectric layer, and a metal gate electrode that is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述半导体器件。 该半导体器件包括形成在对高k栅极电介质层施加应变的基板上的高k栅极电介质层和形成在高k栅极电介质层上的金属栅电极。

公开(公告)号：US07381608B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US11006218

申请日：2004-12-07

申请人： Justin K. Brask ,  Sangwoo Pae ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  Jose A. Maiz

发明人： Justin K. Brask ,  Sangwoo Pae ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Mark L. Doczy ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau ,  Jose A. Maiz

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises adding nitrogen to a silicon dioxide layer to form a nitrided silicon dioxide layer on a substrate. After forming a sacrificial layer on the nitrided silicon dioxide layer, the sacrificial layer is removed to generate a trench. A high-k gate dielectric layer is formed on the nitrided silicon dioxide layer within the trench, and a metal gate electrode is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括向二氧化硅层中加入氮以在基底上形成氮化二氧化硅层。 在氮化二氧化硅层上形成牺牲层之后，除去牺牲层以产生沟槽。 在沟槽内的氮化二氧化硅层上形成高k栅介质层，在高k栅介质层上形成金属栅电极。

公开(公告)号：US07148099B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10877836

申请日：2004-06-24

申请人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8338

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

摘要： In a metal gate replacement process, a cup-shaped gate metal oxide dielectric may have a vertical portion that may be exposed to a silicon ion implantation. As a result of the implantation, the dielectric constant of a vertical portion may be reduced, reducing fringe capacitance.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，杯状栅极金属氧化物电介质可以具有可暴露于硅离子注入的垂直部分。 作为注入的结果，可以减小垂直部分的介电常数，减少边缘电容。

公开(公告)号：US07144783B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10835791

申请日：2004-04-30

申请人： Suman Datta ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66606

摘要： In a metal gate replacement process, a cup-shaped gate metal oxide dielectric may have vertical portions that may be exposed to a reduction reaction. As a result of the reduction reaction, the vertical portions may be converted to metal, which adds to the existing gate electrode. In some cases, removing the vertical dielectric portions reduces fringe capacitance and may also advantageously slightly increased underdiffusion without adding heat, in some embodiments.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，杯状栅极金属氧化物电介质可以具有可能暴露于还原反应的垂直部分。 作为还原反应的结果，垂直部分可以转化为金属，这增加了现有的栅电极。 在一些实施例中，在一些实施例中，去除垂直电介质部分减少了边缘电容，并且还可以有利地稍微增加向下扩散而不加热。

公开(公告)号：US09337307B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US12949696

申请日：2010-11-18

申请人： Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Jack T. Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Jack T. Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.