公开(公告)号：US20060196417A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11070149

申请日：2005-03-03

申请人： Chia-Hui Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Tsang-Yu Liu ,  Szu-An Wu ,  Cheng-Hui Yang ,  Yi-Fang Lai ,  Chien Lin

发明人： Chia-Hui Lin ,  Shih-Hao Lo ,  Tsang-Yu Liu ,  Szu-An Wu ,  Cheng-Hui Yang ,  Yi-Fang Lai ,  Chien Lin

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/4558

摘要： Gas distribution systems for deposition processes and methods of using the same. A substrate support member holding a substrate is disposed in a processing chamber. A plurality of first and second gas nozzles is connected to a gas distribution ring disposed in the processing chamber. The first gas nozzles provide a first reactant gas and include at least first and second outlet apertures. The second gas nozzles provide a second reactant gas and include third outlet apertures. The first outlet aperture is larger than the second outlet aperture, such that the first gas nozzle with the first outlet aperture creates an increased gas flow adjacent to a determined portion of the substrate to increase deposition from the first reactant gas on the determined portion of the substrate.

摘要翻译： 用于沉积工艺的气体分配系统及其使用方法。 保持基板的基板支撑构件设置在处理室中。 多个第一和第二气体喷嘴连接到设置在处理室中的气体分配环。 第一气体喷嘴提供第一反应气体并且包括至少第一和第二出口孔。 第二气体喷嘴提供第二反应气体并且包括第三出口孔。 第一出口孔大于第二出口孔，使得具有第一出口孔的第一气体喷嘴产生与衬底的确定部分相邻的增加的气流，以增加第一反应气体在所确定的部分上的沉积 基质。

公开(公告)号：US06979656B2

公开(公告)日：2005-12-27

申请号：US10729217

申请日：2003-12-04

申请人： Shiu-Ko Jangjian ,  Jun Wu ,  Chi-Wen Liu ,  Ying-Lung Wang ,  Yi-Lung Cheng ,  Michael Chang ,  Szu-An Wu

发明人： Shiu-Ko Jangjian ,  Jun Wu ,  Chi-Wen Liu ,  Ying-Lung Wang ,  Yi-Lung Cheng ,  Michael Chang ,  Szu-An Wu

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L23/532 ,  H01L23/58

CPC分类号： H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02131 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31629 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/7684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a dielectric layer provides for use of a carbon source material separate from a halogen source material when forming a carbon and halogen doped silicate glass dielectric layer. The use of separate carbon and halogen source materials provides enhanced process latitude when forming the carbon and halogen doped silicate glass dielectric layer. Such a carbon and halogen doped silicate glass dielectric layer having a dielectric constant greater than about 3.0 is particularly useful as an intrinsic planarizing stop layer within a damascene method. A bilayer dielectric layer construction comprising a carbon and halogen doped silicate glass and a carbon doped silicate glass dielectric layer absent halogen doping is useful within a dual damascene method.

摘要翻译： 制造电介质层的方法提供了当形成碳和卤素掺杂的硅酸盐玻璃介电层时与卤素源材料分开的碳源材料的使用。 当形成碳和卤素掺杂的硅酸盐玻璃介电层时，使用单独的碳和卤素源材料提供了增强的工艺自由度。 具有大于约3.0的介电常数的这种碳和卤素掺杂的硅酸盐玻璃介电层特别适用于镶嵌法中的本征平面化停止层。 包含碳和卤素掺杂的硅酸盐玻璃的双层电介质层结构和不含卤素掺杂的碳掺杂的硅酸盐玻璃介电层在双镶嵌方法中是有用的。

公开(公告)号：US06664177B1

公开(公告)日：2003-12-16

申请号：US10062645

申请日：2002-02-01

申请人： Kwang-Ming Lin ,  Chung-Hung Lu ,  Szu-An Wu ,  Ya-Li Tai ,  Kun-Yi Liu

发明人： Kwang-Ming Lin ,  Chung-Hung Lu ,  Szu-An Wu ,  Ya-Li Tai ,  Kun-Yi Liu

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/76807

摘要： This invention relates to a method of fabrication used for semiconductor integrated circuit devices, and more specifically, to improve the photolithography processing window of a multi-layered dual damascene process by using a dielectric anti-reflective coating, DARC, comprised of multiple layers of silicon oxynitride, SiON, with varying k, dielectric constant values and thickness, to reduce reflectivity and improve light absorption. By varying both the thickness and the dielectric constant of the layers, the optical properties of light absorption, refractive indices, and light reflection are optimized.

摘要翻译： 本发明涉及用于半导体集成电路器件的制造方法，更具体地说，涉及通过使用由多层硅构成的介电抗反射涂层DARC来改进多层双镶嵌工艺的光刻处理窗口 氧氮化物，SiON，具有不同的k，介电常数值和厚度，以减少反射率并改善光吸收。 通过改变层的厚度和介电常数，优化光吸收，折射率和光反射的光学性质。

公开(公告)号：US09673244B2

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：US13415546

申请日：2012-03-08

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Szu-An Wu

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Min Hao Hong ,  Kei-Wei Chen ,  Szu-An Wu

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/1464

摘要： Image sensors comprising an isolation region according to embodiments are disclosed, as well as methods of forming the image sensors with isolation region. An embodiment is a structure comprising a semiconductor substrate, a photo element in the semiconductor substrate, and an isolation region in the semiconductor substrate. The isolation region is proximate the photo element and comprises a dielectric material and an epitaxial region. The epitaxial region is disposed between the semiconductor substrate and the dielectric material.

公开(公告)号：US09219092B2

公开(公告)日：2015-12-22

申请号：US13396426

申请日：2012-02-14

申请人： Shiu-Ko JangJian ,  Szu-An Wu ,  Sheng-Wen Chen

发明人： Shiu-Ko JangJian ,  Szu-An Wu ,  Sheng-Wen Chen

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

摘要： A device includes a semiconductor substrate, which has a front side and a backside. A photo-sensitive device is disposed on the front side of the semiconductor substrate. A first and a second grid line are parallel to each other, and are disposed on the backside of, and overlying, the semiconductor substrate. A stacked layer includes an adhesion layer, a metal layer over the adhesion layer, and a high-refractive index layer over the metal layer. The adhesion layer, the metal layer, and the high-refractive index layer are substantially conformal, and extend on top surfaces and sidewalls of the first and the second grid lines.

摘要翻译： 一种器件包括具有正面和背面的半导体衬底。 光敏装置设置在半导体基板的正面上。 第一和第二栅极线彼此平行，并且设置在半导体衬底的背面并且覆盖其上。 堆叠层包括粘合层，粘合层上的金属层和金属层上的高折射率层。 粘合层，金属层和高折射率层基本上共形，并且在第一和第二栅格线的顶表面和侧壁上延伸。

公开(公告)号：US08778602B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US12562248

申请日：2009-09-18

申请人： Hung-Ting Pan ,  Jing-Huan Chen ,  Wei-Chung Ma ,  Hsin-Chun Chiang ,  Po-Chung Cheng ,  Szu-An Wu

发明人： Hung-Ting Pan ,  Jing-Huan Chen ,  Wei-Chung Ma ,  Hsin-Chun Chiang ,  Po-Chung Cheng ,  Szu-An Wu

IPC分类号： G03F7/30

CPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0273

摘要： A method of lithography patterning includes coating a resist layer on a substrate; performing an exposing process to the resist layer using a lithography tool with a numerical aperture tuned between about 0.5 and about 0.6; baking the resist layer; thereafter performing a first developing process to the resist layer for a first period of time; and performing a second developing process to the resist layer for a second period of time.

摘要翻译： 光刻图案的方法包括在基板上涂覆抗蚀剂层; 使用数值孔径调节在约0.5和约0.6之间的光刻工具对抗蚀剂层进行曝光处理; 烘烤抗蚀剂层; 然后对所述抗蚀剂层进行第一显影处理第一时间; 以及对所述抗蚀剂层进行第二显影处理第二时间段。

公开(公告)号：US08294202B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12754761

申请日：2010-04-06

申请人： Shiu-Ko Jangjian ,  Szu-An Wu ,  Sheng-Wen Chen

发明人： Shiu-Ko Jangjian ,  Szu-An Wu ,  Sheng-Wen Chen

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833

摘要： A semiconductor device structure, for improving the metal gate leakage within the semiconductor device. A structure for a metal gate electrode for a n-type Field Effect Transistor includes a capping layer; a first metal layer comprising Ti and Al over the capping layer; a metal oxide layer over the first metal layer; a barrier layer over the metal oxide layer; and a second metal layer over the barrier layer.

摘要翻译： 一种用于改善半导体器件内的金属栅极泄漏的半导体器件结构。 用于n型场效应晶体管的金属栅电极的结构包括封盖层; 在覆盖层上包含Ti和Al的第一金属层; 第一金属层上的金属氧化物层; 金属氧化物层上的阻挡层; 和阻挡层上的第二金属层。

公开(公告)号：US20060166458A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11044814

申请日：2005-01-26

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Szu-An Wu ,  Yi-Lang Wang

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Szu-An Wu ,  Yi-Lang Wang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/76224

摘要： A shallow trench isolation (STI) structure for semiconductor devices is formed using a deposited silicon layer formed over a polish stop layer formed over an oxide formed on a substrate. The polish stop layer may be nitride. An opening is formed extending through the deposited silicon layer and the nitride and oxide layers and extending into the substrate. A deposited oxide is formed filling the opening and extending over the top surface of deposited silicon layer. A chemical mechanical polishing operation polishes the deposited silicon layer at a rate faster than the deposited oxide layer to produce an STI with a convex portion extending above the nitride layer. Dishing problems are avoided and the structure may be subsequently planarized.

摘要翻译： 用于半导体器件的浅沟槽隔离（STI）结构使用形成在形成在衬底上的氧化物上形成的抛光停止层上的沉积硅层形成。 抛光停止层可以是氮化物。 形成延伸穿过沉积的硅层和氮化物和氧化物层并延伸到衬底中的开口。 形成沉积氧化物，填充开口并在沉积的硅层的顶表面上延伸。 化学机械抛光操作以比沉积的氧化物层更快的速率抛光沉积的硅层，以产生具有在氮化物层上方延伸的凸部的STI。 避免了抛光问题，并且可以随后平面化该结构。

公开(公告)号：US06602560B2

公开(公告)日：2003-08-05

申请号：US10196850

申请日：2002-07-16

申请人： Yi-Lung Cheng ,  Wen-Kung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Long Wang ,  Pei-Fen Chou

发明人： Yi-Lung Cheng ,  Wen-Kung Cheng ,  Ming-Hwa Yoo ,  Szu-An Wu ,  Ying-Long Wang ,  Pei-Fen Chou

IPC分类号： C23C1640

CPC分类号： C23C16/4405 ,  B08B7/0035

摘要： A method of removing residual fluorine present in a HDP-CVD chamber which includes a high pressure seasoning process, a dry-cleaning process, and a low-pressure deposition process.

摘要翻译： 一种除去存在于HDP-CVD室中的残余氟的方法，其包括高压调味处理，干洗处理和低压沉积工艺。

公开(公告)号：US06358761B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09396521

申请日：1999-09-15

申请人： Hui-Ju Yoo ,  Szu-An Wu ,  Cheng-Kun Lin ,  Shiow-Jye Jenq

发明人： Hui-Ju Yoo ,  Szu-An Wu ,  Cheng-Kun Lin ,  Shiow-Jye Jenq

IPC分类号： H01L21265

CPC分类号： G01N27/041

摘要： A method and means for detection of oxidizing contamination in acid etching baths employed to etch silicon oxide layers from silicon substrates employed in silicon integrated circuit microelectronics fabrications. There is provided a silicon substrate having within a doped region formed employing ion implantation. The silicon substrate is immersed within a buffered oxide etch (BOE) acid bath, wherein the presence of an oxidizing contaminant correlates with an increase in the resistance of the doped region upon the removal of any silicon oxide layer on the silicon surface.

摘要翻译： 用于检测酸蚀刻液中的氧化污染物的方法和装置，其用于从用于硅集成电路微电子学制造的硅衬底上蚀刻氧化硅层。 提供了在采用离子注入形成的掺杂区域内的硅衬底。 将硅衬底浸入缓冲氧化物蚀刻（BOE）酸浴中，其中氧化污染物的存在与去除硅表面上的任何氧化硅层时的掺杂区域的电阻的增加相关。