公开(公告)号：US20080268176A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US12215602

申请日：2008-06-25

申请人： Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  John M. White

发明人： Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  John M. White

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC分类号： H01L21/3185

摘要： We have discovered that controlling a combination of PECVD deposition process parameters during deposition of silicon-containing thin film provides improved control over surface standing wave effects. By minimizing surface standing wave effects, the uniformity of film properties (particularly film thickness) across a substrate surface onto which the films have been deposited is improved.

摘要翻译： 我们已经发现，在沉积含硅薄膜期间控制PECVD沉积工艺参数的组合提供了改进的对表面驻波效应的控制。 通过最小化表面驻波效应，改善了其上沉积有薄膜的基板表面上的膜性质（特别是膜厚度）的均匀性。

公开(公告)号：US20080241355A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US11694353

申请日：2007-03-30

申请人： Tae Kyung Won ,  John M. White ,  Ya-Tang Yang

发明人： Tae Kyung Won ,  John M. White ,  Ya-Tang Yang

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78666

摘要： Methods for depositing a gate insulator layer and a semiconductor layer onto a large area substrate with improved film uniformity, device mobility and stability are provided. The film properties of the gate insulator layer and the semiconductor layer are selected so that higher electron mobility (greater than 0.7 centimeters squared per voltage per second) is obtained, thereby efficiently enhancing the performance and stability of TFT devices. Improvements in film uniformity may also be realized.

摘要翻译： 提供了将膜绝缘体层和半导体层沉积到具有改进的膜均匀性，器件迁移率和稳定性的大面积衬底上的方法。 选择栅极绝缘体层和半导体层的膜特性，使得获得更高的电子迁移率（每电压每秒大于0.7厘米的平方），从而有效地提高TFT器件的性能和稳定性。 也可以实现膜均匀性的改善。

公开(公告)号：US07220687B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10876440

申请日：2004-06-25

申请人： Tae Kyung Won

发明人： Tae Kyung Won

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C8/36

摘要： A method and apparatus for depositing a material layer onto a substrate is described. The method includes placing the substrate in a process chamber, delivering a mixture of precursors for the material layer into the process chamber, delivering a hydrogen gas into the process chamber to improve water-barrier performance of the material layer, controlling the temperature of the substrate to a temperature of about 100° C. or lower, applying an electric field and generating a plasma inside the process chamber, and depositing the material layer on the substrate. The material layer can be used as an encapsulating layer for various display applications which require low temperature deposition process due to thermal instability of underlying materials used. The encapsulating layer thus deposited provides reduced surface roughness, improved water-barrier performance which can be applied to any substrate type including wafer, glass, and plastic film (e.g., PET, PEN, etc.) and any substrate size in the flat panel industry.

摘要翻译： 描述了将材料层沉积到基底上的方法和装置。 该方法包括将基板放置在处理室中，将用于材料层的前体的混合物输送到处理室中，将氢气输送到处理室中以改善材料层的防水性能，控制基板的温度 至约100℃或更低的温度，施加电场并在处理室内产生等离子体，并将材料层沉积在基底上。 材料层可以用作需要低温沉积工艺的各种显示应用的封装层，这是由于使用的下层材料的热不稳定性。 这样沉积的封装层提供降低的表面粗糙度，改善的防水性能，其可以应用于包括晶片，玻璃和塑料膜（例如，PET，PEN等）的任何基板类型以及平板工业中的任何基板尺寸 。

公开(公告)号：US07125758B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10829016

申请日：2004-04-20

申请人： Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  Gaku Furuta ,  Qunhua Wang ,  John M. White ,  Beom Soo Park

发明人： Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  Gaku Furuta ,  Qunhua Wang ,  John M. White ,  Beom Soo Park

IPC分类号： H01L21/471

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78669

摘要： We have developed a method of PECVD depositing a-SiNx:H films which are useful in a TFT device as gate dielectric and passivation layers, when a series of TFT devices are arrayed over a substrate having a surface area larger than about 1 m2, which may be in the range of about 4.1 m2, and even as large as 9 m2. The a-SiNx:H films provide a uniformity of film thickness and uniformity of film properties, including chemical composition, which are necessary over such large substrate surface areas. The films produced by the method are useful for both liquid crystal active matrix displays and for organic light emitting diode control.

摘要翻译： 我们已经开发了一种PECVD沉积a-SiN＆lt; x＆gt;：H膜的方法，其可用于TFT器件作为栅极电介质和钝化层，当一系列TFT​​器件排列在具有表面的衬底上时 大于约1m 2的区域，其可以在约4.1m 2范围内，甚至大至9m 2/2。 a-SiN＆lt; x＆gt;：H膜提供了膜厚度的均匀性和膜特性的均匀性，包括在这种大的基材表面区域上必需的化学成分。 通过该方法生产的膜对于液晶有源矩阵显示器和有机发光二极管控制是有用的。

公开(公告)号：US06858548B2

公开(公告)日：2005-02-22

申请号：US10125961

申请日：2002-04-18

申请人： Tae Kyung Won ,  Quanyuan Shang ,  William R. Harshbarger

发明人： Tae Kyung Won ,  Quanyuan Shang ,  William R. Harshbarger

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/509 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： G02F1/1362 ,  C23C16/401 ,  C23C16/5096 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1248 ,  Y10T428/31663

摘要： A process for depositing a low dielectric constant layer (k

摘要翻译： 一种用于在平板显示器和平板显示器上沉积低介电常数层（k <3）的工艺。 该方法包括使一种或多种有机硅化合物与含氧化合物以约0.345W / cm 2至约1.265W / cm 2的RF功率水平反应。 平板显示器包括具有第一基板，沉积在第一基板上的多个屏障，第二基板，沉积在第二基板上的低介电常数层（k <3）的等离子体显示面板，以及多个接地电极 形成在阻挡层和电介质层之间。

公开(公告)号：US08883269B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13331021

申请日：2011-12-20

申请人： Tae Kyung Won ,  Helinda Nominanda ,  Seon-Mee Cho ,  Soo Young Choi ,  Beom Soo Park ,  John M. White ,  Suhail Anwar ,  Jozef Kudela

发明人： Tae Kyung Won ,  Helinda Nominanda ,  Seon-Mee Cho ,  Soo Young Choi ,  Beom Soo Park ,  John M. White ,  Suhail Anwar ,  Jozef Kudela

IPC分类号： H05H1/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01J37/32

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/511 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

摘要： A method of processing a substrate in a processing chamber is provided. The method generally includes applying a microwave power to an antenna coupled to a microwave source disposed within the processing chamber, wherein the microwave source is disposed relatively above a gas feeding source configured to provide a gas distribution coverage covering substantially an entire surface of the substrate, and exposing the substrate to a microwave plasma generated from a processing gas provided by the gas feeding source to deposit a silicon-containing layer on the substrate at a temperature lower than about 200 degrees Celsius, the microwave plasma using a microwave power having a power density of about 500 milliWatts/cm2 to about 5,000 milliWatts/cm2 at a frequency of about 1 GHz to about 10 GHz.

摘要翻译： 提供了一种在处理室中处理衬底的方法。 该方法通常包括对耦合到设置在处理室内的微波源的天线施加微波功率，其中微波源设置在气体馈送源的相对上方，该气体馈送源被配置成提供覆盖基板整个表面的气体分布覆盖， 以及将所述衬底暴露于由所述气体供给源提供的处理气体产生的微波等离子体，以在低于约200摄氏度的温度下在所述衬底上沉积含硅层，所述微波等离子体使用具有功率密度 在约1GHz至约10GHz的频率下为约500毫瓦/厘米2至约5,000毫瓦/厘米2。

公开(公告)号：US20120279943A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13462939

申请日：2012-05-03

申请人： Helinda Nominanda ,  Tae Kyung Won ,  Seon-Mee Cho ,  Beom Soo Park ,  Soo Young Choi

发明人： Helinda Nominanda ,  Tae Kyung Won ,  Seon-Mee Cho ,  Beom Soo Park ,  Soo Young Choi

IPC分类号： C23C16/50 ,  B05C9/00 ,  B44C1/22 ,  C23C16/511

CPC分类号： C23C16/45572 ,  C23C16/511

摘要： A method and apparatus for processing a substrate is provided. In one embodiment, the apparatus is in the form of a processing chamber that includes a chamber body having a processing volume defined therein. A substrate support, a gas delivery tube assembly and a plasma line source are disposed in the processing volume. The gas delivery tube assembly includes an inner tube is disposed in an outer tube. The inner tube has a passage for flowing a cooling fluid therein. The outer tube has a plurality of gas distribution apertures for providing processing gas into the processing volume.

摘要翻译： 提供了一种用于处理衬底的方法和设备。 在一个实施例中，该装置是处理室的形式，其包括其中限定有处理容积的室主体。 衬底支撑件，气体输送管组件和等离子体线源设置在处理体积中。 气体输送管组件包括内管，其设置在外管中。 内管具有用于在其中流动冷却流体的通道。 外管具有多个气体分配孔，用于将处理气体提供到处理容积中。

公开(公告)号：US08076222B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12204563

申请日：2008-09-04

申请人： Tae Kyung Won ,  Soo Young Choi ,  Dong Kil Yim ,  Jriyan Jerry Chen ,  Beom Soo Park

发明人： Tae Kyung Won ,  Soo Young Choi ,  Dong Kil Yim ,  Jriyan Jerry Chen ,  Beom Soo Park

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

摘要： Methods for forming a microcrystalline silicon layer in a thin film transistor structure are provided. In one embodiment, a method for forming a microcrystalline silicon layer includes providing a substrate in a processing chamber, supplying a first gas mixture having a hydrogen containing gas to a silicon containing gas flow rate ratio greater than about 200:1 into the processing chamber, maintaining a first process pressure greater than about 6 Torr in the processing chamber to deposit a first microcrystalline silicon containing layer in presence of a plasma formed from the first gas mixture, supplying a second gas mixture into the processing chamber, and maintaining a second process pressure less than about 5 Torr in the processing chamber to deposit a second microcrystalline silicon containing layer in presence of a plasma formed from the second gas mixture.

摘要翻译： 提供了在薄膜晶体管结构中形成微晶硅层的方法。 在一个实施例中，形成微晶硅层的方法包括在处理室中提供衬底，将具有含氢气体的第一气体混合物供给到大于约200:1的含硅气体流速比进入处理室， 在处理室中保持大于约6托的第一工艺压力，以在由第一气体混合物形成的等离子体存在下沉积第一微晶硅含量层，将第二气体混合物供应到处理室中，并保持第二工艺压力 在处理室中小于约5托，以在由第二气体混合物形成的等离子体存在下沉积第二微晶硅含量层。

公开(公告)号：US07959987B2

公开(公告)日：2011-06-14

申请号：US11292225

申请日：2005-11-30

申请人： Tae Kyung Won ,  Robert Bachrach ,  John M. White ,  Wendell T. Blonigan

发明人： Tae Kyung Won ,  Robert Bachrach ,  John M. White ,  Wendell T. Blonigan

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  H01M8/0213 ,  H01M8/0215 ,  H01M8/0226 ,  H01M8/0228

摘要： A method and apparatus for depositing a material layer to treat and condition a substrate, such as a fuel cell part, is described. The method includes depositing a hydrophilic material layer on a portion of the surface of the substrate in a process chamber from a mixture of precursors of the hydrophilic material layer. In addition, the method includes reducing a fluid contact angle of the substrate surface. The hydrophilic material layer comprises a wet etch rate of less than about 0.03 Å/min in the presence of about 10 ppm of hydrofluoric acid in water. The material layer can be used to condition various parts of a fuel cell useful in applications to generate electricity.

摘要翻译： 描述了用于沉积材料层以处理和调节诸如燃料电池部件的基板的方法和装置。 该方法包括在亲水材料层的前体的混合物的处理室中的基底表面的一部分上沉积亲水材料层。 此外，该方法包括降低衬底表面的流体接触角。 在大约10ppm氢氟酸存在下，亲水性材料层包括小于约0.03 /分钟的湿蚀刻速率。 材料层可用于调节用于发电的燃料电池的各种部件。

公开(公告)号：US20090315030A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12486435

申请日：2009-06-17

申请人： Soo Young Choi ,  Jriyan Jerry Chen ,  Tae Kyung Won ,  Dong-Kil Yim

发明人： Soo Young Choi ,  Jriyan Jerry Chen ,  Tae Kyung Won ,  Dong-Kil Yim

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/02532 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13312 ,  G02F2201/58 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/153 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548

摘要： Embodiments of the present invention relate to methods for depositing an amorphous film that may be suitable for using in a NIP photodiode in display applications. In one embodiment, the method includes providing a substrate into a deposition chamber, supplying a gas mixture having a hydrogen gas to silane gas ratio by volume greater than 4 into the deposition chamber, maintaining a pressure of the gas mixture at greater than about 1 Torr in the deposition chamber, and forming an amorphous silicon film on the substrate in the presence of the gas mixture, wherein the amorphous silicon film is configured to be an intrinsic-type layer in a photodiode sensor.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及用于沉积非晶膜的方法，所述方法适用于显示器应用中的NIP光电二极管。 在一个实施例中，该方法包括将衬底提供到沉积室中，将具有氢气的硅烷气体比例大于4的硅烷气体的气体混合物供应到沉积室中，将气体混合物的压力保持在大于约1托 在所述沉积室中，并且在所述气体混合物的存在下在所述衬底上形成非晶硅膜，其中所述非晶硅膜被配置为光电二极管传感器中的本征型层。