公开(公告)号：US20070113527A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US11518282

申请日：2006-09-11

申请人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Ki Bang

发明人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Ki Bang

IPC分类号： B01D46/00

CPC分类号： F24F3/1603 ,  F24F1/0047 ,  F24F1/0071 ,  F24F7/08 ,  F24F12/006 ,  F24F2003/1614 ,  F24F2013/0616 ,  Y02A50/21 ,  Y02B30/563

摘要： An air conditioning system is provided. The air conditioning system includes an air cleaning unit. The air cleaning unit includes a grill having a discharge grill on a side portion, a fan sucking indoor air and/or outdoor air, a filter cleaning the sucked air, and an installation case attached to one side of the discharge grill and having a suction hole and an exhaust hole. A ventilation unit operates in association with the air cleaning unit. A duct member connects the air cleaning unit and the ventilation unit.

摘要翻译： 提供空调系统。 空调系统包括空气净化单元。 空气净化单元包括在侧面具有放电格栅的格栅，吸入室内空气和/或室外空气的风扇，清洁吸入的空气的过滤器和附接到排放格栅的一侧的安装壳体， 孔和排气孔。 通风单元与空气净化单元相关联地操作。 管道构件连接空气净化单元和通风单元。

公开(公告)号：US07217326B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US10750023

申请日：2003-12-31

申请人： Ho Lee

发明人： Ho Lee

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/5096

摘要： A chemical vapor deposition apparatus is provided, which includes: a chamber having an inner space; a gas feed member for supplying a gas into the chamber; a susceptor disposed in the chamber and supporting a substrate; a diffuser partitioning the inner space of the chamber into first and second partitions and having a plurality of holes connecting the first partition and the second partition for gas communication; a diffuser frame incorporated into the diffuser; and an insulating frame disposed between the chamber and the diffuser.

摘要翻译： 提供一种化学气相沉积设备，其包括：具有内部空间的室; 用于将气体供应到所述室中的气体供给构件; 设置在所述室中并支撑基板的感受体; 扩散器，将所述室的内部空间分隔成第一和第二隔板，并且具有连接所述第一隔板和所述第二隔板的多个孔，用于气体连通; 结合到扩散器中的扩散器框架; 以及设置在室和扩散器之间的绝缘框架。

公开(公告)号：US20070066215A1

公开(公告)日：2007-03-22

申请号：US11491165

申请日：2006-07-24

申请人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Kang Ko

发明人： Chang Song ,  Ho Lee ,  Jong Park ,  Dong Kang ,  Kang Ko

IPC分类号： F24F13/06 ,  B01D46/00 ,  F25D17/04

CPC分类号： F24F3/1603 ,  B01D46/0004 ,  B01D46/0023 ,  B01D46/0038 ,  B01D46/0039 ,  B01D46/008 ,  B01D2267/40 ,  B01D2273/30 ,  B01D2279/50 ,  F24F1/0071 ,  F24F11/30 ,  F24F13/32 ,  F24F2003/1614 ,  F24F2013/0616 ,  F24F2110/50 ,  F24F2110/70 ,  F24F2221/14 ,  Y02A50/21

摘要： An air conditioning apparatus is provided. The air conditioning apparatus includes a cover assembly having an indoor air suction hole, a filter assembly cleaning indoor air sucked through the indoor air suction hole, and a grill. The grill includes a discharge grill formed on a side for discharging the indoor air cleaned by the filter assembly to an indoor area, and an exhaust grill for discharging indoor air to an outdoor area. A fan assembly draws indoor or outdoor air toward the grill. A rear panel is coupled to the grill. The rear panel includes a suction hole formed in one side for introducing outdoor air and an exhaust hole formed beside the suction hole for discharging indoor air to the outdoor area.

摘要翻译： 提供一种空调装置。 该空气调节装置包括具有室内空气吸入孔的盖组件，清洁通过室内空气吸入孔吸入的室内空气的过滤器组件和格栅。 格栅包括形成在用于将由过滤器组件清洁的室内空气排放到室内的侧面的排放格栅和用于将室内空气排放到室外区域的排气格栅。 风扇组件将室内或室外空气朝向烤架抽吸。 后面板连接到格栅。 后面板包括形成在一侧的用于引入室外空气的吸入孔和形成在吸入孔旁边的用于将室内空气排放到室外区域的排气孔。

公开(公告)号：US20060204595A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11372101

申请日：2006-03-10

申请人： Sun Park ,  Ho Lee

发明人： Sun Park ,  Ho Lee

IPC分类号： A61K36/254 ,  A61K36/752 ,  A61K36/886 ,  A61K36/48 ,  A61K36/28 ,  A61K36/258

CPC分类号： A61K36/31 ,  A23L33/105 ,  A23L33/15 ,  A23L33/155 ,  A23V2002/00 ,  A61K36/236 ,  A61K36/254 ,  A61K36/28 ,  A61K36/346 ,  A61K36/484 ,  A61K36/61 ,  A61K36/704 ,  A61K36/734 ,  A61K36/752 ,  A61K36/886 ,  A61K2300/00 ,  A23V2250/21 ,  A23V2250/708 ,  A23V2250/211 ,  A23V2200/30 ,  A23V2200/02

摘要： An antioxidant supplement composition includes a mixture including 20-27% Glycyrrhiza uralensis, 2-6% Crataegus pinnatifida, 1-3% Ligusticum tenuissimum, 2-4% Acathopanax sessiliflorus, 2-5% Polygonum multiflorum, 3-6% Eugenia aromaticum, 8-10% Citrus reticulatae, 3-6% Raphani seed, 5-10% Platycodon grandiflorum, 21-26% Aloe arborescens, 18-20% Arctium lappa, 30-200 mg vitamin-C, and 1,500-20,000 IU β-carotene.

摘要翻译： 一种抗氧化剂补充剂组合物包括20-27％甘草，2-6％山楂，1-3％枸杞，2-4％刺五加，2-5％茯苓，3-6％香草， 8-10％柑橘柑橘，3-6％Raphani种子，5-10％桔梗，21-26％芦荟，18-20％牛蒡，30-200mg维生素C和1,500-20,000IUβ- 胡萝卜素。

公开(公告)号：US07084041B2

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10795175

申请日：2004-03-05

申请人： Hwa-sung Rhee ,  Jae-yoon Yoo ,  Ho Lee ,  Seung-hwan Lee ,  Byou-ree Lim

发明人： Hwa-sung Rhee ,  Jae-yoon Yoo ,  Ho Lee ,  Seung-hwan Lee ,  Byou-ree Lim

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/7375 ,  H01L29/7378

摘要： A method of manufacturing a bipolar device including pre-treatment using germane gas and a bipolar device manufactured by the same. The method includes forming a single crystalline silicon layer for a base region on a collector region; and forming a polysilicon layer for an emitter region thereon. Here, before the polysilicon layer is formed, the single crystalline silicon layer is pre-treated using germane gas. Thus, an oxide layer is removed from the single crystalline silicon layer, and a germanium layer is formed on the single crystalline silicon layer, thus preventing Si-rearrangement.

摘要翻译： 一种制造双极器件的方法，其包括使用锗烷气体的预处理和由其制造的双极器件。 该方法包括在集电区上形成用于基区的单晶硅层; 并在其上形成发射极区的多晶硅层。 这里，在形成多晶硅层之前，使用锗烷气预处理单晶硅层。 因此，从单晶硅层去除氧化物层，并且在单晶硅层上形成锗层，从而防止Si重排。

公开(公告)号：US20060163558A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11388868

申请日：2006-03-24

申请人： Seung-hwan Lee ,  Moon-han Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Jae-yoon Yoo

发明人： Seung-hwan Lee ,  Moon-han Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Jae-yoon Yoo

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628

摘要： In a metal-oxide semiconductor (MOS) transistor with an elevated source/drain structure and in a method of fabricating the MOS transistor with the elevated source/drain structure using a selective epitaxy growth (SEG) process, a source/drain extension junction is formed after an epi-layer is formed, thereby preventing degradation of the source/drain junction region. In addition, the source/drain extension junction is partially overlapped by a lower portion of the gate layer, since two gate spacers are formed and two elevated source/drain layers are formed in accordance with the SEG process. This mitigates the short channel effect and reduces sheet resistance in the source/drain layers and the gate layer.

摘要翻译： 在具有升高的源极/漏极结构的金属氧化物半导体（MOS）晶体管中，并且使用选择性外延生长（SEG）工艺制造具有升高的源极/漏极结构的MOS晶体管的方法中，源极/漏极延伸结是 在形成外延层之后形成，从而防止源极/漏极结区域的劣化。 此外，源极/漏极延伸结部分由栅极层的下部部分地重叠，因为形成了两个栅极间隔物，并且根据SEG工艺形成两个升高的源极/漏极层。 这减轻了短沟道效应并降低了源极/漏极层和栅极层中的薄层电阻。

公开(公告)号：US20060148154A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11281599

申请日：2005-11-18

申请人： Dong-Suk Shin ,  Ueno Tetsuji ,  Seung-Hwan Lee ,  Ho Lee ,  Hwa-Sung Rhee

发明人： Dong-Suk Shin ,  Ueno Tetsuji ,  Seung-Hwan Lee ,  Ho Lee ,  Hwa-Sung Rhee

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853

摘要： Disclosed are processes and techniques for fabricating semiconductor substrates for the manufacture of semiconductor devices, particularly CMOS devices, that include selectively formed, high quality single crystal or monocrystalline surface regions exhibiting different crystal orientations. At least one of the surface regions will incorporate at least one faceted epitaxial semiconductor structure having surfaces that exhibit a crystal orientation different than the semiconductor region on which the faceted epitaxial semiconductor structure is formed. According, the crystal orientation in the channel regions of the NMOS and/or PMOS devices may be configured to improve the relative performance of at least one of the devices and allow corresponding redesign of the semiconductor devices fabricated using such a process.

摘要翻译： 公开了用于制造用于制造半导体器件，特别是CMOS器件的半导体衬底的工艺和技术，其包括具有不同晶体取向的选择性地形成的高质量单晶或单晶表面区域。 表面区域中的至少一个将结合至少一个具有不同于其上形成有刻面外延半导体结构的半导体区域的晶体取向的表面的分面外延半导体结构。 根据，NMOS和/或PMOS器件的沟道区域中的晶体取向可以被配置为改善至少一个器件的相对性能，并允许对使用这种工艺制造的半导体器件进行相应的重新设计。

公开(公告)号：US20060127818A1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：US11280393

申请日：2005-11-17

申请人： Sung Cho ,  Euk Hwang ,  Jin Kim ,  Chang Noh ,  Ki Song ,  Ho Lee

发明人： Sung Cho ,  Euk Hwang ,  Jin Kim ,  Chang Noh ,  Ki Song ,  Ho Lee

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： G03F7/0007 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/11 ,  G03F7/265 ,  G03F7/32 ,  G03F7/423

摘要： A method for manufacturing a high-transmittance optical filter for image display devices, which may include the steps of coating a photocatalytic compound on a transparent substrate to form a photocatalytic film, selectively exposing the photocatalytic film to light and growing a metal crystal thereon by plating to form a metal pattern, and selectively etching and removing the photocatalytic compound remaining on the transparent substrate using a buffered oxide etchant (BOE). According to the method, a high-transmittance, high-resolution and low-resistivity optical filter can be manufactured in a simple manner at low costs.

摘要翻译： 一种用于图像显示装置的高透光率滤光器的制造方法，其可以包括在透明基板上涂布光催化剂以形成光催化膜的步骤，选择性地将光催化膜曝光并通过电镀在其上生长金属结晶 以形成金属图案，并使用缓冲氧化物蚀刻剂（BOE）选择性地蚀刻和除去留在透明基板上的光催化化合物。 根据该方法，可以以低成本以简单的方式制造高透光率，高分辨率和低电阻率的滤光器。

公开(公告)号：US06987310B2

公开(公告)日：2006-01-17

申请号：US10851336

申请日：2004-05-24

申请人： Ho Lee ,  Moon-Han Park ,  Hwa-Sung Rhee ,  Jae-Yoon Yoo ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Ho Lee ,  Moon-Han Park ,  Hwa-Sung Rhee ,  Jae-Yoon Yoo ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L31/328 ,  H01L31/72 ,  H01L31/336 ,  H01L31/109 ,  H01L39/60

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251

摘要： A multi-layered structure of a semiconductor device includes a substrate, and a heteroepitaxial layer having a low dislocation defect density on the substrate. The heteroepitaxial layer consists of a main epitaxial layer and at least one intermediate epitaxial layer sandwished in the main epitaxial layer. At their interface, the heteroepitaxial layer, i.e., the bottom portion of the main epitaxial layer, and the substrate have different lattice constants. Also, the intermediate epitaxial layer has a different lattice constant from that of the portions of the main epitaxial layer contiguous to the intermediate epitaxial layer. The intermediate epitaxial layer also has a thickness smaller than the net thickness of the main epitaxial layer such that the intermediate epitaxial layer absorbs the strain in the heteroepitaxial layer. Thus, it is possible to obtain a multi-layered structure comprising an epitaxial layer that is relatively thin and has a low dislocation defect density.

摘要翻译： 半导体器件的多层结构包括衬底和在衬底上具有低位错缺陷密度的异质外延层。 异质外延层由主外延层和在外延层中形成的至少一个中间外延层组成。 在其界面处，异质外延层，即主外延层的底部，以及基板具有不同的晶格常数。 此外，中间外延层具有与与外延层相邻的主外延层的部分的晶格常数不同的晶格常数。 中间外延层的厚度也小于主外延层的净厚度，使得中间外延层吸收异质外延层中的应变。 因此，可以获得包括相对薄且具有低位错缺陷密度的外延层的多层结构。

公开(公告)号：US20050279997A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US11154236

申请日：2005-06-16

申请人： Dong-Suk Shin ,  Hwa-Sung Rhee ,  Tetsuji Ueno ,  Ho Lee ,  Seung-Hwan Lee

发明人： Dong-Suk Shin ,  Hwa-Sung Rhee ,  Tetsuji Ueno ,  Ho Lee ,  Seung-Hwan Lee

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L21/28044 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66772

摘要： In methods of selectively forming an epitaxial semiconductor layer on a single crystalline semiconductor and semiconductor devices fabricated using the same, a single crystalline epitaxial semiconductor layer and a non-single crystalline epitaxial semiconductor layer are formed on a single crystalline semiconductor and a non-single crystalline semiconductor pattern respectively, using a main semiconductor source gas and a main etching gas. The non-single crystalline epitaxial semiconductor layer is removed using a selective etching gas. The main gases and the selective etching gas are alternately and repeatedly supplied at least two times to selectively form an elevated single crystalline epitaxial semiconductor layer having a desired thickness only on the single crystalline semiconductor. The selective etching gas suppresses formation of an epitaxial semiconductor layer on the non-single crystalline semiconductor pattern.

摘要翻译： 在单晶半导体上选择性地形成外延半导体层的方法和使用其制造的半导体器件的方法中，单晶外延半导体层和非单晶外延半导体层形成在单晶半导体和非单晶 半导体图案，分别使用主半导体源气体和主蚀刻气体。 使用选择性蚀刻气体去除非单晶外延半导体层。 主要气体和选择性蚀刻气体交替地和重复地供应至少两次以选择性地形成仅在单晶半导体上具有期望厚度的升高的单晶外延半导体层。 选择性蚀刻气体抑制在非单晶半导体图案上形成外延半导体层。