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    FILM-FORMING METHOD BASED ON LB METHOD
    46.
    发明申请
    FILM-FORMING METHOD BASED ON LB METHOD 失效
    基于LB方法的成膜方法

    公开(公告)号：US20110301315A1

    公开(公告)日：2011-12-08

    申请号：US13105974

    申请日：2011-05-12

    申请人： Koji Yano ,  Otto Albrecht ,  Kunihiro Mitsutake ,  Takeyuki Sone

    发明人： Koji Yano ,  Otto Albrecht ,  Kunihiro Mitsutake ,  Takeyuki Sone

    IPC分类号： C08F38/00 ,  B05D1/20

    CPC分类号： B05D1/202 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C08F238/00 ,  C08L49/00 ,  C08L2203/16 ,  C09D149/00

    摘要： Provided is a film-forming method based on an LB method by which a uniform alignment film using a helical polyacetylene can be obtained. The method based on the LB method includes: developing a helical polyacetylene onto a liquid surface; and transferring a monolayer film of the helical polyacetylene formed on the liquid surface onto a substrate to form a film, in which a compressibility P represented by the following formula (1) at a time of the film formation is 1×10−2 m/mN or less: P=(1/(dH/dS))×(1/S) (1), where H represents a surface pressure (mN/m) of the monolayer film of the helical polyacetylene, and S represents an area (m2) of the monolayer film of the helical polyacetylene developed onto the liquid surface.

    摘要翻译： 提供一种基于LB法的成膜方法，通过该方法可以获得使用螺旋聚乙炔的均匀取向膜。 基于LB方法的方法包括：在液面上形成螺旋聚乙炔; 将形成在液面上的螺旋状聚乙炔的单层膜转印到基板上，形成膜，其中在成膜时由下式（1）表示的压缩率P为1×10 -2 m / mN以下：P =（1 /（dH / dS））×（1 / S）（1）其中H表示螺旋聚乙炔的单层膜的表面压力（mN / m），S表示 （m2）的螺旋聚乙炔的单层膜显影液面。

    Hydrophilic stiff main chain type liquid crystalline composition and chiral sensor utilizing the same
    48.
    发明申请
    Hydrophilic stiff main chain type liquid crystalline composition and chiral sensor utilizing the same 失效
    亲水性刚性主链型液晶组合物和使用其的手性传感器

    公开(公告)号：US20070145329A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US10588452

    申请日：2005-01-31

    申请人： Koichi Sakajiri ,  Eiji Yashima

    发明人： Koichi Sakajiri ,  Eiji Yashima

    IPC分类号： C09K19/38 ,  C09K19/52

    CPC分类号： C09K19/3842 ,  C08L49/00 ,  Y10T428/10

    摘要： A hydrophilic stiff main chain type liquid crystal comprising a water-soluble salt of a synthetic helical polymer having no asymmetric carbon atom as a main component of the main chain thereof, for example, a polyacetylene derivative having such constitution; and a chiral sensor utilizing a liquid crystal comprising a water-soluble salt of the above synthetic helical polymer, in particular, a water-soluble salt of the above synthetic helical polymer having no asymmetric carbon atom.

    摘要翻译： 包含不具有不对称碳原子的合成螺旋聚合物的水溶性盐作为主链的主要成分的亲水性硬链型液晶，例如具有这种结构的聚乙炔衍生物; 以及使用包含上述合成螺旋状聚合物的水溶性盐的液晶的手性传感器，特别是上述没有不对称碳原子的合成螺旋状聚合物的水溶性盐。

    High stability conductive polyacetylene material and process for the production thereof
    50.
    发明授权
    High stability conductive polyacetylene material and process for the production thereof 失效
    高稳定性导电聚乙炔材料及其制备方法

    公开(公告)号：US4481132A

    公开(公告)日：1984-11-06

    申请号：US395294

    申请日：1982-07-06

    申请人： Jean C. Dubois ,  Maryse Gazard ,  Francois Schue ,  Louis Giral ,  Michel Rolland ,  Mahmoud Aldissi

    发明人： Jean C. Dubois ,  Maryse Gazard ,  Francois Schue ,  Louis Giral ,  Michel Rolland ,  Mahmoud Aldissi

    IPC分类号： C08L49/00 ,  H01B1/12 ,  H01L51/30 ,  H01B1/06

    CPC分类号： H01B1/125 ,  C08L49/00 ,  H01L51/0041 ,  Y02E10/549

    摘要： The invention relates to a doped polyacetylene film for forming an organic semiconductor or even a conductor of a metallic type. It serves to make the doping more homogeneous and improves the stability over a period of time. The process consists of using as the dopant a salt of an element such as chrome, nickel, iron, titanium, tungsten, or molybdenum belonging to the transition metals, or a salt of an element such as europium or ytterbium belonging to the lanthanides. Doping takes place by immersing the film in a solution having a low dopant concentration, e.g. in toluene, and maintaining the system at low pressure and ordinary temperature for a period of a few days, as a function of the desired doping level and conductivity.

    摘要翻译： 本发明涉及用于形成有机半导体或甚至金属型导体的掺杂聚乙炔膜。 它用于使掺杂更均匀，并且在一段时间内提高了稳定性。 该方法包括使用属于过渡金属的诸如铬，镍，铁，钛，钨或钼的元素的盐作为掺杂剂，或者属于镧系元素的元素如铕或镱的盐。 通过将膜浸入低掺杂剂浓度的溶液中来进行掺杂。 在甲苯中，并将系统保持在低压和常温下几天的时间，作为所需掺杂浓度和电导率的函数。