公开(公告)号：US20100220262A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12536400

申请日：2009-08-05

申请人： Natalie Fellows DeMille ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Natalie Fellows DeMille ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： G02F1/1335 ,  H01L33/44 ,  C09K11/80

CPC分类号： G02F1/13362 ,  G02F1/133617

摘要： A device for displaying images positions a luminescent material between a light source and a liquid crystal display (LCD). The light source, which comprises one or more nonpolar or semipolar III-nitride based light emitting diodes (LEDs), emits a primary light having a specified polarization direction and comprising one or more first wavelengths. This primary light emitted by the light source is a linearly polarized light that eliminates any need for a polarizer. The luminescent material, which comprises one or more phosphors, is optically pumped by the primary light and emits a secondary light having the polarization direction of the primary light, wherein the secondary light is comprised one or more second wavelengths that are different from the first wavelength. This secondary light emitted by the luminescent material is a colored light that eliminates any need for a color filter. The LCD receives the secondary light and displays one or more images in response thereto.

摘要翻译： 用于显示图像的装置将光源和液晶显示器（LCD）之间的发光材料定位。 包含一个或多个非极性或半极性III族氮化物的发光二极管（LED）的光源发射具有指定偏振方向并包含一个或多个第一波长的初级光。 由光源发射的这种一次光是线偏振光，其消除了对偏振器的任何需要。 包含一种或多种磷光体的发光材料通过初级光被光泵浦并发射具有初级光的偏振方向的二次光，其中二次光包括不同于第一波长的一个或多个第二波长 。 由发光材料发射的这种二次光是一种彩色光，消除了对滤色器的任何需要。 LCD接收二次光，并响应于此显示一个或多个图像。

公开(公告)号：US20100219416A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12716176

申请日：2010-03-02

申请人： Robert M. Farrell ,  Michael Iza ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert M. Farrell ,  Michael Iza ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  Y10T428/31

摘要： A method for improving the growth morphology of (Ga,Al,In,B)N thin films on nonpolar or semipolar (Ga,Al,In,B)N substrates, wherein a (Ga,Al,In,B)N thin film is grown directly on a nonpolar or semipolar (Ga,Al,In,B)N substrate or template and a portion of the carrier gas used during growth is comprised of an inert gas. Nonpolar or semipolar nitride LEDs and diode lasers may be grown on the smooth (Ga,Al,In,B)N thin films grown by the present invention.

摘要翻译： （Ga，Al，In，B）N薄膜中的（Ga，Al，In，B）N薄膜的生长形态的改进方法，其中，（Ga，Al，In，B） 直接在非极性或半极性（Ga，Al，In，B）N底物或模板上生长，并且在生长期间使用的载体气体的一部分由惰性气体组成。 可以在由本发明生长的光滑（Ga，Al，In，B）N薄膜上生长非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器。

公开(公告)号：US07769066B2

公开(公告)日：2010-08-03

申请号：US11600604

申请日：2006-11-15

申请人： Arpan Chakraborty ,  Monica Hansen ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  George Brandes

发明人： Arpan Chakraborty ,  Monica Hansen ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  George Brandes

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/3406

摘要： A laser diode and method for fabricating same, wherein the laser diode generally comprises an InGaN compliance layer on a GaN n-type contact layer and an AlGaN/GaN n-type strained super lattice (SLS) on the compliance layer. An n-type GaN separate confinement heterostructure (SCH) is on said n-type SLS and an InGaN multiple quantum well (MQW) active region is on the n-type SCH. A GaN p-type SCH on the MQW active region, an AlGaN/GaN p-type SLS is on the p-type SCH, and a p-type GaN contact layer is on the p-type SLS. The compliance layer has an In percentage that reduces strain between the n-type contact layer and the n-type SLS compared to a laser diode without the compliance layer. Accordingly, the n-type SLS can be grown with an increased Al percentage to increase the index of refraction. This along with other features allows for reduced threshold current and voltage operation.

摘要翻译： 一种激光二极管及其制造方法，其中激光二极管通常包括在GaN n型接触层上的InGaN柔性层和在柔性层上的AlGaN / GaN n型应变超晶格（SLS）。 n型GaN分离限制异质结构（SCH）在所述n型SLS上，并且InGaN多量子阱（MQW）有源区在n型SCH上。 在MQW有源区上的GaN p型SCH，AlGaN / GaN p型SLS在p型SCH上，p型GaN接触层在p型SLS上。 顺应层具有与不具有柔顺层的激光二极管相比，n型接触层和n型SLS之间的应变的In百分比。 因此，n型SLS可以以增加的Al百分数生长以增加折射率。 这与其他功能一起允许降低阈值电流和电压操作。

公开(公告)号：US20100142576A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12476208

申请日：2009-06-01

申请人： Daniel A. Cohen ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel A. Cohen ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2054 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/3214 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A method of fabricating an (Al,Ga,In)N laser diode, comprising depositing one or more III-N layers upon a growth substrate at a first temperature, depositing an indium containing laser core at a second temperature upon layers deposited at a first temperature, and performing all subsequent fabrication steps under conditions that inhibit degradation of the laser core, wherein the conditions are a substantially lower temperature than the second temperature.

摘要翻译： 一种制造（Al，Ga，In）N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第一温度下沉积含有铟的激光芯， 温度，并且在抑制激光芯的退化的条件下执行所有随后的制造步骤，其中所述条件是比所述第二温度明显更低的温度。

公开(公告)号：US20100111808A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12612477

申请日：2009-11-04

申请人： Siddha Pimputkar ,  Derrick S. Kamber ,  Makoto Saito ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Siddha Pimputkar ,  Derrick S. Kamber ,  Makoto Saito ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： C30B25/00 ,  C01B21/06

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B7/105

摘要： The present invention provides a method for growing group III-nitride crystals wherein the group III-nitride crystal growth occurs on an etched seed crystal. The etched seed is fabricated prior to growth using a temperature profile which produces a high solubility of the group III-nitride material in a seed crystals zone as compared to a source materials zone. The measured X-ray diffraction of the obtained crystals have significantly narrower Full Width at Half Maximum values as compared to crystals grown without etch back of the seed crystal surfaces prior to growth.

摘要翻译： 本发明提供一种用于生长III族氮化物晶体的方法，其中III族氮化物晶体生长发生在蚀刻晶种上。 在生长之前使用温度分布来制造蚀刻的种子，该温度曲线与源材料区相比在晶种区产生III族氮化物材料的高溶解度。 所获得的晶体的测量的X射线衍射与在生长之前晶种表面没有回蚀而生长的晶体相比，具有显着窄的半峰全宽。

公开(公告)号：US20100108985A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12610945

申请日：2009-11-02

申请人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Roy B. Chung ,  Zhen Chen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A high-power and high-efficiency light emitting device with emission wavelength (λpeak) ranging from 280 nm to 360 nm is fabricated. The new device structure uses non-polar or semi-polar AlInN and AlInGaN alloys grown on a non-polar or semi-polar bulk GaN substrate.

摘要翻译： 制造了发射波长（λpeak）范围从280nm到360nm的大功率和高效率发光器件。 新器件结构使用在非极性或半极性体积GaN衬底上生长的非极性或半极性AlInN和AlInGaN合金。

公开(公告)号：US07687293B2

公开(公告)日：2010-03-30

申请号：US11655572

申请日：2007-01-19

申请人： Hiroshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hiroshi Sato ,  John F. Kaeding ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Benjamin A. Haskell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/00

CPC分类号： H01L29/045 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A method for enhancing growth of device-quality planar semipolar nitride semiconductor thin films via metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by using an (Al,In,Ga)N nucleation layer containing at least some indium. Specifically, the method comprises loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 通过使用含有至少一些铟的（Al，In，Ga）N成核层，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）增强器件质量的平面半极性半导体薄膜的生长的方法。 具体地，该方法包括将衬底装载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热衬底，在加热衬底上沉积In x Ga 1-x N成核层，在半导体衬底上沉积半极性氮化物半导体薄膜 In x Ga 1-x N成核层，并在氮气过压下冷却该衬底。

公开(公告)号：US20100075107A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12474134

申请日：2009-05-28

申请人： Makoto Saito ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Makoto Saito ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： C01B21/06 ,  B32B5/00 ,  C30B23/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B7/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  Y10T428/24355

摘要： A technique for growing high quality bulk hexagonal single crystals using a solvo-thermal method, and a technique for achieving the high quality and high growth rate at the same time. The crystal quality strongly depends on the growth planes, wherein a nonpolar or semipolar seed surface such as {10-10}, {10-11}, {10-1-1}, {10-12}, {10-1-2}, {11-20}, {11-22}, {11-2-2} gives a higher crystal quality as compared to a c-plane seed surface such as (0001) and (000-1). Also, the growth rate strongly depends on the growth planes, wherein a semipolar seed surface such as {10-12}, {10-1-2}, {11-22}, {11-2-2} gives a higher growth rate. High crystal quality and high growth rate are achievable at the same time by choosing the suitable growth plane. The crystal quality also depends on the seed surface roughness, wherein high crystal quality is achievable when the nonpolar or semipolar seed surface RMS roughness is below 100 nm; on the other hand, the crystal grown from the Ga-face or N-face results in poor crystal quality, even though grown from an atomically smooth surface.

摘要翻译： 使用溶剂热法生长高质量体积六边形单晶的技术，以及同时实现高质量和高生长速率的技术。 晶体质量主要取决于生长面，其中非极性或半极性种子表面如{10-10}，{10-11}，{10-1-1}，{10-12}，{10-1-1} 2}，{11-20}，{11-22}，{11-2-2}与c面种子表面（0001）和（000-1）相比，具有更高的晶体质量。 此外，生长速率强烈地取决于生长平面，其中诸如{10-12}，{10-1-2}，{11-22}，{11-2-2}的半极性种子表面产生更高的生长 率。 通过选择合适的生长平面，可以同时实现高结晶质量和高生长速度。 晶体质量还取决于种子表面粗糙度，其中当非极性或半极性种子表面RMS粗糙度低于100nm时可实现高结晶质量; 另一方面，从Ga面或N面生长的晶体即使从原子光滑的表面生长也会导致差的晶体质量。

公开(公告)号：US20090274027A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12173414

申请日：2008-07-15

申请人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura ,  Kentaro Shimada

发明人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura ,  Kentaro Shimada

IPC分类号： G11B19/00

CPC分类号： G11B19/209

摘要： The time required for starting up drives in a storage device mounted with both hard disk drives and solid state drives is shortened. A storage controller of the storage device identifies the type (HDD/SSD) of the mounted drives before starting up the drives. The storage controller thereafter performs staggered spinup to the HDDs in several batches. After the startup of HDDs is complete, the storage controller collectively starts up the SSDs. The storage controller determines the drive startup processing based on a pre-set drive startup policy such as reduction of the peak current reduction or shortening of the startup time, and the drive type identification result.

摘要翻译： 在安装了硬盘驱动器和固态驱动器的存储设备中启动驱动器所需的时间缩短。 存储设备的存储控制器在启动驱动器之前识别所安装的驱动器的类型（HDD / SSD）。 此后，存储控制器分批执行到HDD的交错分支。 硬盘启动完成后，存储控制器将共同启动SSD。 存储控制器基于预设驱动器启动策略来确定驱动器启动处理，例如降低峰值电流降低或启动时间缩短，以及驱动器类型识别结果。

公开(公告)号：US07574554B2

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US11503050

申请日：2006-08-11

申请人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura

发明人： Katsuya Tanaka ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F12/1416 ,  G06F3/0601 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0866 ,  G06F2003/0694 ,  G06F2212/214 ,  G06F2212/262

摘要： To detect an address error in flash memory using a different data management unit from that in a hard disk drive. In cache memory, data read/written from/to a flash memory chip is managed in units of first data lengths. A page, which is the data management unit in a flash memory chip, includes a data section of a second data length from/to which a storage controller can read/write data; and a redundant section. When writing data, the storage controller creates a protection code enabling identification of a write destination page address, divides the data in the cache memory, which is managed in units of first data lengths, into pieces so that the size of each set composed of a piece of the divided write data and its protection code will be of a second data length, and writes the respective sets in a flash memory chip in units of second data lengths.

摘要翻译： 使用与硬盘驱动器不同的数据管理单元检测闪存中的地址错误。 在高速缓冲存储器中，从闪存芯片读取/写入的数据以第一数据长度为单位进行管理。 作为闪速存储器芯片中的数据管理单元的页面包括存储控制器可以从其读取/写入数据的第二数据长度的数据部分; 和冗余部分。 当写入数据时，存储控制器创建一个能识别写入目的地页面地址的保护代码，将以第一数据长度为单位管理的高速缓冲存储器中的数据划分成块，使得由 划分的写入数据及其保护代码的片段将具有第二数据长度，并将各个集合以第二数据长度为单位写入闪存芯片。