公开(公告)号：US4671854A

公开(公告)日：1987-06-09

申请号：US855362

申请日：1986-04-24

申请人： Katsukiyo Ishikawa ,  Kanji Nishijima ,  Mamoru Seio

发明人： Katsukiyo Ishikawa ,  Kanji Nishijima ,  Mamoru Seio

IPC分类号： H05K3/42 ,  G03F7/004 ,  G03F7/16 ,  H05K3/06 ,  H05K3/10 ,  H05K3/34 ,  C23F1/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： G03F7/164 ,  G03F7/004 ,  H05K3/062 ,  H05K3/108 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/135 ,  H05K3/3473 ,  H05K3/427 ,  Y10T29/49165

摘要： The invention provides a method for preparing a printed circuit board with solder plated circuit and through-holes, using a specifically prepared photoresist material and a combination of exposure, development, solder plating and etching means.This method is particularly useful for the preparation of a printed circuit-board with solder plated circuit and through-holes bearing a high density circuit pattern.

摘要翻译： 本发明提供一种使用特定制备的光致抗蚀剂材料以及曝光，显影，焊料镀覆和蚀刻装置的组合制备具有焊料电镀电路和通孔的印刷电路板的方法。 该方法对于制备具有焊接电路的印刷电路板和具有高密度电路图案的通孔特别有用。

公开(公告)号：US4668332A

公开(公告)日：1987-05-26

申请号：US727634

申请日：1985-04-26

申请人： Hidebumi Ohnuki ,  Toshiaki Asano ,  Takashi Atarashi ,  Sunao Yasui

发明人： Hidebumi Ohnuki ,  Toshiaki Asano ,  Takashi Atarashi ,  Sunao Yasui

IPC分类号： H05K1/02 ,  H05K3/42 ,  H05K3/44 ,  H05K3/46 ,  C23F1/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H05K3/4641 ,  H05K1/0219 ,  H05K2201/09536 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2203/0369 ,  H05K3/429 ,  H05K3/44 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4623 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

摘要： A multi-layer printed wiring board in which an internal board has a wiring pattern on both sides. Two conductive plates for establishing respective voltage planes are formed with a pattern of grooves to match the wiring pattern of the internal board. The internal board is then sandwiched to the two sides of the conductive plates, with the grooves registering with the wiring pattern, and with intermediate insulating layers. Further, insulated wiring patterns are formed on the exterior sides of the conductive plates together with through-holes through the assembly.

摘要翻译： 一种多层印刷电路板，其中内部板在两侧具有布线图案。 用于建立各个电压平面的两个导电板形成有凹槽的图案以匹配内部板的布线图案。 然后将内部板夹在导电板的两侧，其中凹槽与布线图案对准，并具有中间绝缘层。 此外，绝缘布线图案与通孔一起形成在导电板的外侧上。

公开(公告)号：US4664746A

公开(公告)日：1987-05-12

申请号：US857702

申请日：1986-04-29

申请人： David E. Hackleman ,  Ralph H. Nielsen, Jr. ,  Marzio A. Leban

发明人： David E. Hackleman ,  Ralph H. Nielsen, Jr. ,  Marzio A. Leban

IPC分类号： H01L21/311 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31111 ,  Y10S438/924 ,  Y10S438/97

摘要： A new phenomenon in integrated circuit etch processing is presented, explained and utilized to permit better removal of layers overlying integrated circuit structures, and if desired, the formation of conductive layers on such structures by a less complicated and lower temperature process than has been possible by conventional techniques.

摘要翻译： 介绍了一种集成电路蚀刻处理中的新现象，并解释和利用了这些现象，以便更好地去除集成电路结构上的层，如果需要，通过不太复杂和较低温度的工艺在这种结构上形成导电层， 常规技术。

公开(公告)号：US4662976A

公开(公告)日：1987-05-05

申请号：US767288

申请日：1985-10-01

申请人： Hans Hollmuller

发明人： Hans Hollmuller

IPC分类号： H05K3/06 ,  C23F1/08 ,  G03F7/30 ,  H05K3/00 ,  C23F1/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H05K3/0085 ,  C23F1/08 ,  G03F7/30

摘要： There is described an apparatus for treating objects with a treatment fluid, more especially an etching or developing machine for the production of printed-circuit boards, wherein the nozzle stock comprising a plurality of nozzles is designed so as to be plate-like. The edges of the plate-like nozzle stock are tightly connected to the housing walls so that the treatment chamber, to which the treatment fluid is applied, is bounded by the nozzle stock in one direction. The nozzles can be fitted and possibly also rotated through the nozzle stock from the side that is directed away from the treatment chamber, so that an effortless exchanging or aligning of the nozzles is possible from outside the treatment chamber (FIG. 1).

摘要翻译： PCT No.PCT / EP84 / 00370 Sec。 371日期：1985年10月1日 102（e）1985年10月1日PCT PCT公布1984年11月24日PCT公布。 公开号WO85 / 02631 日期：1985年6月20日。描述了一种用于用处理流体处理物体的装置，更具体地说是用于生产印刷电路板的蚀刻或显影机，其中包括多个喷嘴的喷嘴原料被设计成 是板状的 板状喷嘴坯料的边缘紧密地连接到壳体壁，使得施加处理流体的处理室在一个方向上由喷嘴坯料限定。 喷嘴可以被安装并且也可以从指向远离处理室的一侧旋转穿过喷嘴坯料，使得可以从处理室外部（图1）轻松地更换或对准喷嘴。

公开(公告)号：US4661201A

公开(公告)日：1987-04-28

申请号：US773923

申请日：1985-09-09

申请人： Petros Petridis ,  Darrel E. Newell ,  Keneth D. Hartman

发明人： Petros Petridis ,  Darrel E. Newell ,  Keneth D. Hartman

IPC分类号： C04B41/53 ,  C09K13/08 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： C09K13/08 ,  C04B41/5338 ,  H01L41/332

摘要： A method for preferentially etching a piezoelectric material is disclosed wherein a portion of the piezoelectric material is controllably subjected to a concentrated thermal energy source with a force sufficient to alter the crystalline orientation of the piezoelectric material. The piezoelectric material is then treated with a suitable echant for a controlled duration, wherein the portion of the piezoelectric material altered by the concentrated thermal energy source is etched at a different etching rate than the unaltered piezoelectric material, to preferentially etch a controlled anaglyphic planar configuration upon the piezoelectric material.

摘要翻译： 公开了一种用于优先蚀刻压电材料的方法，其中压电材料的一部分可控制地经受集中的热能源，其具有足以改变压电材料的晶体取向的力。 然后用合适的吸附剂处理压电材料以控制持续时间，其中由浓缩热能源改变的压电材料的部分以与未改变的压电材料不同的蚀刻速率被蚀刻，以优先蚀刻受控的图形平面配置 在压电材料上。

公开(公告)号：US4657616A

公开(公告)日：1987-04-14

申请号：US735821

申请日：1985-05-17

申请人： David W. Benzing ,  Jeffrey C. Benzing ,  Arthur D. Boren ,  Ching C. Tang

发明人： David W. Benzing ,  Jeffrey C. Benzing ,  Arthur D. Boren ,  Ching C. Tang

IPC分类号： B08B7/00 ,  C03C15/00 ,  C23C16/44 ,  C30B25/08 ,  B44C1/22 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01J37/32862 ,  B08B7/00 ,  C03C15/00 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/08 ,  Y10S134/902 ,  Y10S156/913

摘要： An apparatus for the in-situ cleaning of Low Pressure Chemical Vapor Deposition tube chambers (32) or Reduced Pressure Epitaxy bell jar chambers (42) having a base member (22) to create a vacuum seal upon engagement with the loading end of the chamber, at least one powered electrode (62) which protrudes from the base member into the chamber, at least on grounded electrode (60) which also protrudes from the base member into the chamber, a means for introducing gas (92) into the chamber, and an electrical network (16) that creates a radio frequency electrical field between the powered electrode and the grounded electrode. A plasma is created in the chamber by the interaction of the gas and the RF field, and the plasma etches unwanted deposits from the inner wall of the chamber. Several different configurations of electrode structures are shown.

摘要翻译： 一种用于原位清洗低压化学气相沉积管室（32）或减压外延钟罩室（42）的装置，其具有基部构件（22），以在与腔室的装载端接合时产生真空密封 至少一个从所述基座部件突出到所述腔室中的至少一个动力电极（62）至少在从所述基座部件突出到所述腔室中的接地电极（60）上，用于将气体（92）引入所述腔室中的装置， 以及在所述电源电极和所述接地电极之间产生射频电场的电网（16）。 通过气体和RF场的相互作用在腔室中产生等离子体，并且等离子体从室的内壁蚀刻不想要的沉积物。 示出了几种不同结构的电极结构。

公开(公告)号：US4655874A

公开(公告)日：1987-04-07

申请号：US759625

申请日：1985-07-26

申请人： Steven Marks

发明人： Steven Marks

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  B44C1/22 ,  B29C17/08 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/0274

摘要： An improvement in the process of constructing an integrated circuit structure in which a photoresist layer is applied to an integrated circuit structure followed by plasma etching of the structure is disclosed which comprises exposing the photoresist material to light, preferably UV light, prior to the etching step whereby the surface of the structure beneath the photoresist will be smooth after the etching step and removal of the photoresist.

摘要翻译： 公开了构造集成电路结构的过程中的改进，其中将光致抗蚀剂层应用于集成电路结构，然后等离子体蚀刻该结构，其包括在蚀刻步骤之前将光致抗蚀剂材料曝光（优选UV光） 由此在蚀刻步骤和去除光致抗蚀剂之后，光致抗蚀剂下面的结构的表面将是光滑的。

公开(公告)号：US4654118A

公开(公告)日：1987-03-31

申请号：US845671

申请日：1986-03-17

申请人： Edward J. Staples

发明人： Edward J. Staples

IPC分类号： H01L21/3065 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/3065 ,  Y10T29/42

摘要： Selective etching of microelectronic devices comprising crystal substratess achieved by electrically masking conductive areas thereon which are not to be etched by ionic bombardment. The electrical masking is accomplished by biasing the selected areas with a bias voltage which will repel the ions, which are attracted to all of the unbiased portions of the microelectronic device.

摘要翻译： 包括晶体衬底的微电子器件的选择性蚀刻通过对其上不被离子轰击蚀刻的导电区域进行电掩蔽来实现。 通过用偏置电压来偏置所选择的区域来实现电掩蔽，所述偏置电压将排斥吸引到微电子器件的所有无偏部分的离子。

公开(公告)号：US4645562A

公开(公告)日：1987-02-24

申请号：US728012

申请日：1985-04-29

申请人： Kuan Y. Liao ,  Kuang-Yeh Chang ,  Hsing-Chien Ma

发明人： Kuan Y. Liao ,  Kuang-Yeh Chang ,  Hsing-Chien Ma

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  B44C1/22 ,  B29C17/08 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/32137 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

摘要： A photolithographic process useful for VLSI fabrication is disclosed for achieving side-wall profile control of poly lines, metal lines, contact and via openings. Layers of a first and second photoresist materials are formed on the poly, metal or oxide-covered substrate. The top layer is patterned by conventional processes to define the final device geometry. The bottom layer is exposed and over-developed to form an overhang structure about the line pattern or the contact/via opening. During the subsequent anisotropic plasma-assisted etching step, some ions or particles are passed obliquely over the overhang and bombard the opening corner, the side-wall and the under-cut area. The plasma-assisted etching step not only forms the poly or metal lines, or the contact or via opening, but also results in an opening with rounded corners and a smoothly tapered side-wall profile. The subsequent metal film deposition step results in a uniform film thickness around the edges of the opening. The process thus alleviates the problem of high contact resistance previously encountered as a result of dry etching the contact or via openings.

摘要翻译： 公开了一种用于VLSI制造的光刻工艺，用于实现多线，金属线，接触和通孔的侧壁轮廓控制。 第一和第二光致抗蚀剂材料的层在多金属或氧化物覆盖的基底上形成。 通过常规方法对顶层进行图案化以定义最终的装置几何形状。 底层暴露并过度显影以形成围绕线图案或接触/通孔开口的悬垂结构。 在随后的各向异性等离子体辅助蚀刻步骤中，一些离子或颗粒倾斜地穿过悬垂物并且轰击开口角，侧壁和下切区域。 等离子体辅助蚀刻步骤不仅形成多个或金属线，或接触或通孔，而且还形成具有圆角和平滑锥形侧壁轮廓的开口。 随后的金属膜沉积步骤导致围绕开口边缘的均匀的膜厚度。 因此，该方法减轻了由于干蚀刻接触或通孔的结果而先前遇到的高接触电阻的问题。

公开(公告)号：US4636282A

公开(公告)日：1987-01-13

申请号：US747037

申请日：1985-06-20

申请人： Kwee C. Wong

发明人： Kwee C. Wong

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： C23F1/18

摘要： A composition of matter comprising sulfuric acid and guanidine, aminoguanidine, or formylated aminoguanidine. The composition is useful in the preparation of sulfuric acid/hydrogen peroxide etching solutions and in methods for etching copper, most particularly in the manufacture of printed circuits.

摘要翻译： 包含硫酸和胍，氨基胍或甲酰化氨基胍的物质组合物。 该组合物可用于制备硫酸/过氧化氢蚀刻溶液以及用于蚀刻铜的方法，特别是制造印刷电路。