利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

267 条记录 (耗时 0.048 秒)

    HIGH DENSITY TRENCH MOSFET WITH SINGLE MASK PRE-DEFINED GATE AND CONTACT TRENCHES
    61.
    发明申请
    HIGH DENSITY TRENCH MOSFET WITH SINGLE MASK PRE-DEFINED GATE AND CONTACT TRENCHES 有权
    高密度TRENCH MOSFET，具有单面罩预定门和接触孔

    公开(公告)号：US20100291744A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：US12847863

    申请日：2010-07-30

    申请人： Yeeheng Lee ,  Hong Chang ,  Tiesheng Li ,  John Chen ,  Anup Bhalla

    发明人： Yeeheng Lee ,  Hong Chang ,  Tiesheng Li ,  John Chen ,  Anup Bhalla

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/78

    摘要： Trench gate MOSFET devices may be formed using a single mask to define gate trenches and body contact trenches. A hard mask is formed on a surface of a semiconductor substrate. A trench mask is applied on the hard mask to predefine a body contact trench and a gate trench. These predefined trenches are simultaneously etched into the substrate to a first predetermined depth. A gate trench mask is next applied on top of the hard mask. The gate trench mask covers the body contact trenches and has openings at the gate trenches. The gate trench, but not the body contact trench, is etched to a second predetermined depth. Conductive material of a first kind may fill the gate trench to form a gate. Conductive material of a second kind may fill the body contact trench to form a body contact.

    摘要翻译： 沟槽栅极MOSFET器件可以使用单个掩模形成以限定栅极沟槽和主体接触沟槽。 在半导体基板的表面上形成硬掩模。 在硬掩模上施加沟槽掩模以预定义接触沟槽和栅极沟槽。 这些预定沟槽同时被蚀刻到衬底中到达第一预定深度。 接下来将栅极沟槽掩模施加在硬掩模的顶部上。 栅极沟槽掩模覆盖主体接触沟槽并且在栅极沟槽处具有开口。 栅极沟槽而不是体接触沟槽被蚀刻到第二预定深度。 第一种导电材料可以填充栅沟以形成栅极。 第二种导电材料可以填充身体接触沟槽以形成身体接触。

    Photonic device package with aligned lens cap
    64.
    发明授权
    Photonic device package with aligned lens cap 有权
    带有对准镜头盖的光子器件封装

    公开(公告)号：US07456945B2

    公开(公告)日：2008-11-25

    申请号：US10693795

    申请日：2003-10-24

    申请人： Robert Shih ,  Chun Lei ,  John Chen

    发明人： Robert Shih ,  Chun Lei ,  John Chen

    IPC分类号： G01B11/26

    CPC分类号： H01L31/0203 ,  G02B6/4206 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02288

    摘要： A photonic device package with a passively aligned lens cap is disclosed. The lens cap is positioned with an unobstructed view of the lens portion of the lens cap. A header holding a photonic device, is moved relative to the cap or vice versa until the video display system indicates that the photonic device is aligned to the lens. The cap is held in alignment by forming at least one weld point between the cap and the header. A subsequent hermetic sealing process can be used to permanently seal the cap to the header.

    摘要翻译： 公开了一种具有被动对准的透镜盖的光子器件封装。 透镜盖定位成透镜盖的透镜部分的无阻挡视图。 保持光子器件的头部相对于盖子移动，反之亦然，直到视频显示系统指示光子器件与透镜对准。 通过在盖和集管之间形成至少一个焊接点来将盖保持对准。 随后的气密密封过程可用于将盖永久地密封到集管。

    Fruit container
    66.
    外观设计
    Fruit container 有权
    水果容器

    公开(公告)号：USD573015S1

    公开(公告)日：2008-07-15

    申请号：US29286158

    申请日：2007-04-25

    申请人： John Chen

    设计人： John Chen

    QOS-BASED MULTI-PROTOCOL UPLINK ACCESS
    70.
    发明申请
    QOS-BASED MULTI-PROTOCOL UPLINK ACCESS 有权
    基于QOS的多协议上行链路访问

    公开(公告)号：US20070147326A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11610161

    申请日：2006-12-13

    申请人： John Chen

    发明人： John Chen

    IPC分类号： H04Q7/24

    CPC分类号： H04W74/002 ,  H04W48/12 ,  H04W74/0833 ,  H04W74/0866

    摘要： A method and apparatus for multi-protocol uplink access defines two protocols and maps each to one of a user's access service class (ASC) and quality of service (QoS). A first uplink access protocol type is defined in which a random access channel (RACH) burst is sent and an acquisition indicator channel (AICH) burst is sent, and a channel assignment grant is sent on another downlink channel. A second uplink access protocol type is defined in which a RACH preamble is sent and an AICH burst is sent.

    摘要翻译： 用于多协议上行链路接入的方法和装置定义了两个协议并且将每个协议映射到用户的接入服务类别（ASC）和服务质量（QoS）中的一个。 定义了第一上行链路接入协议类型，其中发送随机接入信道（RACH）突发并且发送采集指示符信道（AICH）突发，并且在另一个下行链路信道上发送信道分配许可。 定义了第二上行链路接入协议类型，其中发送RACH前导码并发送AICH突发。