公开(公告)号：US08344419B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12210442

申请日：2008-09-15

申请人： Toshihide Kikkawa

发明人： Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An AlN layer (2), a GaN buffer layer (3), a non-doped AlGaN layer (4a), an n-type AlGaN layer (4b), an n-type GaN layer (5), a non-doped AlN layer (6) and an SiN layer (7) are sequentially formed on an SiC substrate (1). At least three openings are formed in the non-doped AlN layer (6) and the SiN layer (7), and a source electrode (8a), a drain electrode (8b) and a gate electrode (19) are evaporated in these openings.

摘要翻译： AlN层（2），GaN缓冲层（3），非掺杂AlGaN层（4a），n型AlGaN层（4b），n型GaN层（5），非掺杂AlN 层（6）和SiN层（7）依次形成在SiC衬底（1）上。 在非掺杂AlN层（6）和SiN层（7）中形成至少三个开口，并且源电极（8a），漏电极（8b）和栅电极（19）在这些开口中蒸发 。

公开(公告)号：US20110024799A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12845292

申请日：2010-07-28

申请人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Yuichi Minoura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/30617 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0331 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0216 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/34333

摘要： A method for manufacturing a compound semiconductor device includes forming a first compound semiconductor layer over a first substrate, the first compound semiconductor layer containing AlxGa1-xN (0≦x

摘要翻译： 一种化合物半导体器件的制造方法，包括在第一衬底上形成第一化合物半导体层，所述第一化合物半导体层含有具有第一带隙的Al x Ga 1-x N（0＆lt; n 1; x 1） 在所述第一化合物半导体层上形成第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层包含具有大于所述第一带隙的第二带隙的Al y In z Ga 1-y-z N（0

公开(公告)号：US20070026552A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11541571

申请日：2006-10-03

申请人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Tokuharu Kimura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor device has: a substrate; a GaN channel layer; an n-type AlqGal-qN (0

摘要翻译： 化合物半导体器件具有：基板; GaN沟道层; n型AlqGal-qN（0

公开(公告)号：US20050087766A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10813085

申请日：2004-03-31

申请人： Toshihide Kikkawa

发明人： Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335 ,  H01L21/338 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L29/2003

摘要： In formation-by-growth of an AlGaN layer 3 as having a double-layered structure, a non-doped AlGaN layer (i-AlGaN layer) having an Al compositional ratio of approximately 15% is formed to a thickness of approximately 3 nm on an i-GaN layer, and further thereon, an AlGaN layer (n-AlGaN layer) doped with Si in a concentration of approximately 2×1018/cm3 and having an Al compositional ratio of approximately 15% is formed to a thickness of approximately 17 nm.

摘要翻译： 在具有双层结构的AlGaN层3的逐层生长中，形成具有大约15％的Al组成比的大约为3nm的非掺杂AlGaN层（i-AlGaN层），厚度约为3nm i-GaN层，并且其上掺杂浓度为约2×10 18 / cm 3的Si的AlGaN层（n-AlGaN层），并具有Al 约15％的组成比形成为约17nm的厚度。

公开(公告)号：US5844303A

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：US214600

申请日：1994-03-17

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori ,  Hirosato Ochimizu

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori ,  Hirosato Ochimizu

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/167

CPC分类号： H01L27/0605 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252

摘要： A semiconductor device includes a buffer layer of AlGaAs that contains oxygen with a concentration level in the approximate range of 8.times.10.sup.17 cm.sup.-3 to 6.times.10.sup.19 cm.sup.-3, and carbon with a concentration level in the approximate range of 2.times.10.sup.16 cm.sup.-3 to 2.times.10.sup.17 cm.sup.-3. A lattice constant of the AlGaAs buffer layer is larger than a lattice constant of the GaAs substrate so a lattice misfit of the AlGaAs layer with respect to the GaAs substrate is equal to or varies by no more than 2.times.10.sup.5 from a corresponding lattice misfit between an undoped AlGaAs crystal with respect to the GaAs substrate. Oxygen atoms occupy an interstitial site, creating a deep impurity level that suppresses side gate effect.

摘要翻译： 半导体器件包括含有浓度在8×10 17 cm -3至6×10 19 cm -3的浓度范围内的氧的AlGaAs缓冲层，浓度水平在2×10 16 cm -3至2×10 17 cm -3的范围内的碳， 3。 AlGaAs缓冲层的晶格常数大于GaAs衬底的晶格常数，因此AlGaAs层相对于GaAs衬底的晶格失配从未掺杂的相应晶格失配等于或不超过2×10 5 AlGaAs晶体相对于GaAs衬底。 氧原子占据间隙位置，产生抑制侧栅效应的深杂质水平。

公开(公告)号：US5818078A

公开(公告)日：1998-10-06

申请号：US517041

申请日：1995-08-21

申请人： Kozo Makiyama ,  Masahiko Takikawa ,  Satoru Asai ,  Yusuke Matsukura ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Kozo Makiyama ,  Masahiko Takikawa ,  Satoru Asai ,  Yusuke Matsukura ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/90 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/802

摘要： A method of fabricating a compound semiconductor device includes a step of removing a semiconductor layer by an etching process to expose an upper major surface of an underlying semiconductor layer, followed by a growth of another semiconductor layer of the p-type on the surface thus exposed, wherein the exposed surface is cleaned by a flushing of a gaseous metal organic compound containing a group V element for removing impurities therefrom and further doping the exposed surface to the p-type.

公开(公告)号：US5656076A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：US451436

申请日：1995-05-26

申请人： Toshihide Kikkawa

发明人： Toshihide Kikkawa

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/335 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  C30B23/02

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  Y10S438/925

摘要： In a method for growing a III-V group compound semiconductor crystal, as a Si dopant, a compound including a Si atom bonded to an alkyl group and a hydrogen atom is used. Also, a compound including two Si atoms in one molecule thereof, at least one of said Si atoms being bonded to a hydrogen atom, and at least the other of said Si atoms being bonded to an alkyl group can be used. Further, a compound including two Si atoms in one molecule thereof, at least one of said Si atoms being bonded to a hydrogen atom, and at least the other of said Si atoms being bonded to a phenyl group or a compound including a Si atom bonded to an organic amino group can be used. Si can be doped evenly at a high concentration at a low temperature with a safe operation by the invention.

摘要翻译： 在用于生长III-V族化合物半导体晶体的方法中，作为Si掺杂剂，使用包含与烷基和氢原子键合的Si原子的化合物。 此外，可以使用在其一个分子中包含两个Si原子的化合物，至少一个所述Si原子键合到氢原子，并且至少另一个所述Si原子键合到烷基。 此外，在一个分子中包含两个Si原子的化合物，所述Si原子中的至少一个键合到氢原子，并且至少另一个所述Si原子键合到苯基或包含Si原子键合的化合物 可以使用有机氨基。 通过本发明的安全操作，可以在低温下以高浓度均匀掺杂Si。

公开(公告)号：US5569953A

公开(公告)日：1996-10-29

申请号：US449113

申请日：1995-05-24

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/207 ,  H01L29/227 ,  H01L31/0304

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0611

摘要： A method for growing an epitaxial layer of a group III-V compound semiconductor material that contains oxygen comprises the steps of supplying molecules of an organic compound that contains a group V element and oxygen in the molecule, and decomposing the molecules of the organic compound to release the group V element and oxygen.

摘要翻译： 用于生长含有氧的III-V族化合物半导体材料的外延层的方法包括以下步骤：在分子中提供含有V族元素和氧的有机化合物的分子，并将有机化合物的分子分解成 释放V族元素和氧气。

公开(公告)号：US5480833A

公开(公告)日：1996-01-02

申请号：US328396

申请日：1994-10-24

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Tatsuya Ohori

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/7605 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0611

摘要： A method for growing an epitaxial layer of a group III-V compound semiconductor material that contains oxygen comprises the steps of supplying molecules of an organic compound that contains a group V element and oxygen in the molecule, and decomposing the molecules of the organic compound to release the group V element and oxygen.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP92 / 00157 Sec。 371日期：1992年10月19日 102（e）日期1992年10月19日PCT提交1992年2月18日PCT公布。 第WO92 / 15113号公报 日本9月3日，1992.一种用于生长含有氧的III-V族化合物半导体材料的外延层的方法包括在分子中提供含有V族元素和氧的有机化合物的分子的步骤， 有机化合物的分子释放V族元素和氧。

公开(公告)号：US08637903B2

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：US13185888

申请日：2011-07-19

申请人： Toshihide Kikkawa

发明人： Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： An AlN layer (2), a GaN buffer layer (3), a non-doped AlGaN layer (4a), an n-type AlGaN layer (4b), an n-type GaN layer (5), a non-doped AlN layer (6) and an SiN layer (7) are sequentially formed on an SiC substrate (1). At least three openings are formed in the non-doped AlN layer (6) and the SiN layer (7), and a source electrode (8a), a drain electrode (8b) and a gate electrode (19) are evaporated in these openings.