公开(公告)号：US5800736A

公开(公告)日：1998-09-01

申请号：US860525

申请日：1998-01-05

申请人： Eiji Okabe ,  Mayumi Tanabe ,  Shinichi Saito ,  Akira Sakaigawa ,  Hitoshi Takeda ,  Masami Kido ,  Takashi Kaneko ,  Mitshuhiro Koden ,  Teiyu Sako

发明人： Eiji Okabe ,  Mayumi Tanabe ,  Shinichi Saito ,  Akira Sakaigawa ,  Hitoshi Takeda ,  Masami Kido ,  Takashi Kaneko ,  Mitshuhiro Koden ,  Teiyu Sako

IPC分类号： C09K19/34 ,  C09K19/30 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1337

CPC分类号： C09K19/34

摘要： A liquid crystal composition is realized, which composition simultaneously exhibits a negatively large .DELTA..di-elect cons. value suitable to .tau.-Vmin, and SA phase within a sufficient temperature range for realizing a good alignment. A smectic liquid crystal composition containing component (AI), component (B) and/or component (C), expressed by the following formulas: ##STR1## wherein R.sup.1 represents an alkyl group of 1 to 9 carbon atoms, R.sup.2 represents an alkyl group of 1 to 9 carbon atoms, R.sup.3 represents an alkyl group of 1 to 18 carbon atoms, R.sup.4 represents an alkyl group of 1 to 18 carbon atoms, X represents H or F, R.sup.5 represents an alkyl group of 6 to 15 carbon atoms and R.sup.6 represents an alkyl group of 6 to 15 carbon atoms. Ferroelectric liquid crystal material having a negative dielectric anisotropy is applicable to display element utilizing AC-stabilizing effect and .tau.-Vmin. Further, as to the composition containing ##STR2## as an additional component, SA phase appears within a broad range; hence the composition can be made up into a ferroelectric liquid crystal composition having a good alignment.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP95 / 02725 Sec。 371日期：1998年1月5日 102（e）1998年1月5日PCT 1995年12月27日PCT PCT。 WO96 / 20985 PCT公开 日期1996年7月11日实现了一种液晶组合物，该组合物同时表现出适合于τ-Vmin的负大DELTA +531值，以及在足以实现良好对准的足够温度范围内的SA相。 含有成分（AI），成分（B）和/或成分（C）的层状液晶组合物，由下式表示：其中，R1表示（A） 1〜9个碳原子的烷基，R2表示1〜9个碳原子的烷基，R3表示1〜18个碳原子的烷基，R4表示1〜18个碳原子的烷基，X表示H或 F，R 5表示碳原子数为6〜15的烷基，R 6表示碳原子数为6〜15的烷基。 具有负介电各向异性的铁电液晶材料适用于利用AC稳定效应和τ-Vmin的显示元件。 此外，对于含有作为附加成分的（AII）的组合物，SA相出现在宽范围内; 因此可以将组合物制成具有良好取向的铁电液晶组合物。

公开(公告)号：US4596667A

公开(公告)日：1986-06-24

申请号：US568060

申请日：1984-01-04

申请人： Takashi Inukai ,  Kenji Furukawa ,  Kanetsugu Terashima ,  Shinichi Saito

发明人： Takashi Inukai ,  Kenji Furukawa ,  Kanetsugu Terashima ,  Shinichi Saito

IPC分类号： C07C69/773 ,  C09K19/20 ,  C09K19/30 ,  C07C69/74 ,  C07C69/76

CPC分类号： C09K19/2021 ,  C09K19/3068

摘要： Novel ferroelectric liquid crystalline compounds having a superior stability and chiral, smectic liquid crystalline compositions containing at least one kind of the same are provided, which compounds are expressed by the general formula ##STR1## wherein ##STR2## represents 1,4-phenylene group ##STR3## or 1,4-trans-cyclohexane group ##STR4## R*, an optically active alkyl group; m=o, 1 or 2; n=1 or 2; X, a linear chain or branched alkyl group or alkoxy group, each having 1 to 18 carbon atoms; and when ##STR5## represents ##STR6## m=1; and n=1, X represents a linear chain or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms or a linear chain alkoxy group having 11 to 18 carbon atoms.

摘要翻译： 提供了具有优异稳定性的新型铁电液晶化合物和含有至少一种类型的手性的近晶液晶组合物，该化合物由通式（I）表示，其中 亚苯基基团或1,4-反式环己基基团，即光学活性烷基; m = o，1或2; n = 1或2; X，各自具有1至18个碳原子的直链或支链烷基或烷氧基; 当表示 m = 1时; n = 1，X表示碳原子数为1〜18的直链状或支链状的烷基或碳原子数为11〜18的直链状的烷氧基。

公开(公告)号：US20140175490A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US14127837

申请日：2012-06-12

申请人： Yuji Suwa ,  Shinichi Saito ,  Etsuko Nomoto ,  Makoto Takahashi

发明人： Yuji Suwa ,  Shinichi Saito ,  Etsuko Nomoto ,  Makoto Takahashi

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/34 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/3224

摘要： Provided is an element structure whereby it is possible to produce a silicon-germanium light-emitting element enclosing an injected carrier within a light-emitting region. Also provided is a method of manufacturing the structure. Between the light-emitting region and an electrode there is produced a narrow passage for the carrier, specifically, a one-dimensional or two-dimensional quantum confinement region. A band gap opens up in this section due to the quantum confinement, thereby forming an energy barrier for both electrons and positive holes, and affording an effect analogous to a double hetero structure in an ordinary Group III-V semiconductor laser. Because no chemical elements other than those used in ordinary silicon processes are employed, the element can be manufactured inexpensively, simply by controlling the shape of the element.

摘要翻译： 提供了一种元件结构，由此可以在发光区域内产生包围注入载体的硅锗发光元件。 还提供了一种制造该结构的方法。 在发光区域和电极之间，为载体产生窄通道，具体地说，是一维或二维量子限制区域。 由于量子限制，在该部分中带隙打开，由此形成电子和空穴的能量势垒，并且提供类似于普通III-V族半导体激光器中的双异质结构的效果。 由于不使用在普通硅工艺中使用的化学元素以外的化学元素，所以可以通过简单地控制元件的形状来廉价地制造元件。

公开(公告)号：US20130341729A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13812181

申请日：2011-06-20

申请人： Digh Hisamoto ,  Shinichi Saito ,  Akio Shima ,  Hiroyuki Yoshimoto

发明人： Digh Hisamoto ,  Shinichi Saito ,  Akio Shima ,  Hiroyuki Yoshimoto

IPC分类号： H01L27/06

CPC分类号： H01L27/1203 ,  G11C11/412 ,  G11C16/0408 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/84 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1025 ,  H01L27/1026 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7311 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a semiconductor element having, while maintaining the same integratability as a conventional MOSFET, excellent switch characteristics compared with the MOSFET, that is, having the S-value less than 60 mV/order at room temperature. Combining the MOSFET and a tunnel bipolar transistor having a tunnel junction configures a semiconductor element that shows an abrupt change in the drain current with respect to a change in the gate voltage (an S-value of less than 60 mV/order) even at a low voltage.

摘要翻译： 提供了与MOSFET相比具有与常规MOSFET相同的可集成性的半导体元件，即在室温下S值小于60mV /阶的优异的开关特性。 组合MOSFET和具有隧道结的隧道双极晶体管配置了一个半导体元件，其相对于栅极电压的变化（S值小于60mV /次）显示出漏极电流的突然变化，即使在 低电压。

公开(公告)号：US08359838B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12598548

申请日：2008-04-22

申请人： Satoshi Yamazaki ,  Yoshinaka Takeda ,  Hiroaki Fujita ,  Satoshi Hiranuma ,  Shinichi Saito

发明人： Satoshi Yamazaki ,  Yoshinaka Takeda ,  Hiroaki Fujita ,  Satoshi Hiranuma ,  Shinichi Saito

IPC分类号： F01N3/00 ,  F01N3/10 ,  F01N3/02 ,  F01N1/00

CPC分类号： F01N3/2066 ,  B01D53/90 ,  B01D53/9431 ,  B01D53/9477 ,  B01D2251/2067 ,  F01N3/0253 ,  F01N3/035 ,  F01N3/106 ,  F01N3/24 ,  F01N3/2882 ,  F01N3/2892 ,  F01N13/009 ,  F01N13/0097 ,  F01N13/08 ,  F01N2470/02 ,  F01N2610/02 ,  Y02T10/24

摘要： An exhaust purification apparatus for an engine has a first casing (17) that is interposed in an exhaust path (13); a second casing (23) that is set downstream of the first casing (17) and contains an exhaust purification device (24); a connecting pipe (22, 41, 51) that connects the first casing and the second casing (23) to each other and includes an insertion portion that is inserted in the first casing (17); and an injection nozzle (27, 52) that has a tip end inserted in the connecting pipe (22, 41, 51) and injects an auxiliary agent from the tip end. The insertion portion of the connecting pipe (22, 41, 51) is provided with a plurality of through-holes (22a, 41a, 41b, 51a) connecting the inside and the outside of the connecting pipe (22, 41, 51), so that the exhaust gas contained in the first casing (17) is introduced into the connecting pipe (22, 41, 51) through the through-holes and guided towards the second casing (23).

摘要翻译： 用于发动机的排气净化装置具有插入排气路径（13）中的第一壳体（17）。 第二壳体（23），其设置在所述第一壳体（17）的下游并且包含排气净化装置（24）; 连接第一壳体和第二壳体（23）彼此并且包括插入在第一壳体（17）中的插入部分的连接管（22,41,51）。 以及喷嘴（27,52），其具有插入所述连接管（22,41,51）中的前端，并从所述前端喷射辅助剂。 连接管（22,41,51）的插入部分设有多个连接在连接管（22,41,51）的内部和外侧的通孔（22a，41a，41b，51a） 使得包含在第一壳体17中的排气通过通孔被引入到连接管22,21,51中，并被引导到第二壳体23。

公开(公告)号：US08350301B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12838444

申请日：2010-07-17

申请人： Makoto Miura ,  Shinichi Saito ,  Youngkun Lee ,  Katsuya Oda

发明人： Makoto Miura ,  Shinichi Saito ,  Youngkun Lee ,  Katsuya Oda

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/028 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1124 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/547

摘要： A semiconductor photodiode includes a semiconductor substrate; a first conduction type first semiconductor layer formed above the semiconductor substrate; a high resistance second semiconductor layer formed above the first semiconductor layer; a first conduction type third semiconductor layer formed above the second semiconductor layer; and a second conduction type fourth semiconductor layer buried in the second semiconductor layer, in which the fourth semiconductor layer is separated at a predetermined distance in a direction horizontal to the surface of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 半导体光电二极管包括半导体衬底; 形成在半导体衬底上的第一导电型第一半导体层; 形成在所述第一半导体层上方的高电阻第二半导体层; 形成在所述第二半导体层上方的第一导电型第三半导体层; 以及埋在第二半导体层中的第二导电型第四半导体层，其中第四半导体层在与半导体衬底的表面水平的方向上以预定距离分开。

公开(公告)号：US07992379B2

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：US12176311

申请日：2008-07-18

申请人： Yasuko Suzuki ,  Hiroaki Fujita ,  Satoshi Hiranuma ,  Shinichi Saito ,  Yoshio Nakayama

发明人： Yasuko Suzuki ,  Hiroaki Fujita ,  Satoshi Hiranuma ,  Shinichi Saito ,  Yoshio Nakayama

IPC分类号： F01N3/36

CPC分类号： F01N3/2066 ,  F01N3/035 ,  F01N3/2892 ,  F01N13/008 ,  F01N13/009 ,  F01N2240/20 ,  F01N2560/06 ,  F01N2610/02 ,  Y02T10/24

摘要： An exhaust purification device for an engine comprises a catalytic device for purifying exhaust by using an additive, a deflecting device for allowing the exhaust to flow through and causing the exhaust to be agitated, upstream of the catalytic device, an additive injection device for injecting an additive, downstream of the deflecting device, a temperature detection device for detecting exhaust temperature, downstream of the deflecting device, and a control unit for controlling the additive injection device on the basis of the exhaust temperature detected by the temperature detection device. The temperature detection device has a temperature detection part located within a region where the exhaust having passed through the deflecting device has increased velocity.

摘要翻译： 用于发动机的排气净化装置包括用于通过使用添加剂净化排气的催化装置，用于使排气流过并使排气在催化装置上游被搅动的偏转装置，用于注入 添加剂，偏转装置的下游，用于检测排气温度的温度检测装置，偏转装置的下游，以及用于基于由温度检测装置检测出的排气温度来控制添加剂注入装置的控制单元。 温度检测装置具有温度检测部，位于通过偏转装置的排气具有增加的速度的区域内。

公开(公告)号：US20110088375A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12920795

申请日：2009-03-24

申请人： Yasuko Suzuki ,  Hiroaki Fujita ,  Satoshi Hiranuma ,  Shinichi Saito

发明人： Yasuko Suzuki ,  Hiroaki Fujita ,  Satoshi Hiranuma ,  Shinichi Saito

IPC分类号： F01N3/24

CPC分类号： F01N3/0814 ,  B01D53/90 ,  B01D53/9431 ,  B01F3/04021 ,  B01F3/04049 ,  B01F5/0413 ,  B01F5/0426 ,  B01F5/0451 ,  B01F5/0646 ,  B01F5/0652 ,  F01N3/035 ,  F01N3/0842 ,  F01N3/106 ,  F01N13/009 ,  F01N13/0097 ,  F01N2240/20 ,  F01N2470/30 ,  F01N2610/02 ,  F01N2610/1453 ,  F02B37/00

摘要： Disclosed is an exhaust purification device for an internal combustion engine provided with a venturi-shaped mixing chamber (13) upstream of a NOx catalyst (16), said mixing chamber (13) formed continuously from a tapering part (13a) along which the radius decreases in the downstream direction, a waist part (13b) at which the radius is at smallest, and a widening part (13c) along which the radius increases in the downstream direction. A vane plate (18) and an aqueous urea solution spray nozzle (19) are arranged inside the tapering part (13a). The ratio (a/b) of the distance (a) between the vane plate (18) and the center of the waist part (13b) and the distance (b) between the center of the waist part (13b) and the mouth of the NOx catalyst (16) is set between 0.5 and 1.0.

摘要翻译： 公开了一种用于内燃机的排气净化装置，其在NOx催化剂（16）的上游设有文丘里状混合室（13），所述混合室（13）从锥形部分（13a）连续形成，半径 下游方向的下降，半径为最小的腰部（13b）和沿下游方向的半径增大的加宽部（13c）。 叶片板（18）和尿素水溶液喷雾喷嘴（19）布置在锥形部分（13a）的内部。 叶片板（18）与腰部（13b）的中心之间的距离（a）和腰部（13b）的中心与腰部（13b）的中心之间的距离（a）的比（a / b） NOx催化剂（16）设定在0.5〜1.0之间。

公开(公告)号：US07816702B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12245077

申请日：2008-10-03

申请人： Shinichi Saito ,  Masahiro Aoki ,  Hiroyuki Uchiyama ,  Hideo Arimoto ,  Noriyuki Sakuma ,  Jiro Yamamoto

发明人： Shinichi Saito ,  Masahiro Aoki ,  Hiroyuki Uchiyama ,  Hideo Arimoto ,  Noriyuki Sakuma ,  Jiro Yamamoto

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/12 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/125 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3004 ,  H01S5/3427 ,  H01S2301/176 ,  H01S2302/00

摘要： There are a silicon laser device having a IV-group semiconductor such as silicon or germanium equivalent to the silicon as a basic constituent element on a substrate made of the silicon, and the like by a method capable of easily forming the silicon laser device by using a general silicon process, and a manufacturing method thereof. The silicon laser device is an ultrathin silicon laser that includes a first electrode unit injecting electrons, a second electrode unit injecting holes, a light emitting unit electrically connected to the first electrode unit and the second electrode unit, wherein the light emitting unit is made of single-crystal silicon and has a first surface (top surface) and a second surface (bottom surface) opposed to the first surface, a waveguide made of a first dielectric, which is disposed in the vicinity of the light emitting unit, by setting surface directions of the first and second surfaces as a surface (100) and thinning a thickness of the light emitting unit in a direction perpendicular to the first and second surfaces, and a mirror formed by alternately adjoining the first dielectric and a second dielectric.

摘要翻译： 存在具有诸如硅等离子体的硅组合半导体的硅激光器装置，其等同于由硅制成的衬底上作为基本构成元件的硅等，通过使用能够容易地形成硅激光器件的方法， 通用硅工艺及其制造方法。 硅激光器件是一种超薄硅激光器，其包括注入电子的第一电极单元，注入空穴的第二电极单元，与第一电极单元和第二电极单元电连接的发光单元，其中发光单元由 单晶硅，并且具有与第一表面相对的第一表面（顶表面）和第二表面（底表面），通过设置在发光单元附近的由第一电介质制成的波导 第一表面和第二表面的方向作为表面（100），并且在垂直于第一和第二表面的方向上减薄发光单元的厚度，以及通过交替地邻接第一电介质和第二电介质而形成的反射镜。

公开(公告)号：US07595662B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11879933

申请日：2007-07-19

申请人： Shinichi Saito

发明人： Shinichi Saito

IPC分类号： H03K19/0175 ,  H03K19/20 ,  H03K19/094

CPC分类号： H03K17/0414 ,  H03K17/687 ,  H03K19/01707 ,  H04L25/0272 ,  H04L25/0282

摘要： A transmission device transmits differential signals that are to be output, in the form of current signals via first and second output terminals. A first switching transistor and a first output transistor are serially connected between the grounded terminal, which is set to a fixed electric potential, and the first output terminal. A second switching transistor and a second output transistor are serially connected between the grounded terminal and the second output terminal. First and second bias transistors are provided in parallel with the first and second switching transistors, and generate a predetermined bias current. A pair of differential signals, which are to be transmitted, are input to the gates of the first and second switching transistors. The gates of the first and second output transistors are biased at a predetermined first voltage.

摘要翻译： 发送装置经由第一和第二输出端子以电流信号的形式发送要输出的差分信号。 第一开关晶体管和第一输出晶体管串联连接在被设置为固定电位的接地端子与第一输出端子之间。 第二开关晶体管和第二输出晶体管串联连接在接地端子和第二输出端子之间。 第一和第二偏置晶体管与第一和第二开关晶体管并联提供，并产生预定的偏置电流。 要发送的一对差分信号被输入到第一和第二开关晶体管的栅极。 第一和第二输出晶体管的栅极被偏置在预定的第一电压。