公开(公告)号：US20110000583A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12736089

申请日：2009-03-09

申请人： Katsuhiko Kizawa ,  Tomoaki Nishikawa ,  Takeshi Udagawa

发明人： Katsuhiko Kizawa ,  Tomoaki Nishikawa ,  Takeshi Udagawa

IPC分类号： C23C8/32 ,  C23C8/02 ,  B32B15/04

CPC分类号： C23C8/32 ,  C21D1/32 ,  C21D5/00 ,  C21D6/002 ,  C21D9/40 ,  C21D2211/004 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/18 ,  F16C33/30 ,  F16C33/64 ,  F16C2204/66

摘要： A rolling part formed by performing spheroidizing annealing, processing, carbonitriding and finishing on a steel material containing C in an amount of 0.90 mass % to 1.10 mass %, Si in an amount of more than 0.35% and up to 0.70%, Mn in an amount of less than 0.80 mass %, Cr in an amount of 1.85 mass % to 2.50 mass %, O in an amount of 12 ppm or less, and the balance of Fe and unavoidable impurities. The mean C amount on a surface is from 1.20 mass % to 1.50 mass %, and the mean N amount is from 0.10 mass % to 0.60 mass %. Deposits having a particle size of 0.1 μm or more on the surface have a mean particle size of 0.6 μm or less, exist as 700,000 particles or more per mm2, and have an area ratio of 10% or more. The amount of retained austenite of the surface is from 25% to 45% by volume ratio. The hardness of the surface is Hv 750 or more. The inside of the rolling part has an amount of retained austenite of 20% or less by volume ratio.

摘要翻译： 在含有0.90质量％至1.10质量％的C的钢材上进行球化退火，加工，碳氮共渗和精加工而形成的轧制部，大于0.35％且高达0.70％的Si， 小于0.80质量％的Cr，1.85质量％〜2.50质量％的Cr，12ppm以下的O，余量的Fe和不可避免的杂质。 表面上的平均C量为1.20质量％至1.50质量％，平均N量为0.10质量％至0.60质量％。 表面上具有0.1μm以上的粒径的沉积物的平均粒径为0.6μm以下，以每mm 2为700,000个以上的粒子存在，面积比为10％以上。 表面残余奥氏体的量为25〜45体积％。 表面的硬度为Hv 750以上。 轧制部的内部具有20体积％以下的残留奥氏体的量。

公开(公告)号：US07811390B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12053394

申请日：2008-03-21

申请人： Kazuo Ishii ,  Tatsumi Tanaka

发明人： Kazuo Ishii ,  Tatsumi Tanaka

IPC分类号： C23C8/02 ,  C23C8/04 ,  C23C8/06 ,  C23C8/10 ,  C23C8/20

CPC分类号： C23C8/02 ,  C23C8/34

摘要： A method for producing a carburized part by carburizing a steel member under a vacuum in a decompression furnace while feeding carburizing gas comprises a step for forming an oxide film on at least a part of a surface of the steel member, a step for generating carbon by reducing the oxide film with the carburizing gas, and a step for carburizing the surface of the steel member under a vacuum by diffusing the carbon.

摘要翻译： 一种渗碳部件的制造方法，其特征在于，在进行渗碳气体的同时在减压炉中在真空下渗碳钢构件的方法包括在所述钢构件的至少一部分表面上形成氧化膜的工序， 通过渗碳气体还原氧化膜，以及通过使碳扩散而在真空下对钢构件的表面进行渗碳的工序。

公开(公告)号：US20080318081A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US11579520

申请日：2005-04-30

申请人： Reiner Steins

发明人： Reiner Steins

IPC分类号： B32B15/20 ,  C22C21/02 ,  C23C8/02 ,  C25D11/16 ,  C22F1/043

CPC分类号： C22C21/04 ,  C22C21/02 ,  C22C21/08 ,  C22F1/05 ,  C25D11/04 ,  Y10T428/12667

摘要： The invention relates to a malleable, high mechanical strength aluminum alloy of the AlMgSi type which can be anodized in a decorative manner, to a semifinished product produced from said alloy, in the shape of strips, sheets or extruded profiles, and to a structural component produced from the above semifinished products, especially a reshaped component that has been anodized in a decorative manner. The invention also relates to a method for producing an aluminum alloy component of the above type. Said aluminum alloy has good malleability, achieved by weight percentages of strontium in the alloy and defined weight ratios of silicon to magnesium and iron to strontium.

摘要翻译： 本发明涉及一种可以以装饰方式阳极氧化的AlMgSi型可延展的高机械强度铝合金，其为由所述合金制成的半成品，带状，片状或挤压型材，以及结构部件 由上述半成品制成，特别是已经以装饰方式进行了阳极氧化处理的成型部件。 本发明还涉及一种上述类型的铝合金部件的制造方法。 所述铝合金具有良好的延展性，通过合金中锶的重量百分数和硅与镁和铁与锶的界定重量比来实现。

公开(公告)号：US07108756B2

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US10432751

申请日：2002-09-24

申请人： Nils Lippmann ,  Wolfgang Lerche

发明人： Nils Lippmann ,  Wolfgang Lerche

IPC分类号： C23C8/02 ,  C23C8/26

CPC分类号： C23C8/26 ,  C23C8/02

摘要： A method of producing a workpiece of a heat-resistant steel, such as hot forming tool steel, where the workpiece may be hardened and depassivated after mechanical machining and electrochemical treatment. The hardening including a reduction step, so that no depassivation need be performed by pickling, for example, before nitriding. The result of the hardening treatment is a favorable surface condition for stepwise nitriding.

摘要翻译： 一种生产诸如热成形工具钢的耐热钢的工件的方法，其中可以在机械机械加工和电化学处理之后使工件硬化和钝化。 硬化包括还原步骤，使得例如在氮化之前不需要通过酸洗进行去钝化。 硬化处理的结果是用于逐步氮化的良好的表面状态。

公开(公告)号：US20050279426A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10870489

申请日：2004-06-17

申请人： Clark Cooper ,  Krassimir Marchev ,  Bill Giessen

发明人： Clark Cooper ,  Krassimir Marchev ,  Bill Giessen

IPC分类号： C23C8/02 ,  C23C8/24 ,  C23C8/26 ,  C23C8/80

CPC分类号： C23C8/26 ,  C23C8/02 ,  C23C8/80 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/12458

摘要： A method of nitriding a metal includes transforming a surface region of a generally nitrogen-free metal into a nitrogen-containing solid solution surface region. A first heating process heats the surface region at a first temperature in the presence of a nitrogen gas partial pressure to form a nitrogen-charged surface portion on the surface region. A second heating process heats the surface region and nitrogen-charged surface portion at a second temperature for a predetermined time to interstitially diffuse nitrogen from the nitrogen-charged surface portion a depth into the surface region. Coincident with the second heating process, an ionized inert or reducing gas removes the nitrogen-charged surface portion. The resulting nitrogen-containing solid solution surface region has a gradual transition in nitrogen concentration.

摘要翻译： 金属氮化的方法包括将一般无氮金属的表面区域转化为含氮固溶体表面区域。 在氮气分压的存在下，第一加热工艺在第一温度下加热表面区域，以在表面区域上形成带氮表面部分。 第二加热过程在第二温度下将表面区域和带氮表面部分加热预定时间，从而将含氮表面部分的氮气间隙地扩散到表面区域。 与第二加热方法一致，电离的惰性或还原气体除去带氮的表面部分。 所得到的含氮固溶体表面区域的氮浓度逐渐变化。

公开(公告)号：US20050233171A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11052337

申请日：2005-02-07

申请人： Sankar Sambasivan ,  Scott Barnett ,  Ilwon Kim ,  John Rechner

发明人： Sankar Sambasivan ,  Scott Barnett ,  Ilwon Kim ,  John Rechner

IPC分类号： B32B9/00 ,  C23C8/02 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C30B33/00 ,  H01L39/24

CPC分类号： H01L39/2461 ,  C23C8/02 ,  C30B23/02 ,  C30B29/22 ,  C30B29/225 ,  C30B29/38 ,  C30B33/005

摘要： The present invention relates to oxides on suitable substrates, as converted from nitride precursors.

公开(公告)号：US20050077210A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10955760

申请日：2004-09-30

申请人： Leslie Benum ,  Michael Oballa ,  Sabino Petrone ,  Weixing Chen

发明人： Leslie Benum ,  Michael Oballa ,  Sabino Petrone ,  Weixing Chen

IPC分类号： C21D1/72 ,  C21D1/76 ,  C22C38/00 ,  C22C38/38 ,  C22C38/58 ,  C23C8/02 ,  C23C8/14 ,  C23C8/18 ,  C23C30/00 ,  C10G9/14

CPC分类号： C23C8/18 ,  C21D1/72 ,  C22C38/38 ,  C22C38/58 ,  C23C8/02 ,  F28F19/06 ,  F28F21/083 ,  Y10T428/265

摘要： An outermost surface covering not less than 55% of stainless steel, said surface having a thickness from 0.1 to 15 microns and being a spinel of the formula MnxCr3-xO4 wherein x is from 0.5 to 2 is not prone to coking and is suitable for hydrocarbyl reactions such as furnace tubes for cracking.

摘要翻译： 覆盖不少于55％的不锈钢的最外表面，所述表面具有0.1至15微米的厚度，并且是式Mn x Cr 3-x O 4的尖晶石，其中x为0.5至2不易于焦化，并且适用于烃基 反应如用于开裂的炉管。

公开(公告)号：US20050017323A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10922582

申请日：2004-08-20

申请人： Vishnu Agarwal ,  Garry Mercaldi

发明人： Vishnu Agarwal ,  Garry Mercaldi

IPC分类号： C23C8/02 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8244 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28202 ,  C23C8/02 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

摘要： An ultra thin dielectric film or dielectric layer on a semiconductor device is disclosed. In one embodiment, an oxide layer is formed over a substrate. A silicon-containing material is deposited over the oxide layer. The deposited material and oxide layer are processed in a plasma to form the dielectric layer or ultra thin dielectric film. The silicon-containing dielectric layer can allow for improved or smaller semiconductor devices. The silicon containing dielectric layer can be fabricated at low temperatures. Improved or smaller semiconductor devices may be accomplished by reducing leakage, increasing the dielectric constant or fabricating at lower temperatures.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件上的超薄介电膜或电介质层。 在一个实施例中，在衬底上形成氧化物层。 在氧化物层上沉积含硅材料。 将沉积的材料和氧化物层在等离子体中进行处理以形成电介质层或超薄电介质膜。 含硅介电层可以允许改进或更小的半导体器件。 含硅介电层可以在低温下制造。 改进的或更小的半导体器件可以通过减少泄漏，增加介电常数或在较低温度下制造来实现。

公开(公告)号：US20050014652A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10799436

申请日：2004-03-12

申请人： Igor Seleznev ,  Michael Cima

发明人： Igor Seleznev ,  Michael Cima

IPC分类号： C23C8/02 ,  H01L39/24 ,  H01B1/00

CPC分类号： H01L39/2451 ,  C23C8/02

摘要： A method of producing an oriented oxide superconducting film. A metal oxyfluoride film is provided on a substrate. The metal oxyfluoride film comprises the constituent metallic elements of an oxide superconductor in substantially stoichiometric proportions. The film is then converted into the oxide superconductor in a processing gas having a total pressure less than atmospheric pressure.

摘要翻译： 一种制备定向氧化物超导膜的方法。 金属氟氧化物膜设置在基板上。 金属氟氧化物膜以基本上化学计量的比例包含氧化物超导体的组成金属元素。 然后将膜转化为总压力小于大气压的处理气体中的氧化物超导体。

公开(公告)号：US06838394B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10721513

申请日：2003-11-26

申请人： Tadahiro Ohmi ,  Shigetoshi Sugawa

发明人： Tadahiro Ohmi ,  Shigetoshi Sugawa

IPC分类号： C23C8/02 ,  C23C8/36 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/31641 ,  C23C8/02 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42324

摘要： A fabrication process of a flash memory device includes microwave excitation of high-density plasma in a mixed gas of Kr and an oxidizing gas or a nitriding gas. The resultant atomic state oxygen O* or hydrogen nitride radicals NH* are used for nitridation or oxidation of a polysilicon electrode surface. It is also disclosed the method of forming an oxide film and a nitride film on a polysilicon film according to such a plasma processing.

摘要翻译： 闪存器件的制造方法包括在Kr的混合气体和氧化气体或氮化气体中的高密度等离子体的微波激发。 所得到的原子态氧O *或氮化氢自由基NH *用于多晶硅电极表面的氮化或氧化。 还公开了根据这种等离子体处理在多晶硅膜上形成氧化物膜和氮化物膜的方法。