公开(公告)号：US08877655B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13102980

申请日：2011-05-06

申请人： Eric J. Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung-Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

发明人： Eric J. Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung-Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469 ,  H01L21/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： The present invention relates to a process and system for depositing a thin film onto a substrate. One aspect of the invention is depositing a thin film metal oxide layer using atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 本发明涉及将薄膜沉积到基底上的方法和系统。 本发明的一个方面是使用原子层沉积（ALD）沉积薄膜金属氧化物层。

公开(公告)号：US20110256735A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13175204

申请日：2011-07-01

申请人： Chang-Gong Wang ,  Eric Shero ,  Glen Wilk

发明人： Chang-Gong Wang ,  Eric Shero ,  Glen Wilk

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

摘要： Methods for forming metal silicate films are provided. The methods comprise contacting a substrate with alternating and sequential vapor phase pulses of a silicon source chemical, metal source chemical, and an oxidizing agent, wherein the metal source chemical is the next reactant provided after the silicon source chemical. Methods according to some embodiments can be used to form silicon-rich hafnium silicate and zirconium silicate films with substantially uniform film coverages on substrate surface.

摘要翻译： 提供了形成金属硅酸盐膜的方法。 所述方法包括使基板与硅源化学品，金属源化学品和氧化剂的交替和顺序的气相脉冲接触，其中所述金属源化学品是在硅源化学品之后提供的下一反应物。 根据一些实施方案的方法可以用于形成富含硅的硅酸铪硅酸盐和硅酸锆膜，其在基材表面上具有基本均匀的膜覆盖。

公开(公告)号：US20110275166A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13102980

申请日：2011-05-06

申请人： Eric J. Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung-Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

发明人： Eric J. Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung-Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

IPC分类号： H01L21/66 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  H01L21/31 ,  C23C16/50

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

摘要： The present invention relates to a process and system for depositing a thin film onto a substrate. One aspect of the invention is depositing a thin film metal oxide layer using atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 本发明涉及将薄膜沉积到基底上的方法和系统。 本发明的一个方面是使用原子层沉积（ALD）沉积薄膜金属氧化物层。

公开(公告)号：US20110070380A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12854818

申请日：2010-08-11

申请人： Eric Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

发明人： Eric Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/64 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

摘要： Systems and methods are delineated which, among other things, are for depositing a film on a substrate that is within a reaction chamber. In an exemplary method, the method may comprise applying an atomic layer deposition cycle to the substrate, wherein the cycle may comprise exposing the substrate to a precursor gas for a precursor pulse interval and then removing the precursor gas thereafter, and exposing the substrate to an oxidizer comprising an oxidant gas and a nitrogen-containing species gas for an oxidation pulse interval and then removing the oxidizer thereafter. Aspects of the present invention utilize molecular and excited nitrogen-oxygen radical/ionic species in possible further combination with oxidizers such as ozone. Embodiments of the present invention also include electronic components and systems that include devices fabricated with methods consistent with the present invention.

摘要翻译： 描述了系统和方法，其中除了别的以外是将膜沉积在反应室内的基底上。 在示例性方法中，该方法可以包括将原子层沉积循环应用于衬底，其中该循环可以包括将衬底暴露于用于前体脉冲间隔的前体气体，然后在此之后除去前体气体，并将衬底暴露于 氧化剂，其包含氧化剂气体和用于氧化脉冲间隔的含氮物质气体，然后除去氧化剂。 本发明的方面利用分子激发的氮氧自由基/离子物质可能与氧化剂如臭氧进一步组合。 本发明的实施例还包括电子部件和系统，其包括用与本发明一致的方法制造的装置。

公开(公告)号：US20080085610A1

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：US11868333

申请日：2007-10-05

申请人： Chang-Gong Wang ,  Eric Shero ,  Glen Wilk

发明人： Chang-Gong Wang ,  Eric Shero ,  Glen Wilk

IPC分类号： H01L21/31 ,  C01B33/20

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

摘要： Methods for forming metal silicate films are provided. The methods comprise contacting a substrate with alternating and sequential vapor phase pulses of a silicon source chemical, metal source chemical, and an oxidizing agent, wherein the metal source chemical is the next reactant provided after the silicon source chemical. Methods according to some embodiments can be used to form silicon-rich hafnium silicate and zirconium silicate films with substantially uniform film coverages on substrate surface.

摘要翻译： 提供了形成金属硅酸盐膜的方法。 所述方法包括使基板与硅源化学品，金属源化学品和氧化剂的交替和顺序的气相脉冲接触，其中所述金属源化学品是在硅源化学品之后提供的下一反应物。 根据一些实施方案的方法可以用于形成富含硅的硅酸铪硅酸盐和硅酸锆膜，其在基材表面上具有基本均匀的膜覆盖。

公开(公告)号：US08883270B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US12854818

申请日：2010-08-11

申请人： Eric Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

发明人： Eric Shero ,  Petri I. Raisanen ,  Sung Hoon Jung ,  Chang-Gong Wang

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/64 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

摘要： Systems and methods are delineated which, among other things, are for depositing a film on a substrate that is within a reaction chamber. In an exemplary method, the method may comprise applying an atomic layer deposition cycle to the substrate, wherein the cycle may comprise exposing the substrate to a precursor gas for a precursor pulse interval and then removing the precursor gas thereafter, and exposing the substrate to an oxidizer comprising an oxidant gas and a nitrogen-containing species gas for an oxidation pulse interval and then removing the oxidizer thereafter. Aspects of the present invention utilize molecular and excited nitrogen-oxygen radical/ionic species in possible further combination with oxidizers such as ozone. Embodiments of the present invention also include electronic components and systems that include devices fabricated with methods consistent with the present invention.

摘要翻译： 描述了系统和方法，其中除了别的以外是将膜沉积在反应室内的基底上。 在示例性方法中，该方法可以包括将原子层沉积循环应用于衬底，其中该循环可以包括将衬底暴露于用于前体脉冲间隔的前体气体，然后在此之后除去前体气体，并将衬底暴露于 氧化剂，其包含氧化剂气体和用于氧化脉冲间隔的含氮物质气体，然后除去氧化剂。 本发明的方面利用分子激发的氮氧自由基/离子物质可能与氧化剂如臭氧进一步组合。 本发明的实施例还包括电子部件和系统，其包括用与本发明一致的方法制造的装置。

公开(公告)号：US07972977B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US11868333

申请日：2007-10-05

申请人： Chang-Gong Wang ,  Eric Shero ,  Glen Wilk

发明人： Chang-Gong Wang ,  Eric Shero ,  Glen Wilk

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45531

摘要： Methods for forming metal silicate films are provided. The methods comprise contacting a substrate with alternating and sequential vapor phase pulses of a silicon source chemical, metal source chemical, and an oxidizing agent, wherein the metal source chemical is the next reactant provided after the silicon source chemical. Methods according to some embodiments can be used to form silicon-rich hafnium silicate and zirconium silicate films with substantially uniform film coverages on substrate surface.

摘要翻译： 提供了形成金属硅酸盐膜的方法。 所述方法包括使基板与硅源化学品，金属源化学品和氧化剂的交替和顺序的气相脉冲接触，其中所述金属源化学品是在硅源化学品之后提供的下一反应物。 根据一些实施方案的方法可以用于形成富含硅的硅酸铪硅酸盐和硅酸锆膜，其在基材表面上具有基本均匀的膜覆盖。

公开(公告)号：US20090214767A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12038764

申请日：2008-02-27

申请人： Chang-gong Wang ,  Eric Shero

发明人： Chang-gong Wang ,  Eric Shero

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： C23C16/45534 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518

摘要： Methods for doping a substrate surface or the interface between two thin films by atomic layer deposition process (ALD) are provided. By blocking some of the available binding sites for a dopant precursor with a blocking reactant, the concentration and uniformity of dopant deposited can be controlled. The blocking reactant may be introduced prior to introduction of the dopant precursor in the ALD process, or the blocking reactant and the dopant precursor can be introduced simultaneously.

摘要翻译： 提供了通过原子层沉积工艺（ALD）掺杂衬底表面或两个薄膜之间的界面的方法。 通过用封闭反应物阻挡掺杂剂前体的一些可用结合位点，可以控制沉积的掺杂剂的浓度和均匀性。 可以在ALD工艺中引入掺杂剂前体之前引入封闭反应物，或者可以同时引入封闭反应物和掺杂剂前体。

公开(公告)号：US07795160B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11490875

申请日：2006-07-21

申请人： Chang-gong Wang ,  Eric J. Shero ,  Glen Wilk ,  Jan Willem Maes

发明人： Chang-gong Wang ,  Eric J. Shero ,  Glen Wilk ,  Jan Willem Maes

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C23C16/401 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31645

摘要： Methods for forming metal silicate films are provided. The methods comprise contacting a substrate with alternating and sequential vapor phase pulses of a metal source chemical, a silicon source chemical and an oxidizing agent. In preferred embodiments, an alkyl amide metal compound and a silicon halide compound are used. Methods according to preferred embodiments can be used to form hafnium silicate and zirconium silicate films with substantially uniform film coverages on substrate surfaces comprising high aspect ratio features (e.g., vias and/or trenches).

摘要翻译： 提供了形成金属硅酸盐膜的方法。 所述方法包括使基板与金属源化学品，硅源化学品和氧化剂的交替和顺序的气相脉冲接触。 在优选的实施方案中，使用烷基酰胺金属化合物和卤化硅化合物。 根据优选实施方案的方法可以用于在包含高纵横比特征（例如，通孔和/或沟槽）的衬底表面上形成具有基本上均匀的薄膜覆盖率的硅酸铪硅酸盐膜和硅酸锆膜。

公开(公告)号：US09238865B2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：US13367010

申请日：2012-02-06

申请人： Christophe Pomarede ,  Eric Shero ,  Mohith Verghese ,  Jan Willem Maes ,  Chang-Gong Wang

发明人： Christophe Pomarede ,  Eric Shero ,  Mohith Verghese ,  Jan Willem Maes ,  Chang-Gong Wang

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C16/04 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C14/246 ,  C23C16/045 ,  C23C16/448 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/4485 ,  C23C16/4486 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/52 ,  F17C2205/0142 ,  F17C2205/0146 ,  F17C2270/0518 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02148 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/10861

摘要： A vapor deposition method and apparatus including at least two vessels containing a same first source chemical. A controller is programmed to simultaneously pulse to the reaction space doses or pulses of a gas from the vessels, each of the doses having a substantially consistent concentration of the first source chemical. The apparatus may also include at least two vessels containing a same second source chemical. The controller can be programmed to simultaneously pulse to the reaction space doses or pulses of a gas from the vessels containing the second source chemical, each of the doses having a substantially consistent concentration of the second source chemical. The second source chemical can be pulsed to the reaction space after the reaction space is purged of an excess of the first source chemical.

摘要翻译： 一种气相沉积方法和装置，包括至少两个含有相同的第一源化学物质的容器。 控制器被编程为同时脉冲到来自容器的气体的反应空间剂量或脉冲，每个剂量具有基本上一致的第一源化学品浓度。 该装置还可以包括含有相同的第二源化学品的至少两个容器。 控制器可被编程为同时脉冲到来自含有第二源化学物质的容器的反应空间剂量或脉冲，每个剂量具有基本一致的第二源化学品浓度。 在反应空间被清除过量的第一源化学品之后，第二源化学品可以被脉冲到反应空间。