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    INTEGRATED OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
    2.
    发明申请
    INTEGRATED OPTICAL DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME 有权
    集成光学器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130064497A1

    公开(公告)日：2013-03-14

    申请号：US13594978

    申请日：2012-08-27

    申请人： Norihiro IWAI ,  Hirotatsu ISHII

    发明人： Norihiro IWAI ,  Hirotatsu ISHII

    IPC分类号： G02B6/12 ,  H01L33/58

    CPC分类号： G02B6/12004 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1228 ,  H01S5/02453 ,  H01S5/026 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/106 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/227 ,  H01S5/34306

    摘要： Provided is an optical integrated device comprising a first waveguide that is formed on a substrate and includes a first optical path; an electrode formed on the first waveguide; a second waveguide that is formed on the substrate and includes a second optical path; and a transparent waveguide that is formed on the substrate between the first waveguide and the second waveguide, and includes a transparent core that serves as an optical path and is formed of a material having higher bandgap energy than the first optical path. The electrode is formed above the first waveguide and is not formed above the transparent waveguide, and elements including the first waveguide are optically active elements that operate according to current injected thereto.

    摘要翻译： 提供了一种光学集成器件，包括形成在衬底上并包括第一光路的第一波导; 形成在第一波导上的电极; 第二波导，其形成在所述基板上并且包括第二光路; 以及形成在第一波导和第二波导之间的基板上的透明波导，并且包括用作光路并由具有比第一光路更高的带隙能量的材料形成的透明芯。 电极形成在第一波导上方，并且不形成在透明波导的上方，并且包括第一波导的元件是根据注入的电流而工作的光学活性元件。

    Nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same
    3.
    发明授权
    Nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
    氮化物基半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08222639B2

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：US12535009

    申请日：2009-08-04

    申请人： Tatsuyuki Shinagawa ,  Hirotatsu Ishii ,  Akihiko Kasukawa

    发明人： Tatsuyuki Shinagawa ,  Hirotatsu Ishii ,  Akihiko Kasukawa

    IPC分类号： H01L29/10

    CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/0218

    摘要： An interfacial reaction suppressing layer 12 formed between an oxide layer including a ZnO single crystal substrate 11 and a nitride layer including an InGaN semiconductor layer 13 restrains the interfacial reaction between the oxide layer and the nitride layer and formation of a reaction layer (Al2ZnO4) at the interface, which makes it possible to grow and thermally treat the InGaN semiconductor layer 13 at a high temperature. Thus, a crystal quality of the InGaN semiconductor layer 13 is improved.

    摘要翻译： 在包括ZnO单晶衬底11的氧化物层和包括InGaN半导体层13的氮化物层之间形成的界面反应抑制层12抑制氧化物层和氮化物层之间的界面反应，并形成反应层（Al 2 ZnO 4） 该界面使得可以在高温下生长和热处理InGaN半导体层13。 因此，提高了InGaN半导体层13的晶体质量。

    Semiconductor laser element and manufacturing method thereof
    5.
    发明授权
    Semiconductor laser element and manufacturing method thereof 有权
    半导体激光元件及其制造方法

    公开(公告)号：US08488644B2

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US13133946

    申请日：2009-12-10

    申请人： Suguru Imai ,  Keishi Takaki ,  Norihiro Iwai ,  Kinuka Tanabe ,  Hitoshi Shimizu ,  Hirotatsu Ishii

    发明人： Suguru Imai ,  Keishi Takaki ,  Norihiro Iwai ,  Kinuka Tanabe ,  Hitoshi Shimizu ,  Hirotatsu Ishii

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2072

    摘要： A semiconductor laser element includes a first electrode, a second electrode, a first reflecting mirror, a second reflecting mirror, and a resonator. The resonator includes an active layer, a current confinement layer, a first semiconductor layer having a first doping concentration formed at a side opposite to the active layer across the current confinement layer, and a second semiconductor layer having a second doping concentration higher than the first doping concentration formed between the first semiconductor layer and the current confinement layer. The first electrode is provided to contact a part of a surface of the first semiconductor layer. The first semiconductor layer has a diffusion portion into which a component of the first electrode diffuses. The second semiconductor layer contacts the diffusion portion. The second semiconductor layer is positioned at a node of a standing wave at a time of laser oscillation of the semiconductor laser element.

    摘要翻译： 半导体激光元件包括第一电极，第二电极，第一反射镜，第二反射镜和谐振器。 谐振器包括有源层，电流限制层，具有形成在跨过电流限制层的有源层相反侧的第一掺杂浓度的第一半导体层，以及具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二半导体层 在第一半导体层和电流限制层之间形成的掺杂浓度。 第一电极设置成接触第一半导体层的表面的一部分。 第一半导体层具有扩散部，第一电极的成分扩散到该扩散部。 第二半导体层与扩散部接触。 第二半导体层位于半导体激光元件的激光振荡时的驻波的节点处。

    SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
    半导体激光元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110261852A1

    公开(公告)日：2011-10-27

    申请号：US13133946

    申请日：2009-12-10

    申请人： Suguru Imai ,  Keishi Takaki ,  Norihiro Iwai ,  Kinuka Tanabe ,  Hitoshi Shimizu ,  Hirotatsu Ishii

    发明人： Suguru Imai ,  Keishi Takaki ,  Norihiro Iwai ,  Kinuka Tanabe ,  Hitoshi Shimizu ,  Hirotatsu Ishii

    IPC分类号： H01S5/10 ,  H01L33/20 ,  B82Y20/00

    CPC分类号： H01S5/18341 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2072

    摘要： A semiconductor laser element includes a first electrode, a second electrode, a first reflecting mirror, a second reflecting mirror, and a resonator. The resonator includes an active layer, a current confinement layer, a first semiconductor layer having a first doping concentration formed at a side opposite to the active layer across the current confinement layer, and a second semiconductor layer having a second doping concentration higher than the first doping concentration formed between the first semiconductor layer and the current confinement layer. The first electrode is provided to contact a part of a surface of the first semiconductor layer. The first semiconductor layer has a diffusion portion into which a component of the first electrode diffuses. The second semiconductor layer contacts the diffusion portion. The second semiconductor layer is positioned at a node of a standing wave at a time of laser oscillation of the semiconductor laser element.

    摘要翻译： 半导体激光元件包括第一电极，第二电极，第一反射镜，第二反射镜和谐振器。 谐振器包括有源层，电流限制层，具有形成在跨过电流限制层的有源层相反侧的第一掺杂浓度的第一半导体层，以及具有高于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二半导体层 在第一半导体层和电流限制层之间形成的掺杂浓度。 第一电极设置成接触第一半导体层的表面的一部分。 第一半导体层具有扩散部，第一电极的成分扩散到该扩散部。 第二半导体层与扩散部接触。 第二半导体层位于半导体激光元件的激光振荡时的驻波的节点处。

    NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    9.
    发明申请
    NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 有权
    基于氮化物的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20100051939A1

    公开(公告)日：2010-03-04

    申请号：US12535009

    申请日：2009-08-04

    申请人： Tatsuyuki Shinagawa ,  Hirotatsu Ishii ,  Akihiko Kasukawa

    发明人： Tatsuyuki Shinagawa ,  Hirotatsu Ishii ,  Akihiko Kasukawa

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L33/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01S5/0218

    摘要： An interfacial reaction suppressing layer 12 formed between an oxide layer including a ZnO single crystal substrate 11 and a nitride layer including an InGaN semiconductor layer 13 restrains the interfacial reaction between the oxide layer and the nitride layer and formation of a reaction layer (Al2ZnO4) at the interface, which makes it possible to grow and thermally treat the InGaN semiconductor layer 13 at a high temperature. Thus, a crystal quality of the InGaN semiconductor layer 13 is improved.

    摘要翻译： 在包括ZnO单晶衬底11的氧化物层和包括InGaN半导体层13的氮化物层之间形成的界面反应抑制层12抑制氧化物层和氮化物层之间的界面反应，并形成反应层（Al 2 ZnO 4） 该界面使得可以在高温下生长和热处理InGaN半导体层13。 因此，改善了InGaN半导体层13的晶体质量。