利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

12 条记录 (耗时 0.014 秒)

    ANTI-REFLECTIVE LAYER FOR BACKSIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS
    1.
    发明申请
    ANTI-REFLECTIVE LAYER FOR BACKSIDE ILLUMINATED CMOS IMAGE SENSORS 审中-公开
    用于背光照明的CMOS图像传感器的反反射层

    公开(公告)号：US20130270663A1

    公开(公告)日：2013-10-17

    申请号：US13755376

    申请日：2013-01-31

    申请人： Hsing-Lien LIN ,  Yeur-Luen TU ,  Cheng-Yuan TSAI ,  Cheng-Ta WU ,  Chia-Shiung TSAI

    发明人： Hsing-Lien LIN ,  Yeur-Luen TU ,  Cheng-Yuan TSAI ,  Cheng-Ta WU ,  Chia-Shiung TSAI

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14625 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/02168

    摘要： A method of forming an image sensor device includes forming a light sensing region at a front surface of a silicon substrate and a patterned metal layer there over. Thereafter, the method includes depositing a metal oxide anti-reflection laminate on the first surface of the substrate. The metal oxide anti-reflection laminate includes one or more composite layers of thin metal oxides stacked over the photodiode. Each composite layer includes two or more metal oxide layers: one metal oxide is a high energy band gap metal oxide and another metal oxide is a high refractive index metal oxide.

    摘要翻译： 形成图像传感器装置的方法包括在硅衬底的前表面上形成感光区域，并在其上形成图案化的金属层。 此后，该方法包括在基板的第一表面上沉积金属氧化物防反射层压板。 金属氧化物防反射层叠体包括层叠在光电二极管上的一层以上的金属氧化物复合层。 每个复合层包括两个或更多个金属氧化物层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物，另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。

    Method of forming MIM capacitor electrodes
    3.
    发明授权
    Method of forming MIM capacitor electrodes 有权
    形成MIM电容器电极的方法

    公开(公告)号：US07199001B2

    公开(公告)日：2007-04-03

    申请号：US10811657

    申请日：2004-03-29

    申请人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A novel method for forming electrodes in the fabrication of an MIM (metal-insulator-metal) capacitor, is disclosed. The method improves MIM capacitor performance by preventing plasma-induced damage to a dielectric layer during deposition of a top electrode on the dielectric layer, as well as by reducing or preventing the formation of an interfacial layer between the dielectric layer and the electrode or electrodes, in fabrication of the MIM capacitor. The method typically includes the patterning of crown-type capacitor openings in a substrate; depositing a bottom electrode in each of the crown openings; subjecting the bottom electrode to a rapid thermal processing (RTP) or furnace anneal step; depositing a dielectric layer on the annealed bottom electrode; depositing a top electrode on the dielectric layer using a plasma-free CVD (chemical vapor deposition) or ALD (atomic layer deposition) process; and patterning the top electrode of each MIM capacitor.

    摘要翻译： 公开了一种用于在MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器的制造中形成电极的新颖方法。 该方法通过在电介质层上的顶部电极沉积期间防止等离子体对电介质层的损伤，以及通过减少或防止介电层和电极或电极之间的界面层的形成来改善MIM电容器性能， 在MIM电容器的制造中。 该方法通常包括在衬底中图案化冠状电容器开口; 在每个冠状开口中沉积底部电极; 对底部电极进行快速热处理（RTP）或炉退火步骤; 在退火的底部电极上沉​​积介电层; 使用无等离子体CVD（化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）工艺在电介质层上沉积顶部电极; 并对每个MIM电容器的顶部电极进行构图。

    Low tunneling current MIM structure and method of manufacturing same
    8.
    发明申请
    Low tunneling current MIM structure and method of manufacturing same 有权
    低隧道电流MIM结构及其制造方法

    公开(公告)号：US20070247784A1

    公开(公告)日：2007-10-25

    申请号：US11379478

    申请日：2006-04-20

    申请人： Yu-Jen Wang ,  Hsing-Lien Lin ,  Yeur-Luen Tu

    发明人： Yu-Jen Wang ,  Hsing-Lien Lin ,  Yeur-Luen Tu

    IPC分类号： H01G4/06

    CPC分类号： H01G4/10 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Disclosed herein are new MIM structures having increased capacitance with little or no tunneling current, and related methods of manufacturing the same. In one embodiment, the new MIM structure comprises a first electrode comprising a magnetic metal and having a magnetic moment aligned in a first direction, and a second electrode comprising a magnetic metal and having a magnetic moment aligned in a second direction antiparallel to the first direction. In addition, such an MIM structure comprises a dielectric layer formed between the first and second electrodes and contacting the first and second magnetic metals.

    摘要翻译： 这里公开了具有增加的电容，很少或没有隧道电流的新的MIM结构，以及相关的制造方法。 在一个实施例中，新的MIM结构包括包括磁性金属并且具有在第一方向上对准的磁矩的第一电极和包括磁性金属的第二电极，并且具有在与第一方向相反的第二方向上对准的磁矩 。 此外，这种MIM结构包括形成在第一和第二电极之间并与第一和第二磁性金属接触的电介质层。

    Method of forming MIM capacitor electrodes
    9.
    发明申请
    Method of forming MIM capacitor electrodes 有权
    形成MIM电容器电极的方法

    公开(公告)号：US20050215004A1

    公开(公告)日：2005-09-29

    申请号：US10811657

    申请日：2004-03-29

    申请人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Chih-Ta Wu ,  Kuo-Yin Lin ,  Tsung-Hsun Huang ,  Chung-Yi Yu ,  Lan-Lin Chao ,  Yeur-Luen Tu ,  Hsing-Lien Lin ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01G4/005 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L23/522 ,  H01L29/06

    CPC分类号： H01L28/60 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A novel method for forming electrodes in the fabrication of an MIM (metal-insulator-metal) capacitor, is disclosed. The method improves MIM capacitor performance by preventing plasma-induced damage to a dielectric layer during deposition of a top electrode on the dielectric layer, as well as by reducing or preventing the formation of an interfacial layer between the dielectric layer and the electrode or electrodes, in fabrication of the MIM capacitor. The method typically includes the patterning of crown-type capacitor openings in a substrate; depositing a bottom electrode in each of the crown openings; subjecting the bottom electrode to a rapid thermal processing (RTP) or furnace anneal step; depositing a dielectric layer on the annealed bottom electrode; depositing a top electrode on the dielectric layer using a plasma-free CVD (chemical vapor deposition) or ALD (atomic layer deposition) process; and patterning the top electrode of each MIM capacitor.

    摘要翻译： 公开了一种用于在MIM（金属 - 绝缘体 - 金属）电容器的制造中形成电极的新颖方法。 该方法通过在电介质层上的顶部电极沉积期间防止等离子体对电介质层的损伤，以及通过减少或防止介电层和电极或电极之间的界面层的形成来改善MIM电容器性能， 在MIM电容器的制造中。 该方法通常包括在衬底中图案化冠状电容器开口; 在每个冠状开口中沉积底部电极; 对底部电极进行快速热处理（RTP）或炉退火步骤; 在退火的底部电极上沉​​积介电层; 使用无等离子体CVD（化学气相沉积）或ALD（原子层沉积）工艺在电介质层上沉积顶部电极; 并对每个MIM电容器的顶部电极进行构图。

    Low tunneling current MIM structure and method of manufacturing same
    10.
    发明授权
    Low tunneling current MIM structure and method of manufacturing same 有权
    低隧道电流MIM结构及其制造方法

    公开(公告)号：US07529078B2

    公开(公告)日：2009-05-05

    申请号：US11379478

    申请日：2006-04-20

    申请人： Yu-Jen Wang ,  Hsing-Lien Lin ,  Yeur-Luen Tu

    发明人： Yu-Jen Wang ,  Hsing-Lien Lin ,  Yeur-Luen Tu

    IPC分类号： H01G4/38

    CPC分类号： H01G4/10 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Disclosed herein are new MIM structures having increased capacitance with little or no tunneling current, and related methods of manufacturing the same. In one embodiment, the new MIM structure comprises a first electrode comprising a magnetic metal and having a magnetic moment aligned in a first direction, and a second electrode comprising a magnetic metal and having a magnetic moment aligned in a second direction antiparallel to the first direction. In addition, such an MIM structure comprises a dielectric layer formed between the first and second electrodes and contacting the first and second magnetic metals.

    摘要翻译： 这里公开了具有增加的电容，很少或没有隧道电流的新的MIM结构，以及相关的制造方法。 在一个实施例中，新的MIM结构包括包括磁性金属并且具有在第一方向上对准的磁矩的第一电极和包括磁性金属的第二电极，并且具有在与第一方向相反的第二方向上对准的磁矩 。 此外，这种MIM结构包括形成在第一和第二电极之间并与第一和第二磁性金属接触的电介质层。