公开(公告)号：US09240487B2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：US12266797

申请日：2008-11-07

申请人： Hun-Jung Lee ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Soo Shin ,  Jong-Han Jeong ,  Jin-Seong Park ,  Steve Y. G. Mo

发明人： Hun-Jung Lee ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Hyun-Soo Shin ,  Jong-Han Jeong ,  Jin-Seong Park ,  Steve Y. G. Mo

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618

摘要： A method of manufacturing a thin film transistor having a compound semiconductor with oxygen as a semiconductor layer and a method of manufacturing an organic light emitting display having the thin film transistor include: forming a gate electrode on an insulating substrate; forming a gate insulating layer on the gate electrode; forming a semiconductor layer including oxygen ions on the gate insulating layer, and including a channel region, a source region, and a drain region; forming a source electrode and a drain electrode to contact the semiconductor layer in the source region and the drain region, respectively; and forming a passivation layer on the semiconductor layer by coating an organic material, wherein a carrier density of the semiconductor layer is maintained in the range of 1E+17 to 1E+18/cm3 to have stable electrical property.

摘要翻译： 制造具有氧作为半导体层的化合物半导体的薄膜晶体管的制造方法以及具有薄膜晶体管的有机发光显示器的制造方法包括：在绝缘基板上形成栅电极; 在栅电极上形成栅极绝缘层; 在所述栅绝缘层上形成包括氧离子的半导体层，并且包括沟道区，源极区和漏极区; 形成源电极和漏电极，分别与源极区域和漏极区域中的半导体层接触; 以及通过涂覆有机材料在半导体层上形成钝化层，其中半导体层的载流子密度保持在1E + 17至1E + 18 / cm3的范围内以具有稳定的电性能。

公开(公告)号：US09035192B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US12974476

申请日：2010-12-21

申请人： Gyu Ho Lee ,  Young Woo Park ,  Il Rae Cho ,  Young Hun Kim ,  Kyoung Soo Park ,  Jin Seong Park ,  Dong Seon Uh ,  Kyung Jin Lee ,  Kwang Jin Jung

发明人： Gyu Ho Lee ,  Young Woo Park ,  Il Rae Cho ,  Young Hun Kim ,  Kyoung Soo Park ,  Jin Seong Park ,  Dong Seon Uh ,  Kyung Jin Lee ,  Kwang Jin Jung

IPC分类号： H05K1/09 ,  C09J11/04 ,  C09J9/02 ,  H05K3/32 ,  C08K3/00 ,  C08K9/02

CPC分类号： C09J11/04 ,  C08K3/017 ,  C08K9/02 ,  C09J9/02 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0218

摘要： An anisotropic conductive adhesive composite and film include a binder and conductive particles dispersed in the binder. The conductive particles include a copper core particle and a metal coating layer coated on a surface of the corresponding copper core particle.

摘要翻译： 各向异性导电粘合剂复合物和膜包括粘合剂和分散在粘合剂中的导电颗粒。 导电颗粒包括铜芯颗粒和涂覆在相应的铜芯颗粒的表面上的金属涂层。

公开(公告)号：US08871566B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13289883

申请日：2011-11-04

申请人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

发明人： Hyun-soo Shin ,  Yeon-gon Mo ,  Jae-kyeong Jeong ,  Jin-seong Park ,  Hun-jung Lee ,  Jong-han Jeong

IPC分类号： H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode, a first insulating layer on the gate electrode, a semiconductor layer on the gate electrode and separated from the gate electrode by the first insulating layer, the semiconductor layer including a channel region corresponding to the gate electrode, a source region, and a drain region, a hydrogen diffusion barrier layer on the semiconductor layer, the hydrogen diffusion barrier layer covering the channel region and exposing the source and drain regions, and a second insulation layer on the source and drain regions and on the hydrogen diffusion barrier layer, such that the hydrogen diffusion barrier layer is between the second insulation layer and the channel region.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括栅电极，栅电极上的第一绝缘层，栅电极上的半导体层，并通过第一绝缘层与栅电极分离，半导体层包括与栅电极相对应的沟道区， 源极区域和漏极区域，在半导体层上的氢扩散阻挡层，覆盖沟道区域的氢扩散阻挡层和暴露源极和漏极区域，以及在源极和漏极区域上以及在源极区域和漏极区域上的第二绝缘层 氢扩散阻挡层，使得氢扩散阻挡层位于第二绝缘层和沟道区之间。

公开(公告)号：US08840302B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US13469466

申请日：2012-05-11

申请人： Na Yun Ko ,  Tae Seung Lee ,  Jin Seong Park

发明人： Na Yun Ko ,  Tae Seung Lee ,  Jin Seong Park

IPC分类号： G01K7/00 ,  G01K7/22 ,  C04B35/01

CPC分类号： G01K1/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/016 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/87 ,  G01K7/16 ,  G01K7/22 ,  H01C7/008 ,  Y10T29/49007

摘要： A composite material for a temperature sensor and a method of manufacturing the temperature sensor using the composite material are provided. The composite material contains four or more kinds of metal oxides combined with highly insulating materials to produce a material with semiconductor-like properties to more accurately measure a temperature at high temperature in the range of 500° C. and above. The sensor includes electrode wires having a predetermined diameter inserted into the metal oxide of the temperature sensor when the metal oxide is press-molded to form the temperature sensor. Through the connection of the electrode wires to the temperature sensor device, disconnection of the electrode wires from the device even at a high temperature.

摘要翻译： 提供了一种用于温度传感器的复合材料和使用该复合材料制造温度传感器的方法。 该复合材料包含与高绝缘材料结合的四种或更多种金属氧化物，以产生具有半导体状特性的材料，以更准确地测量在500℃及以上范围内的高温下的温度。 当金属氧化物被压制成型以形成温度传感器时，该传感器包括插入温度传感器的金属氧化物中的预定直径的电极线。 通过将电极线连接到温度传感器装置，即使在高温下电极线也从装置断开。

公开(公告)号：US20140034882A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US14050555

申请日：2013-10-10

申请人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jang Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

发明人： Youn Jo KO ,  Dong Seon UH ,  Jang Hyun CHO ,  Jin Seong PARK ,  Sang Sik BAE ,  Jin Kyu KIM

IPC分类号： H01B1/12

CPC分类号： H01B1/24 ,  C08L33/12 ,  C08L35/04 ,  C09J9/02 ,  C09J175/16 ,  H01B1/12

摘要： An anisotropic conductive film includes a binder part, a curing part, an initiator, and conductive particles, wherein the binder part includes at least one of a nitrile butadiene rubber (NBR) resin and a urethane resin, wherein the anisotropic conductive film has an electrical conductivity of more than 0 μS/cm to about 100 μS/cm.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括粘合剂部分，固化部分，引发剂和导电颗粒，其中粘合剂部分包括丁腈橡胶（NBR）树脂和聚氨酯树脂中的至少一种，其中各向异性导电膜具有电 电导率大于0μS/ cm至约100μS/ cm。

公开(公告)号：US20130277660A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：US13922785

申请日：2013-06-20

申请人： Jin-Seong Park ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Hyun-Joong Chung ,  Tae-Kyung Ahn ,  Eun-Hyun Kim

发明人： Jin-Seong Park ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Hyun-Joong Chung ,  Tae-Kyung Ahn ,  Eun-Hyun Kim

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/45

摘要： An oxide semiconductor thin film transistor and a flat panel display device incorporating the same oxide semiconductor thin film transistor. The thin film transistor includes a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the substrate and covering the gate electrode, an oxide semiconductor layer formed on the gate insulating layer and covering the gate electrode, a titanium layer formed in a source region and a drain region of the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes respectively coupled to the source region and the drain region through the titanium layer and made of copper. The titanium layer reduces the contact resistance between the source and drain electrodes made of copper and the oxide semiconductor layer, forms a stable interface junction therebetween, and blocks a diffusion of copper.

摘要翻译： 一种氧化物半导体薄膜晶体管和包含相同氧化物半导体薄膜晶体管的平板显示装置。 薄膜晶体管包括形成在基板上的栅电极，形成在基板上并覆盖栅电极的栅极绝缘层，形成在栅绝缘层上并覆盖栅电极的氧化物半导体层，形成在源极上的钛层 区域和漏区，以及分别通过钛层耦合到源极区域和漏极区域并由铜制成的源极和漏极电极。 钛层降低由铜和氧化物半导体层构成的源极和漏极之间的接触电阻，在它们之间形成稳定的界面结，并阻止铜的扩散。

公开(公告)号：US20130236681A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13785354

申请日：2013-03-05

申请人： Chang Min LEE ,  Seung Jib CHOI ,  Ji Hye KWON ,  Irina NAM ,  Jin Seong PARK ,  Yeon Soo LEE ,  Kyoung Jin HA

发明人： Chang Min LEE ,  Seung Jib CHOI ,  Ji Hye KWON ,  Irina NAM ,  Jin Seong PARK ,  Yeon Soo LEE ,  Kyoung Jin HA

IPC分类号： C09D183/06

CPC分类号： C09D183/06 ,  C08G77/20 ,  C08L83/06 ,  C08L2312/06 ,  C09D143/04 ,  Y10T428/23

摘要： A photocurable composition includes (A) a photocurable monomer and (B) a silicon-containing monomer or oligomer thereof, the silicon-containing monomer being represented by Formula 1

摘要翻译： 光固化性组合物包含（A）光固化性单体和（B）含硅单体或其低聚物，所述含硅单体由式1表示

公开(公告)号：US20130196129A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13803266

申请日：2013-03-14

申请人： Woo Suk LEE ,  Bong Yong KIM ,  Dong Seon UH ,  Jin Seong PARK ,  Kyoung Soo PARK ,  Woo Jun LIM ,  Kyung Jin LEE

发明人： Woo Suk LEE ,  Bong Yong KIM ,  Dong Seon UH ,  Jin Seong PARK ,  Kyoung Soo PARK ,  Woo Jun LIM ,  Kyung Jin LEE

IPC分类号： H01R4/04

CPC分类号： H01R4/04 ,  B32B7/12 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  Y10T428/24942

摘要： An anisotropic conductive film includes a first insulating adhesive layer, a conductive adhesive layer, and a second insulating adhesive layer which are sequentially stacked on a base film, wherein an adhesive strength ratio of the second insulating adhesive layer to the first insulating adhesive layer is about 1.1 to about 20.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括依次堆叠在基膜上的第一绝缘粘合剂层，导电粘合剂层和第二绝缘粘合剂层，其中第二绝缘粘合剂层与第一绝缘粘合剂层的粘合强度比为约 1.1〜约20。

公开(公告)号：US08436342B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US12654938

申请日：2010-01-08

申请人： Jin-Seong Park ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Hyun-Joong Chung ,  Tae-Kyung Ahn

发明人： Jin-Seong Park ,  Yeon-Gon Mo ,  Jae-Kyeong Jeong ,  Min-Kyu Kim ,  Hyun-Joong Chung ,  Tae-Kyung Ahn

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L27/3262 ,  H01L2251/305

摘要： Disclosed is an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same. The organic light emitting display device includes the thin film transistor of the drive unit that has the activation layer formed in a structure where the first oxide semiconductor layer and the second oxide semiconductor layer are stacked, the thin film transistor of the pixel unit that has the activation layer formed of the second oxide semiconductor layer, and the organic light emitting diode coupled to the thin film transistor of the pixel unit. The thin film transistor of the drive unit has channel formed on the first oxide semiconductor layer having a higher carrier concentration than the second oxide semiconductor layer, having a high charge mobility, and the thin film transistor of the pixel unit has a channel formed on the second oxide semiconductor layer, having a stable and uniform functional property.

摘要翻译： 公开了一种有机发光显示装置及其制造方法。 有机发光显示装置包括具有以第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层堆叠的结构形成的激活层的驱动单元的薄膜晶体管，具有像素单元的薄膜晶体管 由第二氧化物半导体层形成的激活层和耦合到像素单元的薄膜晶体管的有机发光二极管。 驱动单元的薄膜晶体管具有形成在第一氧化物半导体层上的沟道，其具有比第二氧化物半导体层更高的载流子浓度，具有高电荷迁移率，并且像素单元的薄膜晶体管具有形成在 第二氧化物半导体层，具有稳定且均匀的功能特性。

公开(公告)号：US08421084B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US12926636

申请日：2010-12-01

申请人： Jae-Wook Kang ,  Jin-Seong Park

发明人： Jae-Wook Kang ,  Jin-Seong Park

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/3272 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

摘要： An organic light emitting display includes a gate electrode on a substrate, an active layer insulated from the gate electrode, source and drain electrodes that are insulated from the gate electrode and contact the active layer, an insulating layer between the active layer and the source and drain electrodes, a light blocking layer that is on the active layer and that blocks light of a predetermined wavelength from the active layer, and an organic light emitting device that is electrically connected to one of the source and drain electrodes.

摘要翻译： 有机发光显示器包括在基板上的栅电极，与栅电极绝缘的有源层，与栅电极绝缘并与有源层接触的源电极和漏极，活性层和源之间的绝缘层，以及 漏电极，有源层上的遮光层，阻挡来自有源层的预定波长的光;以及电连接到源电极和漏极之一的有机发光器件。