公开(公告)号：US09059142B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13555640

申请日：2012-07-23

申请人： Wen-Ping Liang ,  Chiang-Hung Lin ,  Kuo-Hui Su

发明人： Wen-Ping Liang ,  Chiang-Hung Lin ,  Kuo-Hui Su

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/78

摘要： A method for forming a semiconductor device with a vertical gate is disclosed, including providing a substrate, forming a recess in the substrate, forming a gate dielectric layer on a sidewall and a bottom of the recess, forming an adhesion layer in the recess and on the gate dielectric layer, wherein the adhesion layer is a metal silicide nitride layer, and forming a gate layer in the recess and on the adhesion layer.

摘要翻译： 公开了一种用于形成具有垂直栅极的半导体器件的方法，包括提供衬底，在衬底中形成凹槽，在凹槽的侧壁和底部上形成栅极电介质层，在凹部中形成粘附层， 所述栅介电层，其中所述粘附层是金属硅化物氮化物层，并且在所述凹部中和所述粘合层上形成栅极层。

公开(公告)号：US20130328202A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13490472

申请日：2012-06-07

申请人： Chi-Wen Huang ,  Kuo-Hui Su

发明人： Chi-Wen Huang ,  Kuo-Hui Su

IPC分类号： H01L23/522

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via (TSV) structure including a semiconductor substrate; a first inter-metal dielectric (IMD) layer on the semiconductor substrate; a cap layer overlying the IMD layer; a conductive layer extending through the cap layer, the first IMD layer and into the semiconductor substrate; a tungsten film capping a top surface of the conductive layer; a second IMD layer overlying the cap layer and covering the tungsten film; and an interconnect feature in the second IMD layer.

摘要翻译： 一种包括半导体衬底的硅通孔（TSV）结构; 半导体衬底上的第一金属间介电层（IMD）层; 覆盖IMD层的覆盖层; 延伸穿过盖层，第一IMD层并进入半导体衬底的导电层; 覆盖导电层的顶表面的钨膜; 覆盖覆盖层并覆盖钨膜的第二IMD层; 以及第二IMD层中的互连特征。

公开(公告)号：US08536056B2

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：US13214244

申请日：2011-08-22

申请人： Kuo-Hui Su ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Kuo-Hui Su ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76885

摘要： A method of forming conductive pattern is provided. A seeding layer is formed on an underlayer. By using an energy ray, an irradiation treatment is performed on a portion of a surface of the seeding layer. The seeding layer thus includes a plurality of irradiated regions and a plurality of unirradiated regions. A conversion treatment is performed on the irradiated regions of the seeding layer. A selective growth process is performed, so as to form a conductive pattern on each unirradiated region of the seeding layer. The irradiated regions of the seeding layer are removed, so that the conductive patterns are insulated from each other.

摘要翻译： 提供形成导电图案的方法。 在底层上形成接种层。 通过使用能量射线，对接种层的表面的一部分进行照射处理。 因此，接种层包括多个照射区域和多个未照射区域。 对接种层的照射区域进行转化处理。 进行选择性生长处理，以在接种层的每个未照射区域上形成导电图案。 去除接种层的照射区域，使得导电图案彼此绝缘。

公开(公告)号：US08410535B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13093840

申请日：2011-04-25

申请人： Kuo-Hui Su ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

发明人： Kuo-Hui Su ,  Yi-Nan Chen ,  Hsien-Wen Liu

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/76 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L28/75

摘要： A capacitor and a manufacturing method thereof are provided. The capacitor includes a first electrode, a first metal layer, a dielectric layer and a second electrode. The first electrode is disposed on a substrate. The first metal layer is disposed on the first electrode. The dielectric layer is disposed on the first metal layer, wherein the material of the first metal layer does not react with the material of the dielectric layer. The second electrode is disposed on the dielectric layer.

摘要翻译： 提供电容器及其制造方法。 电容器包括第一电极，第一金属层，电介质层和第二电极。 第一电极设置在基板上。 第一金属层设置在第一电极上。 电介质层设置在第一金属层上，其中第一金属层的材料不与电介质层的材料反应。 第二电极设置在电介质层上。

公开(公告)号：US20100276764A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12434688

申请日：2009-05-04

申请人： Yi-Jen Lo ,  Yu-Shan Chiu ,  Kuo-Hui Su ,  Chiang-Hung Lin

发明人： Yi-Jen Lo ,  Yu-Shan Chiu ,  Kuo-Hui Su ,  Chiang-Hung Lin

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76852 ,  H01L23/53266 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure includes a substrate; a dielectric layer overlying the substrate; a conductor pattern on a main surface of the dielectric layer, the conductor pattern having a top surface and sidewalls; and a conformal metal layer selectively deposited on the top surface and sidewalls, but without deposited on the main surface of the dielectric layer substantially.

摘要翻译： 提供半导体结构。 半导体结构包括基板; 覆盖衬底的电介质层; 电介质层的主表面上的导体图案，导体图案具有顶表面和侧壁; 以及保形金属层，其选择性地沉积在顶表面和侧壁上，但基本上不沉积在介电层的主表面上。

公开(公告)号：US08815735B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13463004

申请日：2012-05-03

申请人： Yi Jung Chen ,  Kuo Hui Su ,  Chiang Hung Lin

发明人： Yi Jung Chen ,  Kuo Hui Su ,  Chiang Hung Lin

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894

摘要： A semiconductor device comprises a substrate, a dielectric layer, an undoped silicon layer, and a silicon material. The substrate comprises a doped region. The dielectric layer is formed on the substrate and comprises a contact hole, and the contact hole corresponds to the doped region. The undoped silicon layer is formed on the doped region. The silicon material fills the contact hole from the undoped silicon layer.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，电介质层，未掺杂的硅层和硅材料。 衬底包括掺杂区域。 电介质层形成在基片上并包括接触孔，接触孔对应于掺杂区域。 在掺杂区域上形成未掺杂的硅层。 硅材料从未掺杂的硅层填充接触孔。

公开(公告)号：US08587131B1

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13490472

申请日：2012-06-07

申请人： Chi-Wen Huang ,  Kuo-Hui Su

发明人： Chi-Wen Huang ,  Kuo-Hui Su

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via (TSV) structure including a semiconductor substrate; a first inter-metal dielectric (IMD) layer on the semiconductor substrate; a cap layer overlying the IMD layer; a conductive layer extending through the cap layer, the first IMD layer and into the semiconductor substrate; a tungsten film capping a top surface of the conductive layer; a second IMD layer overlying the cap layer and covering the tungsten film; and an interconnect feature in the second IMD layer.

摘要翻译： 一种包括半导体衬底的硅通孔（TSV）结构; 半导体衬底上的第一金属间介电层（IMD）层; 覆盖IMD层的覆盖层; 延伸穿过盖层，第一IMD层并进入半导体衬底的导电层; 覆盖导电层的顶表面的钨膜; 覆盖覆盖层并覆盖钨膜的第二IMD层; 以及第二IMD层中的互连特征。

公开(公告)号：US20130292799A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13463004

申请日：2012-05-03

申请人： Yi Jung CHEN ,  Kuo Hui Su ,  Chiang Hung Lin

发明人： Yi Jung CHEN ,  Kuo Hui Su ,  Chiang Hung Lin

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L27/10855 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10894

摘要： A semiconductor device comprises a substrate, a dielectric layer, an undoped silicon layer, and a silicon material. The substrate comprises a doped region. The dielectric layer is formed on the substrate and comprises a contact hole, and the contact hole corresponds to the doped region. The undoped silicon layer is formed on the doped region. The silicon material fills the contact hole from the undoped silicon layer.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，电介质层，未掺杂的硅层和硅材料。 衬底包括掺杂区域。 电介质层形成在基片上并包括接触孔，接触孔对应于掺杂区域。 在掺杂区域上形成未掺杂的硅层。 硅材料从未掺杂的硅层填充接触孔。

公开(公告)号：US20130241063A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13419451

申请日：2012-03-14

申请人： Yu-Shan Chiu ,  Kuo-Hui Su

发明人： Yu-Shan Chiu ,  Kuo-Hui Su

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： A through-silicon via (TSV) includes an insulation layer continuously lining a straight sidewall of a recessed via feature; a barrier layer continuously covering the insulation layer; a first portion of a non-continuous seed layer disposed at one end of the recessed via feature; a non-continuous dielectric layer partially covering the straight sidewall of the recessed via feature; and a conductive layer filling the recessed via feature.

摘要翻译： 贯穿硅通孔（TSV）包括连续地衬在凹陷通孔特征的直侧壁上的绝缘层; 连续地覆盖绝缘层的阻挡层; 设置在凹陷通孔特征的一端的非连续种子层的第一部分; 部分地覆盖凹陷通孔特征的直侧壁的非连续介电层; 以及填充凹陷通孔特征的导电层。

公开(公告)号：US20130140682A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13309523

申请日：2011-12-01

申请人： Chi-Wen Huang ,  Kuo-Hui Su

发明人： Chi-Wen Huang ,  Kuo-Hui Su

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/743 ,  H01L27/10891

摘要： A buried word line includes a substrate having thereon a recessed trench, an insulating layer on a bottom surface and a sidewall of the recessed trench, and a lining layer in the recessed trench. The lining layer has a cleaned surface that is cleaned by a cleaning solution comprising HF or H3PO4. A tungsten layer is selectively deposited on the cleaned surface of the lining layer.

摘要翻译： 掩埋字线包括其上具有凹槽，底面上的绝缘层和凹槽的侧壁以及凹槽中的衬层的衬底。 衬里层具有由HF或H 3 PO 4的清洁溶液清洁的清洁表面。 钨层被选择性地沉积在衬里层的清洁表面上。