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    Direct brazing of refractory metal features
    2.
    发明授权
    Direct brazing of refractory metal features 失效
    耐火金属特征的直接钎焊

    公开(公告)号：US6131796A

    公开(公告)日：2000-10-17

    申请号：US960563

    申请日：1997-10-30

    申请人： Suryanarayana Kaja ,  Srinivasa N. Reddy ,  Donald Rene Wall

    发明人： Suryanarayana Kaja ,  Srinivasa N. Reddy ,  Donald Rene Wall

    IPC分类号： B23K1/19 ,  B23K35/00 ,  B23K35/30 ,  B23K20/22 ,  B23K31/02 ,  B23K35/24

    CPC分类号： B23K1/19 ,  B23K35/005 ,  B23K35/3006 ,  B23K2201/40

    摘要： A brazing method for the direct bonding of a metallic item to a refractory metal without the need for an adhesion layer. The direct brazing process uses a Cu--Ag--Ni alloy which eliminates the need for the steps of plating a refractory metal to be bonded to a metallic material with a nickel layer (or other nickel-containing adhesion layer) and diffusion annealing the plated refractory metal prior to brazing. The brazed joint produced by the direct brazing method between a refractory metal and a metallic item has a substantially reduced layer of nickel in the as-brazed joint which improves the mechanical properties of the joint.

    摘要翻译： 用于将金属物品直接接合到难熔金属而不需要粘合层的钎焊方法。 直接钎焊工艺使用Cu-Ag-Ni合金，其不需要用镍层（或其它含镍粘合层）将待接合的难熔金属电镀到金属材料上，并且对镀层耐火材料进行扩散退火 钎焊前的金属。 在难熔金属和金属制品之间通过直接钎焊方法制造的钎焊接头在钎焊接头中具有大大降低的镍层，这提高了接头的机械性能。

    Decoupling capacitor method and structure using metal based carrier
    7.
    发明授权
    Decoupling capacitor method and structure using metal based carrier 有权
    使用金属载体去耦电容器的方法和结构

    公开(公告)号：US06461493B1

    公开(公告)日：2002-10-08

    申请号：US09472136

    申请日：1999-12-23

    申请人： Mukta S. Farooq ,  Shaji Farooq ,  John U. Knickerbocker ,  Robert A. Rita ,  Srinivasa N. Reddy

    发明人： Mukta S. Farooq ,  Shaji Farooq ,  John U. Knickerbocker ,  Robert A. Rita ,  Srinivasa N. Reddy

    IPC分类号： C25D502

    CPC分类号： H05K3/445 ,  H01G4/10 ,  H05K1/053 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4069 ,  H05K2201/09554 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/1142

    摘要： A process for fabricating a structure using a metal carrier and forming a double capacitor structure. The process comprises forming a first via hole through the metal carrier, forming a dielectric layer around the metal carrier and inside the first via hole, forming a second via hole through the dielectric layer and the metal carrier, and filling at least one of the via holes with conductive material. In one preferred embodiment, the process further comprises forming a third via hole through the metal carrier before the forming of a dielectric layer, wherein the dielectric layer is formed around the metal carrier, inside the first via hole, and inside the third via hole. The first via hole, the second via hole, and the third via hole are all filled with a conductive material. In one preferred embodiment, the dielectric layer comprises a top surface opposed to a bottom surface, and electrodes are formed on at least one of the top surface and the bottom surface of the dielectric layer.

    摘要翻译： 一种使用金属载体制造结构并形成双电容器结构的方法。 该工艺包括形成通过金属载体的第一通孔，在金属载体周围形成电介质层，并在第一通孔内部形成介电层，形成穿过电介质层和金属载体的第二通孔，并填充至少一个通孔 孔与导电材料。 在一个优选实施例中，该方法还包括在形成电介质层之前通过金属载体形成第三通孔，其中介电层围绕金属载体形成在第一通孔的内部，以及在第三通孔的内部。 第一通孔，第二通孔和第三通孔均填充有导电材料。 在一个优选实施例中，电介质层包括与底表面相对的顶表面，并且在介电层的顶表面和底表面中的至少一个上形成电极。