公开(公告)号：US20100193949A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：US12364684

申请日：2009-02-03

申请人： Luc L. Belanger ,  Marc A. Bergendahl ,  Ajay P. Giri ,  Paul A. Lauro ,  Valerie A. Oberson ,  Da-Yuan Shih

发明人： Luc L. Belanger ,  Marc A. Bergendahl ,  Ajay P. Giri ,  Paul A. Lauro ,  Valerie A. Oberson ,  Da-Yuan Shih

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04941

摘要： Methods and UBM structures having bilayer or trilayer UBM layers that include a thin TiW adhesion layer and a thick Ni-based barrier layer thereover both deposited under sputtering operating conditions that provide the resultant bilayer or trilayer UBM layers with minimal composite stresses. The Ni-based barrier layer may be pure Ni or a Ni alloy. These UBM layers may be patterned to fabricate bilayer or trilayer UBM capture pads, followed by joining a lead-free solder thereto for providing lead-free solder joints that maintain reliability after multiple reflows. Optionally, the top layer of the trilayer UBM structures may include soluble or insoluble metals for doping the lead-free solder connections.

摘要翻译： 具有双层或三层UBM层的方法和UBM结构，其在包括薄TiW粘附层和厚Ni基阻挡层的两个或三层UBM层上沉积在溅射操作条件下，以最小的复合应力提供所得到的双层或三层UBM层。 Ni基阻挡层可以是纯Ni或Ni合金。 这些UBM层可以被图案化以制造双层或三层UBM捕获垫，随后将无铅焊料接合到其上以提供在多次回流之后保持可靠性的无铅焊点。 任选地，三层UBM结构的顶层可以包括用于掺杂无铅焊料连接的可溶性或不溶性金属。

公开(公告)号：US20130098176A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13277246

申请日：2011-10-20

申请人： William E. Bernier ,  Timothy H. Daubenspeck ,  Virendra R. Jadhav ,  Valerie A. Oberson ,  David L. Questad

发明人： William E. Bernier ,  Timothy H. Daubenspeck ,  Virendra R. Jadhav ,  Valerie A. Oberson ,  David L. Questad

IPC分类号： G01N33/00

CPC分类号： H01L22/30 ,  B05D1/36 ,  G01N3/60 ,  G01N19/04 ,  G01N25/16 ,  G01N2203/0296 ,  G01N2203/0298 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A symmetrical, flat laminate structure used to minimize variables in a test structure to experimentally gauge white bump sensitivity to CTE mismatch is disclosed. The test structure includes a flat laminate structure. The method of using the test structure includes isolating a cause of a multivariable chip join problem that is adversely impacted by warpage and quantifying a contribution of the warpage, itself, in a formation of the multivariable chip join problem.

摘要翻译： 公开了一种对称的平板层压结构，用于使测试结构中的变量最小化，以实验测量白色凸起对CTE不匹配的敏感性。 测试结构包括平板层压结构。 使用测试结构的方法包括隔离多变量芯片连接问题的原因，其由翘曲不利地影响并量化翘曲的贡献本身在多变量芯片连接问题的形成中。

公开(公告)号：US08957531B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US13277246

申请日：2011-10-20

申请人： William E. Bernier ,  Timothy H. Daubenspeck ,  Virendra R. Jadhav ,  Valerie A. Oberson ,  David L. Questad

发明人： William E. Bernier ,  Timothy H. Daubenspeck ,  Virendra R. Jadhav ,  Valerie A. Oberson ,  David L. Questad

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/66 ,  H01L23/00 ,  G01N3/60 ,  G01N19/04

CPC分类号： H01L22/30 ,  B05D1/36 ,  G01N3/60 ,  G01N19/04 ,  G01N25/16 ,  G01N2203/0296 ,  G01N2203/0298 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A symmetrical, flat laminate structure used to minimize variables in a test structure to experimentally gauge white bump sensitivity to CTE mismatch is disclosed. The test structure includes a flat laminate structure. The method of using the test structure includes isolating a cause of a multivariable chip join problem that is adversely impacted by warpage and quantifying a contribution of the warpage, itself, in a formation of the multivariable chip join problem.

摘要翻译： 公开了一种对称的平板层压结构，用于使测试结构中的变量最小化，以实验测量白色凸起对CTE不匹配的敏感性。 测试结构包括平板层压结构。 使用测试结构的方法包括隔离多变量芯片连接问题的原因，其由翘曲不利地影响并量化翘曲的贡献本身在多变量芯片连接问题的形成中。

公开(公告)号：US08197612B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12111524

申请日：2008-04-29

申请人： James A Busby ,  Minhua Lu ,  Valerie A Oberson ,  Eric D Perfecto ,  Kamalesh K Srivastava ,  Brian R Sundlof ,  Julien Sylvestre ,  Renee L Weisman

发明人： James A Busby ,  Minhua Lu ,  Valerie A Oberson ,  Eric D Perfecto ,  Kamalesh K Srivastava ,  Brian R Sundlof ,  Julien Sylvestre ,  Renee L Weisman

IPC分类号： B23K35/22

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K2101/36

摘要： Semiconductor packaging techniques are provided which optimize metallurgical properties of a joint using dissimilar solders. A solder composition for Controlled Collapse Chip Connection processing includes a combination of a tin based lead free solder component designed for a chip and a second solder component designed for a laminate. The total concentration of module Ag after reflow is less than 1.9% by weight. A method of manufacturing a solder component is also provided.

摘要翻译： 提供半导体封装技术，其使用不同的焊料优化接头的冶金性能。 用于受控塌陷芯片连接处理的焊料组合物包括为芯片设计的锡基无铅焊料组分和为层压板设计的第二焊料组分的组合。 回流后模块Ag的总浓度小于1.9重量％。 还提供了制造焊料组分的方法。

公开(公告)号：US08003512B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12364684

申请日：2009-02-03

申请人： Luc L. Belanger ,  Marc A. Bergendahl ,  Ajay P. Giri ,  Paul A. Lauro ,  Valerie A. Oberson ,  Da-Yuan Shih

发明人： Luc L. Belanger ,  Marc A. Bergendahl ,  Ajay P. Giri ,  Paul A. Lauro ,  Valerie A. Oberson ,  Da-Yuan Shih

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01093 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04941

摘要： Methods and UBM structures having bilayer or trilayer UBM layers that include a thin TiW adhesion layer and a thick Ni-based barrier layer thereover both deposited under sputtering operating conditions that provide the resultant bilayer or trilayer UBM layers with minimal composite stresses. The Ni-based barrier layer may be pure Ni or a Ni alloy. These UBM layers may be patterned to fabricate bilayer or trilayer UBM capture pads, followed by joining a lead-free solder thereto for providing lead-free solder joints that maintain reliability after multiple reflows. Optionally, the top layer of the trilayer UBM structures may include soluble or insoluble metals for doping the lead-free solder connections.

摘要翻译： 具有双层或三层UBM层的方法和UBM结构，其在包括薄TiW粘附层和厚Ni基阻挡层的两个或三层UBM层上沉积在溅射操作条件下，以最小的复合应力提供所得到的双层或三层UBM层。 Ni基阻挡层可以是纯Ni或Ni合金。 这些UBM层可以被图案化以制造双层或三层UBM捕获垫，随后将无铅焊料接合到其上以提供在多次回流之后保持可靠性的无铅焊点。 任选地，三层UBM结构的顶层可以包括用于掺杂无铅焊料连接的可溶性或不溶性金属。

公开(公告)号：US20090266447A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12111524

申请日：2008-04-29

申请人： JAMES A. BUSBY ,  MINHUA LU ,  VALERIE A. OBERSON ,  ERIC D. PERFECTO ,  KAMALESH K. SRIVASTAVA ,  BRIAN R. SUNDLOF ,  JULIEN SYLVESTRE ,  RENEE L. WEISMAN

发明人： JAMES A. BUSBY ,  MINHUA LU ,  VALERIE A. OBERSON ,  ERIC D. PERFECTO ,  KAMALESH K. SRIVASTAVA ,  BRIAN R. SUNDLOF ,  JULIEN SYLVESTRE ,  RENEE L. WEISMAN

IPC分类号： B23K35/22

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K2101/36

摘要： Semiconductor packaging techniques are provided which optimize metallurgical properties of a joint using dissimilar solders. A solder composition for Controlled Collapse Chip Connection processing includes a combination of a tin based lead free solder component designed for a chip and a second solder component designed for a laminate. The total concentration of module Ag after reflow is less than 1.9% by weight. A method of manufacturing a solder component is also provided.

摘要翻译： 提供半导体封装技术，其使用不同的焊料优化接头的冶金性能。 用于受控塌陷芯片连接处理的焊料组合物包括为芯片设计的锡基无铅焊料组分和为层压板设计的第二焊料组分的组合。 回流后模块Ag的总浓度小于1.9重量％。 还提供了制造焊料组分的方法。